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3차원 집적회로

  • 기술번호 : KST2019033761
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 실리콘 관통전극의 불량을 리페어하는 3차원 집적회로가 개시된다. 본 발명에 따른 3차원 집적회로는 3차원 집적회로를 수직으로 관통하며, 각 그룹에 포함된 복수 개의 실리콘 관통전극들과 적어도 두 개 이상의 예비 실리콘 관통전극들을 포함한다. 여기서, 예비 실리콘 관통전극들은 자신이 포함된 그룹 내에서 리페어 가능한 수를 초과하는 실리콘 관통전극의 불량이 발생할 경우, 인접한 다른 그룹에 포함된 적어도 하나의 예비 실리콘 관통전극(RTSV)을 이용하여 초과하는 실리콘 관통전극의 불량을 리페어한다.
Int. CL H01L 23/522 (2006.01.01) H01L 25/07 (2006.01.01) H01L 23/48 (2006.01.01) H01L 27/06 (2006.01.01) H03K 17/62 (2006.01.01)
CPC H01L 23/5226(2013.01) H01L 23/5226(2013.01) H01L 23/5226(2013.01) H01L 23/5226(2013.01) H01L 23/5226(2013.01)
출원번호/일자 1020160014745 (2016.02.05)
출원인 연세대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1737264-0000 (2017.05.11)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20170517) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2016.02.05)
심사청구항수 9

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 연세대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 서대문구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 강성호 대한민국 서울특별시 마포구
2 강동호 대한민국 서울특별시 서대문구
3 이인걸 대한민국 서울특별시 서대문구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김연권 대한민국 서울특별시 송파구 법원로 ***, ****/****호(문정동, 문정대명벨리온)(시안특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 연세대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 서대문구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2016.02.05 수리 (Accepted) 1-1-2016-0126656-07
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2016.12.13 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2017.03.13 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-6-2017-0040145-43
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2017.03.15 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0189918-55
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2017.04.13 수리 (Accepted) 1-1-2017-0359434-11
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2017.04.13 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2017-0359447-04
7 등록결정서
Decision to grant
2017.05.01 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0309418-10
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
복수 개의 그룹으로 구분되는 3차원 집적회로에 있어서, 상기 3차원 집적회로를 수직으로 관통하고, 각 그룹에 포함된 복수 개의 실리콘 관통전극들; 및상기 3차원 집적회로를 수직으로 관통하고, 상기 각 그룹에 포함된 적어도 두 개 이상의 예비 실리콘 관통전극들을 포함하고, 상기 예비 실리콘 관통전극들 각각은,자신이 포함된 그룹 내에서 리페어 가능한 수를 초과하는 실리콘 관통전극의 불량이 발생할 경우, 인접한 다른 그룹에 포함된 적어도 하나의 예비 실리콘 관통전극(RTSV)을 이용하여 상기 초과하는 실리콘 관통전극의 불량을 리페어하고, 상기 자신이 포함된 그룹에서 불량이 발생된 적어도 하나의 실리콘 관통전극으로부터 제1 신호를 수신하여 출력하는 제1 디멀티플렉서 및 제2 디멀티플렉서를 포함하고,상기 제1 디멀티플렉서는,상기 제1 신호가 수신될 경우, 해당 제1 디멀티플렉서가 속한 예비 실리콘 관통전극이 리페어 가능한 상태인지 확인하고, 리페어 가능한 상태일 경우, 해당 제1 디멀티플렉서가 속한 예비 실리콘 관통전극에 연결된 신호 라인으로 상기 제1 신호를 출력하고, 리페어 불가능한 상태일 경우, 상기 인접한 다른 그룹들 중 제1 그룹 및 제2 그룹에 연결된 신호 라인 중 어느 한 신호 라인으로 상기 제1 신호를 출력하는, 3차원 집적회로
