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커런트 미러 기반의 레벨 시프트 장치 그리고, 그 동작 방법

  • 기술번호 : KST2019034180
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 레벨 시프트 장치 및 그 동작 방법을 개시한다. 본 발명의 일 실시예에 따른 레벨 시프트 장치는 입력신호를 수신하여 상기 입력신호의 레벨을 시프팅한 출력신호를 출력하는 시프터부와, 상기 출력신호를 반전하여 피드백신호를 생성하는 피드백신호 생성부와, 상기 피드백신호의 제어에 따라 상기 시프터부의 정적 경로(static path)를 차단하는 NMOS 스위치부와, 상기 피드백신호의 제어에 따라 상기 출력신호의 레벨을 유지하는 유지부를 포함한다.
Int. CL H03K 3/356 (2006.01.01) H03K 3/012 (2006.01.01)
CPC H03K 3/356165(2013.01) H03K 3/356165(2013.01)
출원번호/일자 1020180048448 (2018.04.26)
출원인 연세대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2019-0124456 (2019.11.05) 문서열기
공고번호/일자 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2018.04.26)
심사청구항수 8

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 연세대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 서대문구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 정성욱 서울특별시 서대문구
2 김기룡 서울특별시 서대문구
3 김지영 서울특별시 서대문구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김연권 대한민국 서울특별시 송파구 법원로 ***, ****/****호(문정동, 문정대명벨리온)(시안특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 연세대학교 산학협력단 서울특별시 서대문구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2018.04.26 수리 (Accepted) 1-1-2018-0415535-51
2 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2019.03.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2019-0220186-83
3 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2019.05.21 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2019-0519124-40
4 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2019.05.21 수리 (Accepted) 1-1-2019-0519113-48
5 최후의견제출통지서
Notification of reason for final refusal
2019.08.12 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2019-0579309-21
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2019.09.25 수리 (Accepted) 1-1-2019-0981474-74
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2019.09.25 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2019-0981491-40
8 등록결정서
Decision to grant
2020.01.15 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2020-0036536-67
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
