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서로 다른 위상을 갖는 다수의 신호를 각각 발생시키는 다수의 인버터가 링 형태로 연결되고, 인버터들 사이에 형성된 다수의 피드 포워드(feed forward) 회로를 포함하는 발진부; 및전원 전압의 잡음을 감지하여, 감지된 잡음을 기반으로 상기 인버터 및 상기 피드 포워드 회로를 제어하는 제어부를 포함하며,상기 인버터 및 상기 피드 포워드 회로는 각각 CMOS 인버터를 포함하고,상기 제어부는,상기 전원 전압의 변화량, 및 상기 변화량의 평균값을 감지하는 감지부를 포함하며, 상기 전원 전압의 변화량 및 상기 변화량의 평균값에 기반하여 상기 CMOS 인버터에 포함되는 PMOS 트랜지스터의 바디 바이어스를 제어하는 제어 전압을 생성하는 전압 제어 발진기
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제1 항에 있어서,상기 감지부는,상기 전원 전압이 공급되는 전원단과 접지 노드 사이에 연결된 제1 PMOS 트랜지스터 및 제1 NMOS 트랜지스터를 포함하며,상기 변화량은 상기 제1 PMOS 트랜지스터 및 제1 NMOS 트랜지스터의 임피던스에 의한 전압 분할에 의해 감지되는 전압 제어 발진기
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제3 항에 있어서,상기 감지부는,상기 전원 전압이 공급되는 전원단과 접지 노드 사이에 연결된 제2 PMOS 트랜지스터와 제2 NMOS 트랜지스터, 그리고 상기 제2 NMOS 트랜지스터에 병렬로 연결된 커패시터를 포함하며,상기 평균값은 상기 제2 PMOS 트랜지스터, 상기 제2 NMOS 트랜지스터, 및 상기 커패시터가 연결된 노드의 전압에 의해 결정되는 전압 제어 발진기
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제1 항에 있어서,상기 제어부는,상기 변화량과 상기 평균값의 차를 기반으로 상기 인버터를 제어하는 전압, 및 상기 피드 포워드 회로를 제어하는 전압을 생성하는 전압 발생부를 포함하는 전압 제어 발진기
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제5 항에 있어서,상기 전압 발생부는,상기 변화량을 반전 단자에 입력받고, 상기 평균값을 비반전 단자에 입력받으며, 상기 인버터를 제어하는 다이렉트(direct) 제어 전압을 출력하는 제1 반전 증폭기; 및상기 평균값을 반전 단자에 입력받고, 상기 변화량을 비반전 단자에 입력받으며, 상기 피드 포워드 회로를 제어하는 피드 포워드 제어 전압을 출력하는 제2 반전 증폭기를 포함하는 전압 제어 발진기
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제6 항에 있어서,상기 인버터는 PMOS 트랜지스터의 바디 바이어스(body bias)가 상기 다이렉트 제어 전압에 의해 제어되는 CMOS 인버터를 포함하며,상기 피드 포워드 회로는 PMOS 트랜지스터의 바디 바이어스가 상기 피드 포워드 제어 전압에 의해 제어되는 CMOS 인버터를 포함하는 전압 제어 발진기
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입력 신호와 출력 신호에 대응하는 피드백 신호의 위상과 주파수를 검출하여 풀업(pull-up) 신호 또는 풀다운(pull-down) 신호를 출력하는 위상 주파수 검출기, 상기 풀업 신호 또는 상기 풀다운 신호에 대응하여 제어 전압을 출력하는 전하 펌프, 상기 제어 전압의 고주파 성분을 제거하는 루프 필터, 및 상기 루프 필터로부터의 제어 신호에 따라 가변적인 주파수를 갖는 상기 출력 신호를 생성하는 전압 제어 발진기를 포함하는 위상 동기 루프로서,상기 전압 제어 발진기는,서로 다른 위상을 갖는 다수의 신호를 각각 발생시키는 다수의 인버터가 링 형태로 연결되고, 인버터들 사이에 형성된 다수의 피드 포워드(feed forward) 회로를 포함하는 발진부; 및전원 전압의 잡음을 감지하여, 감지된 잡음을 기반으로 상기 인버터 및 상기 피드 포워드 회로를 제어하는 제어부를 포함하며,상기 인버터 및 상기 피드 포워드 회로는 각각 CMOS 인버터를 포함하고,상기 제어부는,상기 전원 전압의 변화량, 및 상기 변화량의 평균값을 감지하는 감지부를 포함하며, 상기 전원 전압의 변화량 및 상기 변화량의 평균값에 기반하여 상기 CMOS 인버터에 포함되는 PMOS 트랜지스터의 바디 바이어스를 제어하는 제어 전압을 생성하는 위상 동기 루프
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제8 항에 있어서,상기 감지부는,상기 전원 전압이 공급되는 전원단과 접지 노드 사이에 연결된 제1 PMOS 트랜지스터 및 제1 NMOS 트랜지스터를 포함하며,상기 변화량은 상기 제1 PMOS 트랜지스터 및 제1 NMOS 트랜지스터의 임피던스에 의한 전압 분할에 의해 감지되는 위상 동기 루프
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제10 항에 있어서,상기 감지부는,상기 전원 전압이 공급되는 전원단과 접지 노드 사이에 연결된 제2 PMOS 트랜지스터와 제2 NMOS 트랜지스터, 그리고 상기 제2 NMOS 트랜지스터에 병렬로 연결된 커패시터를 포함하며,상기 평균값은 상기 제2 PMOS 트랜지스터, 상기 제2 NMOS 트랜지스터, 및 상기 커패시터가 연결된 노드의 전압에 의해 결정되는 위상 동기 루프
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제8 항에 있어서,상기 제어부는,상기 변화량과 상기 평균값의 차를 기반으로 상기 인버터를 제어하는 전압, 및 상기 피드 포워드 회로를 제어하는 전압을 생성하는 전압 발생부를 포함하는 위상 동기 루프
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제12 항에 있어서,상기 전압 발생부는,상기 변화량을 반전 단자에 입력받고, 상기 평균값을 비반전 단자에 입력받으며, 상기 인버터를 제어하는 다이렉트(direct) 제어 전압을 출력하는 제1 반전 증폭기; 및상기 평균값을 반전 단자에 입력받고, 상기 변화량을 비반전 단자에 입력받으며, 상기 피드 포워드 회로를 제어하는 피드 포워드 제어 전압을 출력하는 제2 반전 증폭기를 포함하는 위상 동기 루프
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제13 항에 있어서,상기 인버터는,상기 인버터의 상단에 연결되고 상기 루프 필터로부터의 제어 신호에 의해 제어되는 PMOS 트랜지스터에 의해 공급 전류가 제어되는 CMOS 인버터인 위상 동기 루프
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제13 항에 있어서,상기 인버터는 PMOS 트랜지스터의 바디 바이어스(body bias)가 상기 다이렉트 제어 전압에 의해 제어되는 CMOS 인버터를 포함하며,상기 피드 포워드 회로는 PMOS 트랜지스터의 바디 바이어스가 상기 피드 포워드 제어 전압에 의해 제어되는 CMOS 인버터를 포함하는 위상 동기 루프
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