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(1) K 분말, In 분말 및 As 분말을 포함하는 혼합물을 열처리한 후 냉각하여 공간군(space group)이 P21/c인 단사정계(monoclinic) 결정구조 또는 공간군이 Cmce인 사방정계(orthorhombic) 결정구조를 갖고 화학식 KxInyAsz(x, y, z는 1 ≤ x/y ≤ 3/2, 2/3 ≤ y/z ≤ 2/3 및 2/3 ≤ x/z ≤ 1를 만족하는 실수이다) 를 갖는 층상형 KInAs를 수득하는 단계; 및(2) 상기 층상형 KInAs에 포함된 K 이온을 선택적으로 제거할 수 있는 염 또는 산, 및 상기 염 또는 산을 용해시킬 수 있는 용매를 포함하는 혼합용액으로 상기 층상형 KInAs를 처리하여 공간군(space group)이 P21/c인 단사정계(monoclinic) 결정구조 또는 공간군이 Cmce인 사방정계 결정구조를 갖는 층상형 InAs를 제조하는 단계;를 포함하는 층상형 InAs의 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 용매는 물, 에탄올, 환상 카보네이트계 용매, 쇄상 카보네이트계 용매, 에스테르계 용매, 에테르계 용매, 니트릴계 용매 및 아미드계 용매 중에서 선택된 적어도 어느 하나를 포함하는 층상형 InAs의 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 산은 타타르산(tartaric acid)인 층상형 InAs의 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 염은 Al2(SO4)3인 층상형 InAs의 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 (1)단계의 열처리는 700~800℃에서 6~24시간 동안 수행되는 층상형 InAs의 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 (1)단계의 냉각은 10~15℃/시간 또는 0
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공간군(space group)이 P21/c인 단사정계 결정구조 또는 공간군이 Cmce인 사방정계 결정구조를 갖는 층상형 InAs
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제7항에 따른 층상형 InAs로부터 박리되고, 공간군이 P21/c인 단사정계 결정구조 또는 공간군이 Cmce인 사방정계 결정구조를 갖는 InAs 나노시트
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제8항에 있어서,상기 InAs 나노시트의 두께는 200nm 이하인 InAs 나노시트
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