입력신호를 수신하여 상기 입력신호의 레벨을 시프팅한 출력신호를 출력하는 시프터부;상기 출력신호를 반전하여 피드백신호를 생성하는 피드백신호 생성부;상기 피드백신호의 제어에 따라 상기 시프터부를 통해 형성되는 정적 경로(static path)를 차단하는 NMOS 스위치부; 및상기 피드백신호의 제어에 따라 상기 출력신호의 레벨을 유지하는 유지부를 포함하고, 상기 시프터부는,상기 입력신호를 게이트를 통해 수신하고, 상기 NMOS 스위치부에 구비된 제5 NMOS의 소스에 드레인이 연결되는 제1 NMOS;상기 제1 NMOS의 게이트에 일단이 연결되는 인버터;상기 인버터의 타단이 게이트에 연결되고, 상기 제1 NMOS의 소스에 소스가 연결되는 제2 NMOS;상기 NMOS 스위치부에 구비된 제5 NMOS의 드레인에 게이트 및 드레인이 연결되고, 전원전압에 소스가 연결되는 제1 PMOS; 및상기 제1 PMOS의 게이트에 게이트가 연결되고, 상기 제2 NMOS의 드레인에 드레인이 연결되며, 소스에 상기 전원전압이 연결되는 제2 PMOS를 포함하며, 상기 피드백신호 생성부는,상기 제2 NMOS의 드레인에 게이트가 연결되는 제3 NMOS;상기 입력신호를 게이트를 통해 수신하고, 상기 제3 NMOS의 소스에 드레인이 연결되며, 상기 제1 NMOS의 소스에 소스가 연결되는 제4 NMOS; 및상기 제3 NMOS의 드레인에 드레인이 연결되고, 상기 제3 NMOS의 게이트에 게이트가 연결되며, 소스에 상기 전원전압이 연결되는 제3 PMOS를 포함하는레벨 시프트 장치
2 2
삭제
3 3
삭제
4 4
제1항에 있어서,상기 유지부는,상기 제3 NMOS의 드레인에 게이트가 연결되고, 상기 제2 NMOS의 드레인에 드레인이 연결되는 제4 PMOS; 및상기 제3 NMOS의 드레인에 게이트가 연결되고, 상기 제4 PMOS의 소스에 드레인이 연결되며, 소스에 상기 전원전압이 연결되는 제5 PMOS를 포함하는레벨 시프트 장치
5 5
제4항에 있어서,상기 NMOS 스위치부는,상기 출력 신호가 로우(low) 레벨에서 하이(high) 레벨로 변화하는 라이징 동작 시, 상기 피드백신호 생성부로부터 출력되는 상기 피드백신호에 의해 턴 오프 되어 상기 전원전압으로부터 상기 제1 PMOS 및 상기 제1 NMOS를 통해 흐르는 정적전류를 차단시키는레벨 시프트 장치
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제4항에 있어서,상기 유지부는,상기 출력 신호가 로우(low) 레벨에서 하이(high) 레벨로 변화하는 라이징 동작 시, 상기 피드백신호 생성부로부터 출력되는 상기 피드백신호에 의해 턴 온 되어 상기 전원전압으로부터 상기 제5 PMOS 및 상기 제4 PMOS로 구성되는 전류 경로를 형성하는레벨 시프트 장치
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제4항에 있어서,상기 제2 NMOS는,상기 출력 신호가 하이(high) 레벨에서 로우(low) 레벨로 변화하는 폴링 동작 시, 턴 온 되어 상기 제2 PMOS의 드레인에 연결되는 출력 단을 방전시키는레벨 시프트 장치
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시프터부에서, 입력신호를 수신하여 상기 입력신호의 레벨을 시프팅한 출력신호를 출력하는 단계;피드백신호 생성부에서, 상기 출력신호를 반전하여 피드백신호를 생성하는 단계;NMOS 스위치부에서, 상기 피드백신호의 제어에 따라 상기 시프터부를 통해 형성되는 정적 경로(static path)를 차단하는 단계; 및유지부에서, 상기 피드백신호의 제어에 따라 상기 출력신호의 레벨을 유지하는 단계를 포함하고,상기 시프터부는,상기 입력신호를 게이트를 통해 수신하고, 상기 NMOS 스위치부에 구비된 제5 NMOS의 소스에 드레인이 연결되는 제1 NMOS;상기 제1 NMOS의 게이트에 일단이 연결되는 인버터;상기 인버터의 타단이 게이트에 연결되고, 상기 제1 NMOS의 소스에 소스가 연결되는 제2 NMOS;상기 NMOS 스위치부에 구비된 제5 NMOS의 드레인에 게이트 및 드레인이 연결되고, 전원전압에 소스가 연결되는 제1 PMOS; 및상기 제1 PMOS의 게이트에 게이트가 연결되고, 상기 제2 NMOS의 드레인에 드레인이 연결되며, 소스에 상기 전원전압이 연결되는 제2 PMOS를 포함하며, 상기 피드백신호 생성부는,상기 제2 NMOS의 드레인에 게이트가 연결되는 제3 NMOS;상기 입력신호를 게이트를 통해 수신하고, 상기 제3 NMOS의 소스에 드레인이 연결되며, 상기 제1 NMOS의 소스에 소스가 연결되는 제4 NMOS; 및상기 제3 NMOS의 드레인에 드레인이 연결되고, 상기 제3 NMOS의 게이트에 게이트가 연결되며, 소스에 상기 전원전압이 연결되는 제3 PMOS를 포함하는레벨 시프트 장치의 동작 방법
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제8항에 있어서,상기 정적 경로를 차단하는 단계는,상기 피드백신호를 게이트의 입력으로 수신하는 상기 제5 NMOS가 상기 피드백신호에 의해 턴 오프 되어, 상기 시프터부의 정적 경로를 차단하는레벨 시프트 장치의 동작 방법
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제8항에 있어서,상기 출력신호의 레벨을 유지하는 단계는,상기 유지부가 상기 피드백신호에 의해 턴 온 되어, 상기 출력신호의 레벨을 유지하는레벨 시프트 장치의 동작 방법
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 산업통상자원부 연세대학교 산학협력단 산업기술혁신사업 [RCMS]이기종 시스템 아키텍처 통합형 메모리 시스템 최적화 기술개발(1/3,1단계)