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(a) 실리콘(Si) 기판 상에 실리카(SiO2)층, 알루미나(Al2O3) 절연층이 순차적으로 적층된 형태인 Al2O3/SiO2/Si 기판을 준비하는 단계;(b) 상기 기판의 알루미나(Al2O3) 절연층 상에 소스/드레인 전극을 형성하는 단계;(c) 상기 기판의 채널영역과 상기 소스/드레인 전극 상에 전이금속 칼코게나이드(transition metal dichalcogenides)을 포함하는 채널층을 형성하는 단계; 및(d) 상기 채널층 상에 원자층 증착(atomic layer deposition)에 따라 알루미나(Al2O3) 절연층을 형성하여 상기 채널층을 도핑하는 단계;를 포함하고,상기 도핑에 의하여 상기 채널영역이 전자도핑되고, 상기 소스/드레인 전극과 채널층의 접촉부가 전자도핑되는, 트랜지스터의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 전이금속 칼코게나이드는 이황화 몰리브덴(MoS2), 몰리브덴 디셀레나이드(MoSe2), 몰리브덴 텔루라이드(MoTe2), 텅스텐 디셀레나이드(WSe2) 및 틴 셀레나이드(SnSe2) 중에서 선택된 어느 하나인 것을 특징으로 하는 트랜지스터의 제조방법
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제2항에 있어서,상기 채널층은 단일층, 이중층 및 다층 중에서 선택된 어느 하나인 것을 특징으로 하는 트랜지스터의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 소스/드레인 전극은 Au, Cr, Pt, Al, Ag, Ni, 및 Cu 중에서 선택된 1종 이상인 것을 특징으로 하는 트랜지스터의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 소스/드레인 전극은 포토리소그래피 공정에 의하여 형성되는 것을 특징으로 하는 트랜지스터의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 전이금속 칼코게나이드는 단일층 또는 다층 구조인 것을 특징으로 하는 트랜지스터의 제조방법
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제1항에 있어서,단계 (d)의 상기 원자층 증착은 열적 원자층 증착(Thermal ALD), 플라즈마 향상 원자층 증착(Plasma-enhanced ALD), 및 라디칼 향상 원자층 증착(Radical-enhanced ALD) 중에서 선택된 어느 하나에 의해 수행되는 것을 특징으로 하는 트랜지스터의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 트랜지스터는 탑 게이트형 또는 바텀 게이트형인 것을 특징으로 하는 트랜지스터의 제조방법
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제1항에 있어서,(e) 단계 (d)에서 형성된 절연층상에 게이트 전극과 패시베이션층을 순차적으로 형성하는 단계;를 추가로 수행하는 것을 특징으로 하는 트랜지스터의 제조방법
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제1항 내지 제3항, 제6항 내지 제8항, 제10항, 제11항 및 제15항 중에서 선택된 어느 한 항의 제조방법에 따라 제조된 트랜지스터
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제16항에 따른 트랜지스터를 포함하는 전자소자
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