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반도체 공정에서 불량을 분류 및 진단하는 장치 및 방법

  • 기술번호 : KST2019033947
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 반도체 공정에서 센서 데이터를 분류 및 진단하는 장치 및 방법을 개시한다. 본 발명의 일실시예에 따르면 반도체 공정에서 센서 데이터를 분류 및 진단하는 장치는 센서 데이터의 입력층(input layer)에서, 수용 영역(receptive field)을 시간축에서만 순차적으로 이동시키면서 로컬 특징(local feature)들을 수집하는 로컬 특징 수집부; 상기 수집된 로컬 특징(local feature)들로부터 1차원의 특징 맵들을 추출하여 콘볼루션층(convolution layer)을 생성하는 1차원의 특징 맵 추출부; 및 상기 생성된 콘볼루션층(convolution layer)에 기초하여 상기 센서 데이터를 분류하는 데이터 분류부를 포함하고, 상기 수용 영역(receptive field)의 일축은 상기 입력층(input layer)의 변수축에 상응하는 크기를 갖는다.
Int. CL H01L 21/66 (2006.01.01) G01N 21/95 (2006.01.01) H01L 21/67 (2006.01.01)
CPC H01L 22/30(2013.01) H01L 22/30(2013.01) H01L 22/30(2013.01) H01L 22/30(2013.01)
출원번호/일자 1020160161632 (2016.11.30)
출원인 연세대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1802096-0000 (2017.11.21)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20171127) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2016.11.30)
심사청구항수 13

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 연세대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 서대문구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김창욱 대한민국 서울특별시 서대문구
2 이기범 대한민국 서울특별시 서대문구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김연권 대한민국 서울특별시 송파구 법원로 ***, ****/****호(문정동, 문정대명벨리온)(시안특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 연세대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 서대문구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2016.11.30 수리 (Accepted) 1-1-2016-1175647-57
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2017.04.10 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2017.05.12 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-6-2017-0076353-10
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2017.05.23 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0362158-21
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2017.06.28 수리 (Accepted) 1-1-2017-0620670-25
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2017.06.28 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2017-0620647-85
7 등록결정서
Decision to grant
2017.11.17 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0803285-99
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번호 청구항
1 1
센서 데이터의 입력층(input layer)에서, 수용 영역(receptive field)을 시간축에서만 순차적으로 이동시키면서 로컬 특징(local feature)들을 수집하는 로컬 특징 수집부;상기 수집된 로컬 특징(local feature)들로부터 1차원의 특징 맵들을 추출하여 콘볼루션층(convolution layer)을 생성하는 1차원의 특징 맵 추출부; 및상기 생성된 콘볼루션층(convolution layer)에 기초하여 상기 센서 데이터를 분류하는 데이터 분류부; 및상기 분류된 센서 데이터에 기초하여 상기 센서 데이터의 불량을 진단하는 불량 진단부를 포함하고,상기 수용 영역(receptive field)의 일축은 상기 입력층(input layer)의 변수축에 상응하는 크기를 갖는반도체 공정에서 센서 데이터의 불량을 진단하는 장치
2 2
제1 항에 있어서,상기 데이터 분류부는, 상기 1차원의 특징 맵들을 풀링 영역(pooling field)을 이용하여 시간축으로 축소하여 풀링층(pooling layer)을 생성하는반도체 공정에서 센서 데이터의 불량을 진단하는 장치
