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투명 전극의 제조 방법

  • 기술번호 : KST2019034097
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 투명 전극의 제조 방법은 그래핀을 포함하는 제1 도전층을 준비하는 단계, 및 제1 도전층 상에 금속 나노와이어를 포함하는 제2 도전층을 배치하는 단계를 포함하고, 제2 도전층을 배치하는 단계는 제1 도전층 상에 금속 나노와이어를 도포하여 예비 코팅층을 형성하는 단계, 및 예비 코팅층에 압력 및 광(light)을 동시에 가하여 금속 나노와이어를 용접하는 단계를 포함한다.
Int. CL H01B 13/00 (2006.01.01) H01B 7/06 (2006.01.01) H01B 13/30 (2006.01.01)
CPC H01B 13/0026(2013.01) H01B 13/0026(2013.01) H01B 13/0026(2013.01) H01B 13/0026(2013.01) H01B 13/0026(2013.01) H01B 13/0026(2013.01)
출원번호/일자 1020170086680 (2017.07.07)
출원인 삼성디스플레이 주식회사, 연세대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2019-0006147 (2019.01.17) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 공개
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2020.07.01)
심사청구항수 16

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 삼성디스플레이 주식회사 대한민국 경기 용인시 기흥구
2 연세대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 서대문구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 최진환 대한민국 서울특별시 강남구
2 김태웅 대한민국 경기도 성남시 분당구
3 안종현 대한민국 서울시 강남구
4 최민우 대한민국 서울시 서대문구
5 신희창 대한민국 경기도 고양시 덕양구
6 이재복 대한민국 서울시 강남구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인 고려 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 *길 ** *층(역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2017.07.07 수리 (Accepted) 1-1-2017-0653911-07
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.01.24 수리 (Accepted) 4-1-2019-5016605-77
3 [심사청구]심사청구서·우선심사신청서
2020.07.01 수리 (Accepted) 1-1-2020-0682015-75
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
그래핀을 포함하는 제1 도전층을 준비하는 단계; 및상기 제1 도전층 상에 금속 나노와이어를 포함하는 제2 도전층을 배치하는 단계를 포함하고,상기 제2 도전층을 배치하는 단계는상기 제1 도전층 상에 금속 나노와이어를 도포하여 예비 코팅층을 형성하는 단계; 및상기 예비 코팅층에 압력 및 광(light)을 동시에 가하여 상기 금속 나노와이어를 용접하는 단계를 포함하는 것인 투명 전극의 제조 방법
2 2
제1항에 있어서,상기 금속 나노와이어를 용접하는 단계는광원이 내부에 배치되어 있는 제1 투명 롤러를 이용하여 수행되는 것인 투명 전극의 제조 방법
3 3
제2항에 있어서,상기 금속 나노와이어를 용접하는 단계는상기 제1 투명 롤러를 커버하는 차광막을 배치한 후 수행되는 것인 투명 전극의 제조 방법
4 4
제1항에 있어서,상기 금속 나노와이어를 용접하는 단계는상기 금속 나노와이어 상호 간의 접합 부분이 융착되는 단계인 것인 투명 전극의 제조 방법
5 5
제1항에 있어서,상기 제1 도전층을 준비하는 단계는제1 롤러에 감겨 있는 상기 제1 도전층이 풀려 나오는 단계를 포함하는 것인 투명 전극의 제조 방법
6 6
제1항에 있어서,상기 제2 도전층을 배치하는 단계 이후에상기 제2 도전층이 배치된 상기 제1 도전층이 제2 롤러에 감겨지는 단계를 더 포함하는 것인 투명 전극의 제조 방법
7 7
제1항에 있어서,상기 제1 도전층을 준비하는 단계는베이스 기판 상에 상기 제1 도전층을 배치하는 단계를 포함하고,상기 제1 도전층을 배치하는 단계는제1 롤러에 감겨 있는 상기 제1 도전층이 풀려 나오는 제1 단계; 및제3 롤러에 감겨 있는 베이스 기판이 풀려 나오는 제2 단계를 포함하며,상기 제1 단계 및 상기 제2 단계는 동시에 수행되는 것인 투명 전극의 제조 방법
8 8
제1항에 있어서,상기 제1 도전층은 다층 구조를 갖는 것인 투명 전극의 제조 방법
9 9
제1항에 있어서,상기 제2 도전층 상에 그래핀을 포함하는 제3 도전층을 배치하는 단계를 더 포함하는 것인 투명 전극의 제조 방법
10 10
제9항에 있어서,상기 제3 도전층을 배치하는 단계는제4 롤러에 감겨 있는 상기 제3 도전층이 풀려 나오는 단계를 포함하는 것인 투명 전극의 제조 방법
11 11
제9항에 있어서,상기 제3 도전층은 다층 구조를 갖는 것인 투명 전극의 제조 방법
12 12
제1항에 있어서,상기 예비 코팅층을 용액조(chemical bath)에 침지시켜 상기 금속 나노와이어를 화학적 용접(chemical welding)하는 단계를 더 포함하는 것인 투명 전극의 제조 방법
13 13
제12항에 있어서,상기 용액조는 NaCl, NaBr, NaI, KCl, FeCl2, AlCl3, MgCl2, CaCl2, NH4F, 또는 이들의 조합을 포함하는 것인 투명 전극의 제조 방법
14 14
제12항에 있어서,상기 용액조는 극성 용매를 포함하는 것인 투명 전극의 제조 방법
15 15
제12항에 있어서,상기 금속 나노와이어를 화학적 용접하는 단계 이후에상기 예비 코팅층을 수조에 침지시켜 세척하는 단계를 더 포함하는 것인 투명 전극의 제조 방법
16 16
제1항에 있어서,상기 금속 나노와이어는 은 나노와이어인 것인 투명 전극의 제조 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.