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교류 전류가 인가되는 RF 필터에 있어서,RF Input 전극과 RF Output 전극이 형성된 유전체 소재의 기판;상기 기판 상에 그래핀(Graphene)이 패터닝(Patterning)된 그래핀 기반의 스트립라인(stripline); 및상기 스트립라인과 상기 기판 사이에 배치되어, 상기 스트립라인이 프리스탠딩(Quasi-free standing)상태를 유지하도록 하는 제1 봉지부;를 포함하는 RF 필터
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제 1항에 있어서,상기 스트립라인은 RF Input 전극과 RF Output 전극을 잇는 수평 스트립라인과 상기 수평 스트립라인과 직교하는 수직 스트립라인이 교대로 배치되며 커플링(Coupling)되고,상기 수직 스트립라인의 폭이 상기 수평 스트립라인의 폭보다 넓게 패터닝됨으로써,상기 수평 스트립라인은 인덕턴스(Inductance) 역할을, 상기 수직 스트립라인은 커패시턴스(Capacitance) 역할을 할 수 있는 것을 특징으로 하는 RF 필터
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제 2항에 있어서,상기 수직 스트립라인의 양 끝단에 그라운드(Ground) 전극이 배치되어, 외부 신호 간섭을 최소화할 수 있는 것을 특징으로 하는 RF 필터
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제 2항에 있어서,상기 수직 스트립라인과 상기 수평 스트립라인이 폭(Width)을 조절함으로써, 필터의 공진 주파수를 조절할 수 있는 것을 특징으로 RF 필터
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제 1항에 있어서,상기 스트립라인이 상단에 배치되는 제2 봉지부를 더 포함하고,상기 제2 봉지부는 상기 스트립라인을 형성하는 그래핀이 공기와 접촉하여 산화되는 것을 방지할 수 있는 것을 특징으로 하는 RF 필터
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제 5항에 있어서,상기 제1 봉지부와 상기 제2 봉지부는 보론 나이트라이드(h-BN)로 형성된 것을 특징으로 하는 RF 필터
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(a) 유전체 소재의 기판 상에 RF Input 전극, RF Output 전극을 배치하는 전극 배치 단계;(b) 상기 기판 상에 RF Input 전극과 RF Output 전극을 잇는 수평 스트립라인과 수평 스트립라인과 직교하는 수직 스트립라인이 교대로 배치되어 커플링될 수 있도록, 그래핀을 기판 상에 패터닝(Patterning)하는 패터닝 단계를 포함하며,상기 (b) 패터닝 단계에서 수직 스트립 라인의 폭이 수평 스트립라인의 폭보다 넓게 패터닝하는 것을 특징으로 하는 RF 필터 제조 방법
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제 7항에 있어서,상기 (b) 패터닝 단계는 CVD(Chemical vapor deposition) 기법을 활용하여, 기판 상에 그래핀을 형성하고,상기 스트립라인 주변 영역을 산소 플라즈마 에칭(Oxygen plasma ethching)함으로써, 기 설계된 그래핀 기반의 스트립 라인을 형성할 수 있는 것을 특징으로 하는 RF 필터 제조 방법
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제 7항 또는 제 8항에 있어서,(c) 상기 스트립라인의 상단과 하단에 보론 나이트라이드(h-BN)로 형성된 제1 봉지부와 제2 봉지부를 형성하는 인캡슐레이션(Encapsulation) 단계를 더 포함하고,상기 제1 봉지부는 스트립라인과 기판 사이에 배치되며, 상기 제2 봉지부는 스트립라인의 상단에 배치되는 것을 특징으로 하는 RF 필터 제조 방법
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