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TSV 테스트 및 분석 회로 및 테스트 방법

  • 기술번호 : KST2019033786
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 제1 비교부에 인가된 TSV(Through-Silicon-Via)를 통과한 전압을 측정하여 TSV의 단락 불량 유무를 판별하고, 제2 비교부에 인가된 TSV를 통과한 전압을 측정하여 TSV의 개방 불량 유무를 판별하며, 제1 비교부 및 제2 비교부의 각각의 출력을 기초로 하여, TSV의 불량 여부를 판별하는 TSV 테스트 및 분석 회로를 제공한다.
Int. CL G01R 31/28 (2006.01.01) G01R 31/02 (2006.01.01) G01R 19/00 (2006.01.01) G01R 19/165 (2006.01.01) G01R 31/317 (2006.01.01)
CPC G01R 31/2879(2013.01) G01R 31/2879(2013.01) G01R 31/2879(2013.01) G01R 31/2879(2013.01) G01R 31/2879(2013.01)
출원번호/일자 1020160032768 (2016.03.18)
출원인 연세대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1772808-0000 (2017.08.23)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20170830) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2016.03.18)
심사청구항수 12

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 연세대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 서대문구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 강성호 대한민국 서울특별시 마포구
2 이영우 대한민국 서울특별시 용산구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김연권 대한민국 서울특별시 송파구 법원로 ***, ****/****호(문정동, 문정대명벨리온)(시안특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 연세대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 서대문구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2016.03.18 수리 (Accepted) 1-1-2016-0262720-88
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2017.02.10 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2017.04.11 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-6-2017-0058042-15
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2017.04.17 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0271442-82
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2017.05.23 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2017-0489149-63
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2017.05.23 수리 (Accepted) 1-1-2017-0489143-90
7 등록결정서
Decision to grant
2017.08.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0582397-20
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
TSV(Through-Silicon-Via)의 불량 유무를 검사하도록 제어하는 테스트 모드 및 상기 TSV(Through-Silicon-Via)의 단락 불량 또는 개방 불량 중 어느 하나를 구분하도록 제어하는 디버깅 모드 중 어느 하나의 모드를 선택하는 선택부;상기 디버깅 모드에서, 상기 TSV(Through-Silicon-Via)를 통과한 전압을 측정하여 상기 TSV(Through-Silicon-Via)의 단락 불량 유무를 판별하는 제1 비교부; 상기 디버깅 모드에서, 상기 TSV(Through-Silicon-Via)를 통과한 상기 전압을 측정하여 상기 TSV(Through-Silicon-Via)의 개방 불량 유무를 판별하는 제2 비교부; 및상기 테스트 모드에서, 상기 제1 비교부 및 상기 제2 비교부의 각각의 출력을 입력 받아, 상기 TSV(Through-Silicon-Via)의 불량 여부를 판별하는 판별부를 포함하고,상기 판별부는, 상기 테스트 모드에서, 상기 제1 비교부의 출력과 상기 제2 비교부의 출력이 동일한 경우 상기 TSV(Through-Silicon-Via)를 불량으로 판별하고, 상기 제1 비교부의 출력과 상기 제2 비교부의 출력이 상이한 경우 상기 TSV(Through-Silicon-Via)를 정상으로 판별하는TSV 테스트 및 분석 회로