3 3
제2 항에 있어서,상기 데이터 분류부는, 상기 콘볼루션층(convolution layer)과 상기 풀링층(pooling layer)을 누적하여 전역 특징(global feature)들을 학습하는반도체 공정에서 센서 데이터의 불량을 진단하는 장치
4 4
제1 항에 있어서,상기 1차원의 특징 맵 추출부는, 상기 로컬 특징(local feature)들을 상기 시간축을 따라 1차원 1차원의 특징 맵들로 상기 콘볼루션층(convolution layer)에 추출하는 반도체 공정에서 센서 데이터의 불량을 진단하는 장치
5 5
삭제
6 6
제1 항에 있어서,상기 불량 진단부는, 각 수용 영역(receptive field) 별로 센서 변수의 기여도(Contribution Level of Variable, CLV)를 계산하는반도체 공정에서 센서 데이터의 불량을 진단하는 장치
7 7
제6 항에 있어서,상기 불량 진단부는, 상기 각 수용 영역(receptive field)의 긍정 가중치 평균, 전체 센서 변수의 수, 가중치 분포의 편차, 각 센서 변수 별 긍정 가중치 평균 및 긍정 가중치 평균의 중간값에 기초하여 상기 센서 변수의 기여도(Contribution Level of Variable, CLV)를 계산하고,상기 각 수용 영역의 센서 변수 중 어느 하나 이상의 긍정 가중치 평균이 상기 가중치 분포 상의 양의 축으로 이상치(outlier)을 나타내는 경우, 어느 하나 이상의 센서 변수의 기여도(Contribution Level of Variable, CLV)를 기준값 이상으로 계산하는반도체 공정에서 센서 데이터의 불량을 진단하는 장치
8 8
제6 항에 있어서,상기 불량 진단부는, 정상 학습 데이터에 해당하는 1차원의 특징 맵의 평균과 분산 정보를 활용하여 시간축으로 서로 다른 제1 클래스 및 제2 클래스 각각에 해당하는 정규화된(normalized) 1차원의 특징 맵들을 생성하는반도체 공정에서 센서 데이터의 불량을 진단하는 장치
9 9
제8 항에 있어서,상기 불량 진단부는, 원천(raw) 데이터에 대해 상기 제1 클래스 및 상기 제2 클래스 간에 정규화된(normalized) 1차원의 특징 맵의 패턴이 다르게 형성된 구간을 계산하고, 상기 다르게 형성된 구간에서 센서 변수의 기여도(Contribution Level of Variable, CLV)에 기초하여 불량을 진단하는반도체 공정에서 센서 데이터의 불량을 진단하는 장치
10 10
센서 데이터의 입력층(input layer)에서, 수용 영역(receptive field)을 시간축에서만 순차적으로 이동시키면서 로컬 특징(local feature)들을 수집하는 단계;상기 수집된 로컬 특징(local feature)들로부터 1차원의 특징 맵들을 추출하여 콘볼루션층(convolution layer)을 생성하는 단계;상기 생성된 콘볼루션층(convolution layer)에 기초하여 상기 센서 데이터를 분류하는 단계; 및상기 분류된 센서 데이터에 기초하여 상기 센서 데이터의 불량을 진단하는 단계를 포함하고,상기 수용 영역(receptive field)의 일축은 상기 입력층(input layer)의 변수축에 상응하는 크기를 갖는반도체 공정에서 센서 데이터의 불량을 진단하는 방법
11 11
삭제
12 12
제10 항에 있어서,상기 센서 데이터의 불량을 진단하는 단계는,각 수용 영역(receptive field) 별로 센서 변수의 기여도(Contribution Level of Variable, CLV)를 계산하는 단계를 포함하는반도체 공정에서 센서 데이터의 불량을 진단하는 방법
13 13
제12 항에 있어서,상기 센서 변수의 기여도를 계산하는 단계는,상기 각 수용 영역(receptive field)의 긍정 가중치 평균, 전체 센서 변수의 수, 가중치 분포의 편차, 각 센서 변수 별 긍정 가중치 평균 및 긍정 가중치 평균의 중간값에 기초하여 상기 센서 변수의 기여도(Contribution Level of Variable, CLV)를 계산하는 단계; 및상기 각 수용 영역의 센서 변수 중 어느 하나 이상의 긍정 가중치 평균이 상기 가중치 분포 상의 양의 축으로 이상치(outlier)을 나타내는 경우, 어느 하나 이상의 센서 변수의 기여도(Contribution Level of Variable, CLV)를 기준값 이상으로 계산하는 단계를 포함하는반도체 공정에서 센서 데이터의 불량을 진단하는 방법
14 14
제12 항에 있어서,상기 센서 데이터의 불량을 진단하는 단계는,정상 학습 데이터에 해당하는 1차원의 특징 맵의 평균과 분산 정보를 활용하여 시간축으로 서로 다른 제1 클래스 및 제2 클래스 각각에 해당하는 정규화된(normalized) 1차원의 특징 맵들을 생성하는 단계를 포함하는반도체 공정에서 센서 데이터의 불량을 진단하는 방법
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제14 항에 있어서,상기 센서 데이터의 불량을 진단하는 단계는,원천(raw) 데이터에 대해 상기 제1 클래스 및 상기 제2 클래스 간에 정규화된(normalized) 1차원의 특징 맵의 패턴이 다르게 형성된 구간을 계산하고, 상기 다르게 형성된 구간에서 센서 변수의 기여도(Contribution Level of Variable, CLV)에 기초하여 불량을 진단하는 단계를 포함하는반도체 공정에서 센서 데이터의 불량을 진단하는 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.