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기판; 상기 기판 상부에 형성된 하부전극; 상기 하부전극 상부에 형성된 절연층; 상기 절연층 상부에 용액공정으로 형성된 전도성 고분자층 및 다중벽 탄소나노튜브(MWNT) 분산체 층으로 구성되는 정공생성층; 상기 정공생성층 상부에 형성되는 고분자 발광층; 및 상기 고분자 발광층 상부에 형성된 상부전극을 포함하되,상기 정공생성층은, 절연층 상부에 용액공정으로 10nm 내지 40nm로 형성된 PEDOT:PSS를 재질로 하는 전도성 고분자층; 및 상기 전도성 고분자층 상부에 용액공정으로 형성된 다중벽 탄소나노튜브(MWNT) 분산체 층을 포함하고,상기 다중벽 탄소나노튜브(MWNT) 분산체 층은, 톨루엔 용매와 블록공중합체 마이셀을 혼합시켜 형성된 혼합용액에 다중벽 탄소나노튜브(MWNT)를 분산시킨 분산용액을 전도성 고분자층 상부에 스핀코팅으로 형성한 코팅막인 것을 특징으로 하는 전도성 고분자 및 다중벽 탄소나노튜브(MWNT) 분산체로 구성된 정공생성층을 이용한 교류구동 전계발광 소자
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청구항 1에 있어서,상기 하부전극은 ITO 전극 또는 AgNW 전극인 것을 특징으로 하는 전도성 고분자 및 다중벽 탄소나노튜브(MWNT) 분산체로 구성된 정공생성층을 이용한 교류구동 전계발광 소자
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청구항 1에 있어서,상기 절연층은 SiO2, Al2O3, HFO2 및 PVDF-TrFE 중 어느 하나를 재질로 하는 것을 특징으로 하는 전도성 고분자 및 다중벽 탄소나노튜브(MWNT) 분산체로 구성된 정공생성층을 이용한 교류구동 전계발광 소자
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청구항 1에 있어서,상기 전도성 고분자층은 PEDOT:PSS 를 재질로 하는 것을 특징으로 하는 전도성 고분자 및 다중벽 탄소나노튜브(MWNT) 분산체로 구성된 정공생성층을 이용한 교류구동 전계발광 소자
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청구항 1에 있어서,상기 고분자 발광층은, 유기발광 고분자를 재질로 하는 것을 특징으로 하는 전도성 고분자 및 다중벽 탄소나노튜브(MWNT) 분산체로 구성된 정공생성층을 이용한 교류구동 전계발광 소자
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청구항 1에 있어서,상기 혼합용액은,톨루엔 용매에 0
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청구항 1에 있어서,상기 분산용액의 PS-b-P4VP 대비 다중벽 탄소나노튜브(MWNT)의 함량비는 10:1, 5:1 및 3:1 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 전도성 고분자 및 다중벽 탄소나노튜브(MWNT) 분산체로 구성된 정공생성층을 이용한 교류구동 전계발광 소자
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청구항 1에 있어서,상기 분산용액은,30분 동안 배스소니케이션(bath sonication)한 후, 5분 동안 혼소니케이션(horn sonication)하여 분산된 것을 특징으로 하는 전도성 고분자 및 다중벽 탄소나노튜브(MWNT) 분산체로 구성된 정공생성층을 이용한 교류구동 전계발광 소자
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청구항 1에 있어서,상기 기판은,폴리에틸렌 테레프타레이트(polyethylene terephthalate:PET) 기판 또는 폴리에틸렌 나프탈레이트(polyethylene naphthalate:PEN) 기판인 것을 특징으로 하는 전도성 고분자 및 다중벽 탄소나노튜브(MWNT) 분산체로 구성된 정공생성층을 이용한 교류구동 전계발광 소자
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(a) 기판에 하부전극을 형성하는 단계; (b) 하부전극 상부에 절연층 형성하는 단계; ⒞ 절연층 상부에 용액공정으로 형성된 전도성 고분자층 및 다중벽 탄소나노튜브(MWNT) 분산체 층을 포함하는 정공생성층 형성하는 단계; (d) 정공생성층 상부에 고분자 발광층을 형성하는 단계; 및 (e) 발광층 상부에 상부전극 형성하는 단계를 포함하되,상기 (c) 단계는, (c1) 절연층 상부에 스핀코팅으로 PEDOT:PSS를 재질로하는 전도성 고분자층을 10nm 내지 40nm로 형성하는 단계; 및 (c2) 상기 전도성 고분자층 상부에 스핀코팅으로 다중벽 탄소나노튜브(MWNT) 분산체 층을 형성하는 단계를 포함하고,상기 다중벽 탄소나노튜브(MWNT) 분산체 층을 형성하는 단계는, 톨루엔 용매와 블록공중합체 마이셀을 혼합시켜 형성된 혼합용액에 다중벽 탄소나노튜브(MWNT)를 분산시킨 분산용액을 전도성 고분자층 상부에 스핀코팅으로 형성한 코팅막을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 전도성 고분자 및 다중벽 탄소나노튜브(MWNT) 분산체로 구성된 정공생성층을 이용한 교류구동 전계발광 소자 제조방법
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청구항 12에 있어서,상기 (c2) 단계는,톨루엔 용매에 0
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청구항 14에 있어서,상기 (c2) 단계에서,상기 분산용액의 PS-b-P4VP 대비 다중벽 탄소나노튜브(MWNT)의 함량비는 10:1, 5:1 및 3:1 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 전도성 고분자 및 다중벽 탄소나노튜브(MWNT) 분산체로 구성된 정공생성층을 이용한 교류구동 전계발광 소자 제조방법
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