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질소, 인, 및 붕소 중 1 종 이상이 도핑된 그래핀을 포함하되,상기 질소, 인, 및 붕소 중 1 종 이상은 그래핀의 카르보닐기, 에테르기 및 에폭시기로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나 이상의 관능기와 결합되어 도핑되고,BET 비표면적이 500 내지 3,000m2/g의 범위 내에 있고,하기 수학식 1을 만족하는 3차원 그래핀 구조체:[수학식 1]0
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제 1 항에 있어서, 3차원 그래핀 구조체 전체 100 중량부를 기준으로 도핑된 질소, 인, 및 붕소 중 1 종 이상의 함량은 0
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제 1 항에 있어서, 하기 수학식 2를 만족하는 3차원 그래핀 구조체:[수학식 2]ID/IG ≤ 1
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제 1 항에 있어서,질소, 인, 및 붕소 중 1 종 이상은 그래피틱 센터(graphitic center), 피리디닉(Pyridinic) 및 피롤릭(Pyrrolic)로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나 이상의 부위에 도핑되어 있는 3차원 그래핀 구조체
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제 5 항에 있어서,질소, 인, 및 붕소 중 1 종 이상은 그래피틱 센터(graphitic center) 부위에 10 내지 80%의 범위 내로 도핑되어 있는 3차원 그래핀 구조체
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삭제
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제 1 항에 따른 3차원 그래핀 구조체를 포함하는 에너지 저장장치용 전극 소재
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제 8 항에 있어서, 탭 밀도는 0
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그래핀 옥사이드 및 상기 그래핀 옥사이드 100 중량부 대비 200 내지 1,000 중량부의 질소, 인, 및 붕소 중 1 종 이상을 함유하는 화합물을 포함하는 혼합물을 분무하여, 3차원 그래핀 구조체를 형성하는 단계; 및상기 3차원 그래핀 구조체를 환원시키는 단계를 포함하며,제조된 3차원 그래핀 구조체는 상기 질소, 인, 및 붕소 중 1 종 이상을 함유하는 화합물로부터 유도되는 질소, 인, 및 붕소 중 1 종 이상의 도핑을 포함하고, 상기 질소, 인, 및 붕소 중 1 종 이상은 그래핀의 카르보닐기, 에테르기 및 에폭시기로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나 이상의 관능기와 결합되어 도핑되는 3차원 그래핀 구조체의 제조방법
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삭제
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제 10 항에 있어서,환원시키는 단계는 열적 환원법, 유기용매를 이용하고 가열을 통한 환원법, 수소 플라즈마에 의한 환원법, 마이크로파 인가에 의한 환원법, 환원제에 의한 환원법, 광촉매 환원법, 전기화학적 환원법 및 플래쉬 컨버전법으로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나 이상의 방법을 이용하는 3차원 그래핀 구조체의 제조방법
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제 10 항에 있어서,상기 3차원 그래핀 구조체를 환원시키는 단계 이후에,환원된 3차원 그래핀 구조체를 활성화시키는 단계를 포함하는 3차원 그래핀 구조체의 제조방법
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14
제 13 항에 있어서,활성화시키는 단계는 KOH, NaOH, LiOH, H3PO4 및 증기 중 1 종 이상의 활성화제를 이용하여 수행되는 3차원 그래핀 구조체의 제조방법
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제 14 항에 있어서,활성화시키는 단계는 환원된 3차원 그래핀 구조체와 활성화제의 중량 비율을 1:2 내지 1:15의 범위 내로 조절하여 수행되는 3차원 그래핀 구조체의 제조방법
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