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다공성 은(Ag)막 구조체의 제조 방법 및 그 구조체를 이용한 형광 신호 측정 방법

  • 기술번호 : KST2019034337
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 다공성 은(Ag)막 구조체의 제조 방법은 기판을 제공하는 것, 기판 상에 오팔(opal) 구조를 가지는 주형(template)을 형성하는 것, 주형 내의 공간을 채우는 은(Ag)막을 형성하는 것, 및 주형을 제거하는 것을 포함한다.
Int. CL C25D 1/04 (2006.01.01) C25D 1/10 (2006.01.01) C25D 1/20 (2006.01.01) G01N 21/64 (2006.01.01) G01N 21/552 (2014.01.01)
CPC C25D 1/04(2013.01) C25D 1/04(2013.01) C25D 1/04(2013.01) C25D 1/04(2013.01) C25D 1/04(2013.01)
출원번호/일자 1020150176120 (2015.12.10)
출원인 한국기초과학지원연구원
등록번호/일자 10-1707205-0000 (2017.02.09)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20170215) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2015.12.10)
심사청구항수 6

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국기초과학지원연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 채원식 대한민국 대구 북구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인 고려 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 *길 ** *층(역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국기초과학지원연구원 대한민국 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2015.12.10 수리 (Accepted) 1-1-2015-1211596-16
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2016.04.11 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2016.06.13 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-6-2016-0075516-53
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2016.06.22 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0451704-82
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2016.08.22 수리 (Accepted) 1-1-2016-0813112-18
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2016.08.22 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2016-0813128-37
7 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2016.12.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0918308-80
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2017.01.17 수리 (Accepted) 1-1-2017-0055492-07
9 [명세서등 보정]보정서(재심사)
Amendment to Description, etc(Reexamination)
2017.01.17 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2017-0055493-42
10 등록결정서
Decision to Grant Registration
2017.02.01 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0078534-56
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.06.22 수리 (Accepted) 4-1-2020-5135881-88
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
금(Au)이 코팅된 실리콘(Si) 기판을 제공하는 것;상기 실리콘 기판 상에 오팔(opal) 구조를 가지는 주형(template)을 형성하는 것;상기 주형 내의 공간을 채우는 은(Ag)막을 형성하는 것; 및상기 주형을 제거하는 것을 포함하되,상기 은(Ag)막의 바닥면은 상기 실리콘 기판에 코팅된 상기 금의 상면에 직접 접하고,상기 주형을 형성하는 것은:상기 실리콘 기판 상에, 상기 실리콘 기판에 코팅된 상기 금의 상면에 의해 그 하단부가 막힌 희생 튜브를 제공하는 것;상기 희생 튜브 내에 콜로이드 용액을 제공하는 것; 상기 콜로이드 용액의 분산매를 제거하여, 상기 콜로이드 용액의 분산질 구조체를 형성하는 것; 및상기 희생 튜브를 제거하는 것을 포함하며,상기 분산질 구조체는 오팔(opal) 구조를 가지는 다공성 은(Ag)막 구조체의 제조 방법
2 2
삭제
3 3
제 1 항에 있어서,상기 주형은 오팔 구조를 가지는 폴리스타이렌(polystyrene) 입자들 또는 실리카(silica) 입자들을 포함하고,상기 폴리스타이렌 입자들의 각각 또는 상기 실리카 입자들의 각각의 크기은 50 나노미터(nm) 내지 5 마이크로미터(μm)인 다공성 은(Ag)막 구조체의 제조 방법
4 4
삭제
5 5
제 1 항에 있어서, 상기 은(Ag)막을 형성하는 것은 삼-전극 시스템(three-electrodes system)을 이용한 전기화학적 방법을 사용하는 다공성 은(Ag)막 구조체의 제조 방법
6 6
제 5 항에 있어서,상기 삼-전극 시스템의 상대 전극(counter electrode)은 백금(Pt) 전극, 참조 전극(reference electrode)은 은(Ag)/염화은(AgCl) 전극, 작업 전극(working electrode)은 상기 금(Au)이 코팅된 상기 실리콘 기판인 다공성 은(Ag)막 구조체의 제조 방법
7 7
제 5 항에 있어서,상기 삼-전극 시스템의 작업 전극에 펄스형(pulse type)의 전압이 인가되는 다공성 은(Ag)막 구조체의 제조 방법
8 8
제 5 항에 있어서, 상기 삼-전극 시스템의 작업 전극에 참조 전극 대비 -0
9 9
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10 10
삭제
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 미래창조과학부 한국기초과학지원연구원 출연연구기관 주요사업 대구센터운영