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식각된 깊이만큼의 높이(h)를 갖는 내벽 및 너비(D)를 갖는 개구를 포함하는 복수의 딤플들이 서로 이격 배치된 표면을 갖는 실리콘 함유 구조체들; 및상기 실리콘 함유 구조체들의 표면을 둘러싸며, 상기 실리콘 함유 구조체들의 내부에서 발생하는 충·방전에 따른 부피 변화에 따른 응력을 완화시키도록 상기 복수의 딤플들의 상기 개구를 통해 상기 복수의 딤플들의 깊이 방향의 상기 내벽 상에 형성되어 상기 복수의 딤플들의 적어도 일부를 채우는 실리콘 산화물층을 포함하는 실리콘계 활물질
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제 1 항에 있어서, 상기 실리콘 함유 구조체들은 비정질 구조를 갖는 실리콘계 활물질
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제 1 항에 있어서,상기 실리콘 함유 구조체들은 일차 입자 또는 이차 입자를 포함하는 실리콘계 활물질
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제 3 항에 있어서,상기 실리콘 함유 구조체들의 상기 일차 입자의 평균 직경은 10 nm 내지 1 ㎛의 범위 내인 실리콘계 활물질
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제 1 항에 있어서, 상기 복수의 딤플들의 상기 내벽에 의해 정의되는 내부 공간은 상기 실리콘 산화물층에 의해 완전히 채워지는 실리콘계 활물질
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제 1 항에 있어서, 상기 복수의 딤플들의 상기 내벽에 의해 정의되는 내부 공간은 상기 실리콘 산화물층에 의해 부분적으로 채워지고, 상기 내부 공간 내에 상기 실리콘 산화물층에 의한 보이드 또는 핀홀이 형성된 실리콘계 활물질
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제 1 항에 있어서,상기 실리콘 산화물층의 평균 두께는 2 nm 내지 40 nm의 범위 내인 실리콘계 활물질
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제 1 항에 있어서,상기 실리콘 산화물층 상에 탄소계 도전층을 더 포함하는 실리콘계 활물질
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실리콘 함유 구조체들을 제공하는 단계;상기 실리콘 함유 구조체들의 각 표면 상에 이산적으로 금속 촉매 섬 구조체들을 형성하는 단계;상기 금속 촉매 섬 구조체들에 의해 식각 선택성을 갖는 식각액에 의해 상기 금속 촉매 섬 구조체들 하지의 상기 실리콘 함유 구조체들의 부분을 깊이 방향으로 제거함으로써, 상기 실리콘 함유 구조체들의 각 표면에 식각된 깊이만큼의 높이(h)를 갖는 내벽 및 너비(D)를 갖는 개구를 포함하는 복수의 딤플들을 서로 이격 형성하는 단계; 및습식 화학적 산화 방법에 의해 상기 실리콘 함유 구조체들의 표면 및 상기 복수의 딤플들의 상기 내벽을 산화시켜 상기 실리콘 함유 구조체들의 표면 상에 제 1 실리콘 산화물층을 형성하면서 상기 실리콘 함유 구조체들의 내부에서 발생하는 충·방전에 따른 부피 변화에 따른 응력을 완화시키도록 상기 복수의 딤플들의 깊이 방향의 상기 내벽에 제 2 실리콘 산화물층을 형성하는 단계를 포함하는 실리콘계 활물질의 제조 방법
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제 9 항에 있어서, 상기 복수의 딤플들의 상기 내벽에 다공성 표면을 형성하기 위한 다공질화 단계를 더 포함하는 실리콘계 활물질의 제조 방법
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제 9 항에 있어서, 상기 실리콘 함유 구조체들의 각 표면 상에 상기 금속 촉매 섬 구조체들을 형성하는 단계는, 디핑법(dipping method), 인쇄법(printing method), 기상증착법(vapor deposition method), 분산법(dispersion method) 중 하나 또는 이들의 조합에 의해 수행되는 실리콘계 활물질의 제조 방법
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제 9 항에 있어서, 상기 실리콘 함유 구조체들의 각 표면 상에 상기 금속 촉매 섬 구조체들을 형성하는 단계는, 상기 실리콘 함유 구조체들의 표면 상에, 상기 실리콘 함유 구조체들의 표면 상에서 서로 이격되어 상기 금속 촉매 섬 구조체들의 형성될 촉매 사이트를 한정하는 희생 물질층을 형성하는 단계;상기 촉매 사이트 및 상기 희생 물질층 상에 금속 촉매 박막을 형성하는 단계; 및상기 희생 물질층을 제거하여 상기 촉매 사이트의 상기 금속 촉매 박막의 일부를 잔류시켜 상기 금속 촉매 섬 구조체를 형성 단계를 포함하는 실리콘계 활물질의 제조 방법
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제 12 항에 있어서,상기 희생 물질층을 형성하는 단계는, 상기 실리콘 함유 구조체들의 표면 상에 제 1 직경을 갖는 제 1 구형 고분자 입자들을 코팅하는 단계;산소(O2) 플라즈마를 이용하여 상기 구형 고분자 입자를 식각하여 제 1 직경보다 작은 제 2 직경을 갖는 제 2 구형 고분자 입자들을 형성하는 단계를 포함하며, 인접하는 상기 제 2 구형 고분자 입자들 사이에 상기 촉매 사이트가 한정되는 실리콘계 활물질의 제조 방법
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제 9 항에 있어서,상기 금속 촉매 섬 구조체들은 금(Au), 은(Ag), 백금(Pt) 및 팔라듐(Pd) 중 적어도 어느 하나를 포함하는 실리콘계 활물질의 제조 방법
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제 9 항에 있어서, 상기 금속 촉매 섬 구조체들의 평균 입경는 3 nm 내지 90 nm의 범위를 가지는 금속 촉매 섬 구조체를 포함하는 실리콘계 활물질의 제조 방법
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제 9 항에 있어서, 상기 식각액은, 과산화수소(H2O2), 불산(HF) 또는 이들의 조합을 포함하는 실리콘계 활물질의 제조 방법
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제 9 항에 있어서, 상기 습식 화학적 산화 방법은 상기 실리콘 함유 구조체들을 과산화수소(H2O2), 질산은(AgNO3) 수용액 또는 이의 혼합물에 노출시키는 단계를 포함하는 실리콘계 활물질의 제조 방법
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