2 2
삭제
3 3
제1항에 있어서, 상기 제1 비교부는, 상기 TSV로부터 통과한 전압 및 상기 TSV의 단락 불량 유무를 판별하기 위한 단락 기준 전압을 각각 인가하여 상기 TSV의 단락 불량 유무를 판별하는, TSV 테스트 및 분석 회로
4 4
제1항에 있어서, 상기 제2 비교부는, 상기 TSV로부터 통과한 전압 및 상기 TSV의 개방 불량 유무를 판별하기 위한 개방 기준 전압을 각각 인가하여 상기 TSV의 개방 불량 유무를 판별하는, TSV 테스트 및 분석 회로
5 5
제1항에 있어서, 상기 판별부는, XOR 게이트로 구성되어, 상기 제1 비교부의 출력이 0이고, 상기 제2 비교부의 출력이 0이면 상기 TSV를 개방 불량으로 판별하는, TSV 테스트 및 분석 회로
6 6
제1항에 있어서, 상기 판별부는, XOR 게이트로 구성되어, 상기 제1 비교부의 출력이 1이고, 상기 제2 비교부의 출력이 1이면 상기 TSV를 단락 불량으로 판별하는, TSV 테스트 및 분석 회로
7 7
제1항에 있어서, 상기 판별부는, XOR 게이트로 구성되어, 상기 제1 비교부의 출력이 0이고, 상기 제2 비교부의 출력이 1이면 상기 TSV를 정상으로 판별하는, TSV 테스트 및 분석 회로
8 8
제1항에 있어서, 상기 선택부는 MUX로 구성되어 상기 디버깅 모드인 경우, 상기 MUX의 출력 값이 1이면 상기 TSV를 단락 불량으로 판별하고,상기 MUX의 출력 값이 0이면 상기 TSV를 개방 불량으로 판별하는, TSV 테스트 및 분석 회로
9 9
TSV(Through-Silicon-Via)의 불량 유무를 검사하도록 제어하는 테스트 모드 및 상기 TSV(Through-Silicon-Via)의 단락 불량 또는 개방 불량 중 어느 하나를 구분하도록 제어하는 디버깅 모드 중 어느 하나의 모드를 선택하는 단계;상기 테스트 모드에서, 제1 비교부 및 제2 비교부의 각각의 출력을 기초로 하여, 상기 TSV(Through-Silicon-Via)의 불량 여부를 판별하는 단계;상기 디버깅 모드에서, 상기 제1 비교부에 인가된 상기 TSV(Through-Silicon-Via)를 통과한 전압을 측정하여 상기 TSV(Through-Silicon-Via)의 단락 불량 유무를 판별하는 단계; 및상기 디버깅 모드에서, 상기 제2 비교부에 인가된 상기 TSV(Through-Silicon-Via)를 통과한 상기 전압을 측정하여 상기 TSV(Through-Silicon-Via)의 개방 불량 유무를 판별하는 단계를 포함하고,상기 TSV(Through-Silicon-Via)의 불량 여부를 판별하는 단계는,상기 테스트 모드에서, 상기 제1 비교부의 출력과 상기 제2 비교부의 출력이 동일한 경우 상기 TSV(Through-Silicon-Via)를 불량으로 판별하는 단계; 및상기 제1 비교부의 출력과 상기 제2 비교부의 출력이 상이한 경우 상기 TSV(Through-Silicon-Via)를 정상으로 판별하는 단계를 포함하는 TSV 테스트 및 분석 방법
10 10
삭제
11 11
제9항에 있어서, 상기 제1 비교부는, 상기 TSV로부터 통과한 전압 및 상기 TSV의 단락 불량 유무를 판별하기 위한 단락 기준 전압을 각각 인가하여 상기 TSV의 단락 불량 유무를 판별하는, TSV 테스트 및 분석 방법
12 12
제9항에 있어서, 상기 제2 비교부는, 상기 TSV로부터 통과한 전압 및 상기 TSV의 개방 불량 유무를 판별하기 위한 개방 기준 전압을 각각 인가하여 상기 TSV의 개방 불량 유무를 판별하는, TSV 테스트 및 분석 방법
13 13
제9항에 있어서, 상기 TSV의 불량 여부를 판별하는 단계는, 상기 제1 비교부의 출력과 상기 제2 비교부의 출력이 동일한 경우 상기 TSV를 불량으로 판별하는 단계; 및상기 제1 비교부의 출력과 상기 제2 비교부의 출력이 상이한 경우 상기 TSV를 정상으로 판별하는 단계를 더 포함하는 TSV 테스트 및 분석 방법
14 14
삭제
15 15
삭제
16 16
제9항 및 제11항 내지 제13항 중 어느 한 항의 방법을 수행하는 프로그램을 기록한 컴퓨터 판독 가능 기록 매체
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1 US10401422 US 미국 DOCDBFAMILY
2 US2017269150 US 미국 DOCDBFAMILY
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 미래창조과학부 연세대학교 산학협력단 중견연구자지원사업 초미세폭 3차원 반도체 제조비용 절감을 위한 설계 및 테스트 기술 연구