2 2
제1항에 있어서, 상기 인접한 다른 그룹은, 어느 하나의 그룹을 기준으로 상측, 하측, 좌측, 우측 및 대각선 방향 중 적어도 하나에 인접하여 배치된 그룹인, 3차원 집적회로
3 3
제1항에 있어서, 상기 예비 실리콘 관통전극들은,상기 각 그룹에 포함된 복수 개의 실리콘 관통전극들과 함께 m x n(여기서, m 및 n은 자연수임) 배열로 배치되고, 상기 각 그룹에서 적어도 두 개 이상의 코너 각각에 배치된, 3차원 집적회로
4 4
제3항에 있어서, 상기 예비 실리콘 관통전극들이,상기 각 그룹의 두 개의 코너 각각에 배치된 경우, 자신이 포함된 그룹 내에서 서로 마주하는 두 개의 코너에 배치되고, 상기 인접한 다른 그룹에 포함된 예비 실리콘 관통전극들과 대칭되도록 배치되는, 3차원 집적회로
5 5
제1항에 있어서, 상기 각 그룹은,상기 인접한 다른 그룹에 포함된 적어도 하나의 예비 실리콘 관통전극(RTSV)을 이용하여 상기 각 그룹에 포함된 예비 실리콘 관통전극들 개수의 최대 2배에 해당하는 불량을 리페어하는, 3차원 집적회로
6 6
제1항에 있어서, 상기 예비 실리콘 관통전극들 각각은,상기 제1 그룹에 포함된 예비 실리콘 관통전극으로부터 제2 신호를 수신하여 출력하는 제3 디멀티플렉서; 및 상기 제2 그룹에 포함된 예비 실리콘 관통전극으로부터 제3 신호를 수신하여 출력하는 제4 디멀티플렉서를 포함하는, 3차원 집적회로
7 7
삭제
8 8
복수 개의 그룹으로 구분되는 3차원 집적회로에 있어서, 상기 3차원 집적회로를 수직으로 관통하고, 각 그룹에 포함된 복수 개의 실리콘 관통전극들; 및상기 3차원 집적회로를 수직으로 관통하고, 상기 각 그룹에 포함된 적어도 두 개 이상의 예비 실리콘 관통전극들을 포함하고, 상기 예비 실리콘 관통전극들 각각은,자신이 포함된 그룹 내에서 리페어 가능한 수를 초과하는 실리콘 관통전극의 불량이 발생할 경우, 인접한 다른 그룹에 포함된 적어도 하나의 예비 실리콘 관통전극(RTSV)을 이용하여 상기 초과하는 실리콘 관통전극의 불량을 리페어하고,상기 자신이 포함된 그룹에서 불량이 발생된 적어도 하나의 실리콘 관통전극으로부터 제1 신호를 수신하여 출력하는 제2 디멀티플렉서를 포함하고,상기 제2 디멀티플렉서는, 상기 제1 신호가 수신될 경우, 해당 제2 디멀티플렉서가 속한 예비 실리콘 관통전극이 리페어 가능한 상태인지 확인하고, 리페어 가능한 상태일 경우, 해당 제2 디멀티플렉서가 속한 예비 실리콘 관통전극에 연결된 신호 라인으로 상기 제1 신호를 출력하고, 리페어 불가능한 상태일 경우, 상기 제1 그룹 및 상기 제2 그룹에 연결된 신호 라인 중 어느 한 신호 라인으로 상기 제1 신호를 출력하는, 3차원 집적회로
9 9
복수 개의 그룹으로 구분되는 3차원 집적회로에 있어서, 상기 3차원 집적회로를 수직으로 관통하고, 각 그룹에 포함된 복수 개의 실리콘 관통전극들; 및상기 3차원 집적회로를 수직으로 관통하고, 상기 각 그룹에 포함된 적어도 두 개 이상의 예비 실리콘 관통전극들을 포함하고, 상기 예비 실리콘 관통전극들 각각은,자신이 포함된 그룹 내에서 리페어 가능한 수를 초과하는 실리콘 관통전극의 불량이 발생할 경우, 인접한 다른 그룹에 포함된 적어도 하나의 예비 실리콘 관통전극(RTSV)을 이용하여 상기 초과하는 실리콘 관통전극의 불량을 리페어하고,상기 인접한 다른 그룹들 중 제1 그룹에 포함된 예비 실리콘 관통전극으로부터 제2 신호를 수신하여 출력하는 제3 디멀티플렉서를 포함하고,상기 제3 디멀티플렉서는, 해당 제3 디멀티플렉서가 속한 예비 실리콘 관통전극이 리페어 가능한 상태일 경우, 해당 예비 실리콘 관통전극에 연결된 신호 라인으로 상기 수신된 제2 신호를 출력하고, 해당 제3 디멀티플렉서가 속한 예비 실리콘 관통전극이 리페어 불가능한 상태일 경우, 상기 제2 그룹에 연결된 신호 라인으로 상기 수신된 제2 신호를 출력하는, 3차원 집적회로
10 10
복수 개의 그룹으로 구분되는 3차원 집적회로에 있어서, 상기 3차원 집적회로를 수직으로 관통하고, 각 그룹에 포함된 복수 개의 실리콘 관통전극들; 및상기 3차원 집적회로를 수직으로 관통하고, 상기 각 그룹에 포함된 적어도 두 개 이상의 예비 실리콘 관통전극들을 포함하고, 상기 예비 실리콘 관통전극들 각각은,자신이 포함된 그룹 내에서 리페어 가능한 수를 초과하는 실리콘 관통전극의 불량이 발생할 경우, 인접한 다른 그룹에 포함된 적어도 하나의 예비 실리콘 관통전극(RTSV)을 이용하여 상기 초과하는 실리콘 관통전극의 불량을 리페어하고,상기 인접한 다른 그룹들 중 제2 그룹에 포함된 예비 실리콘 관통전극으로부터 제3 신호를 수신하여 출력하는 제4 디멀티플렉서를 포함하고,상기 제4 디멀티플렉서는,해당 제4 디멀티플렉서가 속한 예비 실리콘 관통전극이 리페어 가능한 상태일 경우, 해당 예비 실리콘 관통전극에 연결된 신호 라인으로 상기 수신된 제3 신호를 출력하고, 해당 제4 디멀티플렉서가 속한 예비 실리콘 관통전극이 리페어 불가능한 상태일 경우, 상기 인접한 다른 그룹들 중 제1 그룹에 연결된 신호 라인으로 상기 수신된 제3 신호를 출력하는, 3차원 집적회로
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1 산업통상자원부 연세대학교 산학협력단 기타사업 TSV 기반 3D IC의 수율 향상을 위한 테스트 및 테스터 기술