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표면 코팅된 리튬 이차 전지용 음극활물질, 이의 제조방법 및 이를 포함하는 리튬 이차 전지

  • 기술번호 : KST2019034122
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 표면 코팅된 리튬 이차 전지용 음극활물질, 이의 제조방법 및 이를 포함하는 리튬 이차 전지에 관한 것이다.본 발명의 일 실시예의 음극활물질에 따르면, 리튬티탄산화물(LTO)표면에 실리콘 산화물층이 코팅됨으로써, 상기 실리콘 산화물층은 리튬티탄산화물(LTO) 표면에서 발생하는 부반응을 억제시키는 부동태 막(passivation film) 역할을 할 수 있다. 특히, 이에 따라 기타 부반응 억제 및 구조적 안정성 향상을 통해 음극 특성을 개선시킬 수 있는 효과가 있다.아울러, 리튬티탄산화물(LTO) 표면에 티타늄 산화물층이 코팅됨으로써, 종래의 리튬티탄산화물 대비 높은 전기전도도 및 용량특성을 갖는 음극활물질을 제공할 수 있다.
Int. CL H01M 4/36 (2006.01.01) H01M 4/485 (2010.01.01) H01M 4/62 (2006.01.01) H01M 10/0525 (2010.01.01) C01G 23/00 (2006.01.01) C01G 23/04 (2006.01.01) C01B 33/113 (2006.01.01)
CPC H01M 4/366(2013.01) H01M 4/366(2013.01) H01M 4/366(2013.01) H01M 4/366(2013.01) H01M 4/366(2013.01) H01M 4/366(2013.01) H01M 4/366(2013.01) H01M 4/366(2013.01) H01M 4/366(2013.01)
출원번호/일자 1020170117717 (2017.09.14)
출원인 연세대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1902467-0000 (2018.09.19)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20180928) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2017.09.14)
심사청구항수 14

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 연세대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 서대문구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김광범 대한민국 서울특별시 용산구
2 정준희 대한민국 서울특별시 서초구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인다나 대한민국 서울특별시 강남구 역삼로 *길 **, 신관 *층~*층, **층(역삼동, 광성빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 연세대학교 산학협력단 서울특별시 서대문구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2017.09.14 수리 (Accepted) 1-1-2017-0893737-10
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2018.02.06 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2018.04.09 수리 (Accepted) 9-1-2018-0014827-92
4 등록결정서
Decision to grant		 2018.09.13 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0625549-51
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
리튬티탄산화물 입자; 및리튬티탄산화물 입자 표면을 둘러싸는 산화물층; 을 포함하며,상기 산화물층은 티타늄 산화물층 및 실리콘 산화물층이 순차적으로 적층되어 있는 것을 특징으로 하는 리튬 이차 전지용 음극활물질
2 2
제1항에 있어서,리튬티탄산화물은0
3 3
제1항에 있어서,리튬티탄산화물 입자의 평균 입경은 50 내지 100nm범위인 것을 특징으로 하는 리튬 이차 전지용 음극활물질
4 4
제1항에 있어서,티타늄 산화물층의 두께는 평균 1 내지 50nm 인 것을 특징으로 하는 리튬 이차 전지용 음극활물질
5 5
제1항에 있어서,실리콘 산화물층의 두께는 평균 0
6 6
제1항에 있어서,음극활물질 전체 100중량부를 기준으로,상기 음극활물질에 포함되는 티타늄 산화물은 5 내지 95 중량부인 리튬 이차 전지용 음극활물질
7 7
제1항에 있어서,음극활물질 전체 100중량부를 기준으로,상기 음극활물질에 포함되는 실리콘 산화물은 1 내지 3 중량부인 리튬 이차 전지용 음극활물질
8 8
제1항에 있어서,리튬 이차 전지용 음극활물질은5000사이클 후의 용량 유지율(capacity retention)이 70 내지 120% 범위인 것을 특징으로 하는 리튬 이차 전지용 음극활물질
9 9
리튬티탄산화물 입자 및 실리콘 전구체 화합물을 용매에 도입하여 반응시켜, 상기 리튬티탄산화물 입자에 실리콘 전구체 화합물층이 코팅된 중간 생성물을 제조하는 단계; 및상기 중간 생성물을 열처리하여, 리튬티탄산화물 입자 표면에 티타늄 산화물층과 실리콘 산화물층이 순차적으로 형성된 음극활물질을 제조하는 단계; 를 포함하는 음극활물질 제조방법
10 10
제9항에 있어서,상기 중간 생성물에 열처리하여,리튬티탄산화물 입자와 실리콘 전구체 화합물층 사이의 접합면에 상기 리튬티탄산화물의 상변화에 의해서, 티타늄 산화물층이 형성되는 것을 특징으로 하는 음극활물질 제조방법
11 11
제9항에 있어서,실리콘 전구체 화합물은 Triethoxysilane, Triimetoxysilane, Triethoxymethlsilane 및 Trichlorosilane으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상인 음극활물질 제조방법
12 12
제9항에 있어서,중간 생성물을 200 내지 600℃의 온도에서 열처리하는 것을 특징으로 하는 음극활물질 제조방법
13 13
제9항에 있어서,용매에 투입되는 실리콘 전구체 화합물은리튬티탄산화물 입자 100중량부 대비 10 내지 30 중량부인 것을 특징으로 하는 음극활물질 제조방법
14 14
양극;음극; 및상기 음극은 제1항에 따른 음극활물질을 포함하는 것인 리튬 이차 전지
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패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.