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(1) K 분말 또는 Na 분말, Ga 분말 및 As 분말을 포함하는 혼합물을 열처리한 후 냉각하여 공간군(space group)이 P21/c인 단사정계(monoclinic) 결정구조를 갖고 화학식 K2Ga2As3 또는 Na2Ga2As3로 표시되는 층상형 화합물을 수득하는 단계; 및(2) 상기 층상형 화합물에 포함된 K 이온 또는 Na 이온을 선택적으로 제거할 수 있는 염 및 상기 염을 용해시킬 수 있는 용매를 포함하는 혼합용액으로 상기 층상형 화합물을 처리하여 비정질 결정 구조의 층상형 GaAs를 제조하는 단계;를 포함하는 층상형 GaAs의 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 염은 하기 화학식 1로 표시되는 층상형 GaAs의 제조 방법:003c#화학식 1003e#MXa(2≤a≤3)상기 화학식 1에서 M은 Al, Mg, Zn, Ga 및 Mn 중에서 선택된 어느 하나, X는 Cl, Br 및 I 중에서 선택된 어느 하나다
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제1항에 있어서,상기 용매는 물, 에탄올, 환상 카보네이트계 용매, 쇄상 카보네이트계 용매, 에스테르계 용매, 에테르계 용매, 니트릴계 용매 및 아미드계 용매 중에서 선택된 적어도 어느 하나를 포함하는 층상형 GaAs의 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 (1)단계의 열처리는 650~800℃에서 6~24시간 동안 수행되는 층상형 GaAs의 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 (1)단계의 냉각은 0
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