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2
제1항에 있어서,화학식 1에 치환기 정의에서,X는 N이고,R1은 수소, 메틸기 또는 에틸기이며,R2는 메틸기, 에틸기 또는 프로필기이고,R3 및 R6은 수소 또는 할로겐기이며,R4는 할로겐기이고,R5는 티오페닐기, 피롤릴기, 테트라지닐기, 이미다졸릴기, 또는 트리아졸릴기이되,R5가 티오페닐기인 경우 상기 티오페닐기는 C6~30의 아릴기 또는 5 내지 20 원자의 헤테로아릴기로 치환되며;R1 내지 R6의 알킬기, 헤테로아릴기, 티오페닐기, 피롤릴기, 테트라지닐기, 이미다졸릴기 또는 트리아졸릴기에 존재하는 수소 중 어느 하나 이상은 할로겐기, 아민기, 하이드록시기, 알데하이드기, 카르복실기, 또는 이들로 치환되거나 비치환된 C6~30의 아릴기 또는 5 내지 20 원자의 헤테로아릴기로 치환되거나 비치환된 헤테로아릴 화합물
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3
제2항에 있어서,화학식 1로 나타내는 화합물은 하기 003c#구조 1-2003e# 내지 003c#구조 1-10003e#으로부터 선택되는 어느 하나 이상인 헤테로아릴 화합물:003c#구조 1-2003e# 003c#구조 1-3003e# 003c#구조 1-4003e# 003c#구조 1-5003e# 003c#구조 1-6003e# 003c#구조 1-7003e# 003c#구조 1-8003e# 003c#구조 1-9003e# 003c#구조 1-10003e#
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제1항에 있어서,화학식 1에 치환기 정의에서,X는 N이고,R1은 수소이며,R2는 메틸기, 에틸기, 또는 이고,R3 및 R6은 수소 또는 할로겐기이며,R4는 수소이고,R5는 카르복실기, 페닐기, 나프틸기, 안트라세닐기, 파이레닐기, 티오페닐기, 피롤릴기, 테트라지닐기, 이미다졸릴기, 또는 트리아졸릴기이되,R5가 페닐기, 나프틸기, 안트라세닐기 또는 파이레닐기인 경우 상기 페닐기, 나프틸기, 안트라세닐기, 또는 파이레닐기는 아민기로 치환되거나 아민기 및 s-부틸기(s-Bu)로 치환되고,R5가 티오페닐기인 경우 상기 티오페닐기는 C6~30의 아릴기로 치환되며,R1 내지 R6의 알킬기, 헤테로아릴기, 티오페닐기, 피롤릴기, 테트라지닐기, 이미다졸릴기 또는 트리아졸릴기에 존재하는 수소 중 어느 하나 이상은 할로겐기, 아민기, 하이드록시기, 알데하이드기, 카르복실기, 또는 이들로 치환되거나 비치환된 C6~30의 아릴기 또는 5 내지 20 원자의 헤테로아릴기로 치환되거나 비치환된 헤테로아릴 화합물
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제4항에 있어서,화학식 1로 나타내는 화합물은 하기 003c#구조 2-1003e# 내지 003c#구조 2-7003e#로부터 선택되는 어느 하나 이상인 헤테로아릴 화합물:003c#구조 2-1003e# 003c#구조 2-2003e# 003c#구조 2-3003e# 003c#구조 2-4003e# 003c#구조 2-5003e# 003c#구조 2-6003e# 003c#구조 2-7003e#
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6
제1항에 있어서,화학식 1에 치환기 정의에서,X는 P이고,R1은 수소이며,R2는 메틸기, 에틸기, 프로필기 또는 부틸기이고,R3 및 R6은 수소 또는 할로겐기이며,R4는 플루오로기, 클로로기 또는 브로모기이고,R5는 클로로기, 브로모기, 페닐기, 나프틸기, 안트라세닐기, 파이레닐기, 티오페닐기, 피롤릴기, 테트라지닐기, 이미다졸릴기, 또는 트리아졸릴기이되,R5가 페닐기, 나프틸기, 안트라세닐기 또는 파이레닐기인 경우 상기 페닐기, 나프틸기, 안트라세닐기 또는 파이레닐기는 아민기로 치환되거나 아민기 및 s-부틸기(s-Bu)로 치환되며,R5가 티오페닐기인 경우 상기 티오페닐기는 C6~30의 아릴기 또는 5 내지 20 원자의 헤테로아릴기로 치환되고,R2 및 R5의 메틸기, 에틸기, 프로필기, 부틸기, 피롤릴기, 테트라지닐기, 이미다졸릴기, 또는 트리아졸릴기에 존재하는 수소 중 어느 하나 이상은 페닐기, 나프틸기, 티오페닐기, 피롤릴기, 테트라지닐기, 이미다졸릴기, 또는 트리아졸릴기로 치환되거나 비치환된 헤테로아릴 화합물
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7
제6항에 있어서,화학식 1로 나타내는 화합물은 하기 003c#구조 3-1003e# 및 003c#구조 3-2003e#로부터 선택되는 어느 하나 이상인 헤테로아릴 화합물:003c#구조 3-1003e# 003c#구조 3-2003e#
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제1항에 있어서,화학식 1로 나타내는 화합물은 하기 003c#구조 4-1003e#로 선택되는 헤테로아릴 화합물:003c#구조 4-1003e#
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9
제1항에 있어서,헤테로아릴 화합물은 따른 200nm 내지 800nm 범위에서의 발광도 측정 시 380nm 내지 720nm에서 발광 극대를 갖는 헤테로아릴 화합물
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삭제
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제1 전극;제1 전극에 대향된 제2 전극; 및상기 제1 전극과 제2 전극 사이에 개재되고, 하기 화학식 1로 나타내는 헤테로아릴 화합물을 포함하는 유기층을 포함하고,상기 헤테로아릴 화합물은 0
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제11항에 있어서,유기층은 폴리비닐리덴플로라이드 (PVDF), 비닐리덴 플루오라이드와 트리플루오로에틸렌의 공중합체 (PVDF-TrFE), 비닐리덴 플루오라이드와 헥사플루오로에틸렌의 공중합체 (PVDF-HFP), 비닐리덴시아나이드와 비닐아세테이트의 공중합체 (P(VDCN-VAc)), 나일론-11 (nylon-11), 폴리우레아-9 (polyurea-9), 폴리비닐클로라이드 (PVC), 폴리아크릴로니트릴 (PAN), 폴리프탈아지논에테르니트릴 (PPEN), 폴리에틸렌옥사이드 (PEO), 및 폴리에테르 술폰 (PES)으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상의 바인더를 더 포함하는 전자소자
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제11항에 있어서,제1 전극과 유기층 사이에 정공수송층을 더 포함하는 전자소자
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제11항에 따른 전자소자를 포함하는 유기 발광 장치
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제11항에 따른 전자소자를 포함하는 트랜지스터
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제11항에 따른 전자소자를 포함하는 커패시터
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