| 1 |
1
수평성장 그래핀층 및 상기 그래핀층 상측의 수소처리층을 포함하며, 상기 그래핀층은 복수개의 그레인을 포함하고, 상기 그레인의 직경이 1 내지 20 nm 이고, 300K에서 자성이 10 emu/g 이상인 강자성 그래핀
|
| 2 |
2
청구항 1에 있어서,EELS 스펙트럼 상에서 σ* 상태의 갈라짐 피크를 나타내는 강자성 그래핀
|
| 3 |
3
삭제
|
| 4 |
4
청구항 1에 있어서,상기 그래핀은 10K 내지 700K의 온도에서 강자성을 유지하는 강자성 그래핀
|
| 5 |
5
청구항 1, 2 및 4 중 어느 한 항의 그래핀을 포함하는 자성메모리
|
| 6 |
6
청구항 5에 있어서, 상기 그래핀은 기판상에 배치되는 자성메모리
|
| 7 |
7
청구항 6에 있어서,상기 기판은 반강자성체인 자성메모리
|
| 8 |
8
청구항 7에 있어서,상기 반강자성체는 MnFe, FeCl2, CoCl2, NiCl2, MnO, CrO, NiO 및 IrMn로 이루어진 군으로부터 선택되는 적어도 하나인 자성메모리
|
| 9 |
9
청구항 1, 2 및 4 중 어느 한 항의 그래핀을 포함하는 약물전달체
|
| 10 |
10
기판 상에 제1 그래핀층을 수평성장시키는 단계;상기 제1 그래핀층을 수소 플라즈마 처리하여 제1 수소처리층을 형성하는 단계; 및상기 제1 수소처리층 상에 제2 그래핀층을 수평성장시키는 단계;를 포함하고, 상기 제1 그래핀층은 복수개의 그레인을 포함하고, 상기 그레인의 직경이 1 내지 20 nm인, 강자성 그래핀의 제조방법
|
| 11 |
11
청구항 10에 있어서,상기 제2 그래핀층을 수소 플라즈마 처리하여 제2 그래핀층 상부에 제2 수소처리층을 형성하는 단계를 더 포함하는 강자성 그래핀의 제조방법
|
| 12 |
12
기판 상에 그래핀층을 수평성장시키는 단계;상기 그래핀층을 산소 플라즈마 처리하는 단계; 및상기 산소 플라즈마 처리된 그래핀층을 수소 플라즈마 처리하는 단계;를 포함하고, 상기 그래핀층은 복수개의 그레인을 포함하고, 상기 그레인의 직경이 1 내지 20 nm인, 강자성 그래핀의 제조방법
|
| 13 |
13
청구항 10 내지 12 중 어느 한 항에 있어서, 상기 기판은 반도체, 부도체 및 전도체로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 하나를 포함하는 플렉서블 또는 비-플렉서블 기판인 강자성 그래핀의 제조방법
|
| 14 |
14
청구항 10 내지 12 중 어느 한 항에 있어서, 상기 기판은 반강자성체인 강자성 그래핀의 제조방법
|
