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(1) Ca 전구체 또는 Ca 분말, Al 전구체 또는 Al 분말, 및 N 전구체를 포함하는 혼합물을 열처리한 후 냉각하여 공간군(space group)이 C2/2 또는 P2/c인 단사정계(monoclinic) 결정구조를 갖는 화학식 Ca3Al2N4로 표시되는 층상형 화합물을 수득하는 단계; 및(2) 상기 층상형 화합물의 결정구조 변화 없이 상기 층상형 화합물에 포함된 Ca 이온을 선택적으로 제거할 수 있는 염 및 상기 염을 용해시킬 수 있는 용매를 포함하는 혼합용액으로 상기 층상형 화합물을 처리하는 단계;를 포함하는 층상형 AlN의 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 염은 하기 화학식 1로 표시되는 층상형 AlN의 제조 방법:003c#화학식 1003e#MaXb(1≤a≤2, 1≤b≤3)상기 화학식 1에서 M은 Al, Mg, 및 Mn 중에서 선택된 어느 하나, X는 Cl, F 및 I 중에서 선택된 어느 하나다
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제1항에 있어서,상기 용매는 탈이온수, 테트라하이드로퓨란 및 다이클로로메탄 중에서 선택된 적어도 어느 하나인 층상형 AlN의 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 (1)단계의 열처리는 1000~1200℃에서 80~200시간 동안 수행되는 층상형 AlN의 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 (1)단계의 냉각은 0
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공간군(space group)이 C2/2 또는 P2/c인 단사정계(monoclinic) 결정구조를 갖는 층상형 AlN
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제6항에 있어서, 상기 공간군이 C2/2인 단사정계 결정구조를 갖는 층상형 AlN는 Cu-Kα선을 사용하는 분말 X선 회절법에 의해 얻어지는 X선 회절도에 있어서, 13
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제6항에 있어서, 상기 공간군이 P2/c인 단사정계 결정구조를 갖는 층상형 AlN는 Cu-Kα선을 사용하는 분말 X선 회절법에 의해 얻어지는 X선 회절도에 있어서, 9
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제6항에 따른 층상형 AlN로부터 박리되고, 비정질 결정구조를 갖는 AlN 나노시트
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제9항에 있어서,상기 AlN 나노시트의 두께는 300 nm 이하인 AlN 나노시트
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