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다공성 고분자 기재에 산소 플라즈마 처리하는 단계;상기 산소 플라즈마 처리된 다공성 고분자 기재의 적어도 일면에 무기 박막층을 증착하는 단계; 및상기 무기 박막층에 방사선을 조사하여 상기 고분자 기재와 상기 무기 박막층 사이의 접착력을 증가시키는 단계;를 포함하고,상기 방사선은 조사량이 1 kGy 내지 100 kGy인 것을 특징으로 하는 고분자 복합체 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 방사선은 전자선(e-beam), 감마선(γ-rays) 또는 엑스선(x-ray)인 것을 특징으로 하는 고분자 복합체 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 무기 박막층은, SiO2 또는 Al2O3인 것을 특징으로 하는 고분자 복합체 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 무기 박막층은, WO3, MnO2, Fe2O3, Fe3O4, BaTiO3, Pb(Zr,Ti)O3(PZT), HfO2, SrTiO3, CeO2, MgO, NiO, CaO, ZnO, ZrO2, Y2O3, 및 TiO2으로 이루어진 그룹에서 선택되는 적어도 어느 하나 이상인 것을 특징으로 하는 고분자 복합체 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 무기 박막층을 증착하는 단계에서, 상기 무기 박막층은 화학 기상 증착법(Chemical Vapor Deposition; CVD), 원자층 증착법(Atomic Layer Deposition; ALD), 화학 용액 성장법(chemical bath deposition; CBD) 및 열 증착법(thermal evaporation deposition) 중 적어도 하나의 방법을 이용하여 형성되는 것을 특징으로 하는 고분자 복합체 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 무기 박막층은 1 nm 내지 1 ㎛ 의 두께인 것을 특징으로 하는 고분자 복합체 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 다공성 고분자 기재는 폴리에틸렌(polyethylene), 폴리프로필렌 (polypropylene), 폴리스타이렌 (polystyrene), 폴리프로필렌테레프탈레이트(polypropylene terephthalate), 폴리에틸렌테레프탈레이트(Polyethylene terephthalate), 폴리부틸렌테레프탈레이트(polybutylene terephtalate), 폴리아크릴아마이드(Polyacrylamide), 폴리에스테르(polyester), 폴리아세탈(polyacetal), 폴리아미드(polyamide), 폴리카보네이트(polycarbonate), 폴리이미드(polyimide) 폴리에테르에테르케톤(polyether ether ketone), 폴리에테르설폰(polyether sulfone), 폴리페닐렌옥사이드(polyphenylene oxide), 폴리페닐렌설파이드(polyphenylene sulfide), 폴리에틸렌나프탈렌(polyethylene naphthalene) 및 폴리올레핀(polyolefine)로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 어느 하나 이상을 포함하는 고분자 복합체 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 다공성 고분자 기재의 두께는 1 ㎛ 내지 50 ㎛인 고분자 복합체 제조 방법
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제1항, 제2항, 제4항 내지 제8항 및 제10항 중에서 선택된 어느 한 항의 방법에 의해 제조된 전기화학소자용 고분자 복합체
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