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전자기파를 전송하는 도파관;유전체관으로서, 상기 도파관 내에서 전송되는 전자기파의 유입이 가능하도록 상기 유전체관의 일측 끝의 제1 단부가 상기 도파관과 전자파 커플링된 유전체관;중공의 관 형태이고, 관의 내면이 상기 유전체관의 외면과 접촉하도록 상기 유전체관의 길이 전체 또는 일부를 감싸고 있고, 관의 외부로부터 주입된 냉각유체를 관의 길이방향 및 원주방향을 따라 이동시키며 관의 내면 및 외면 사이에 위치하고 있는 제1 냉각유로를 포함하는 냉각자켓; 및상기 유전체관과 유체 소통 가능하게 연결되어 플라즈마 발생을 위한 방전가스를 상기 유전체관의 내부로 주입하는 방전가스 주입부를 포함하는 것을 특징으로 하는,수냉식 표면파 플라즈마 발생장치
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제1항에 있어서,상기 방전가스 주입부는 상기 도파관과 전자파 커플링된 상기 유전체관의 제1 단부에 인접한 위치에서 상기 유전체관과 유체 소통 가능하게 연결되어 있는 것을 특징으로 하는,수냉식 표면파 플라즈마 발생장치
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제1항에 있어서,상기 수냉식 표면파 플라즈마 발생장치는 안테나를 더 포함하고,상기 안테나는 상기 도파관의 안쪽면 위치로부터 상기 유전체관의 제1 단부를 향해 돌출되어 상기 유전체관의 제1 단부에 대향하는 것을 특징으로 하는,수냉식 표면파 플라즈마 발생장치
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제3항에 있어서,상기 유전체관의 제1 단부는 상기 냉각자켓 내부에 위치하거나 상기 안테나에 대향하는 상기 도파관의 일면을 관통하여 도파관 내부에 위치하고,상기 도파관 내에 위치하는 상기 안테나의 돌출된 길이는 상기 유전체관의 제1 단부와 접하거나 이격될 수 있는 길이인 것을 특징으로 하는,수냉식 표면파 플라즈마 발생장치
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제3항에 있어서,상기 도파관 내에 위치하는 상기 안테나의 돌출된 길이는 상기 안테나의 돌출방향에 평행한 도파관 내의 높이(C)의 1/2 이상의 높이이고,상기 유전체관의 제1 단부는 상기 냉각자켓 내부에 위치하거나 상기 안테나에 대향하는 상기 도파관의 일면을 관통함에 따라 도파관 내부에 위치하여 상기 안테나와 접하거나 이격되는 것을 특징으로 하는,수냉식 표면파 플라즈마 발생장치
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제3항에 있어서,상기 안테나의 두께 또는 직경(A)은 상기 유전체관의 내경(B)보다 작은 것을 특징으로 하는, 수냉식 표면파 플라즈마 발생장치
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제3항에 있어서,상기 수냉식 표면파 플라즈마 발생장치는 냉각유체가 순환하는 제2 냉각유로를 갖는 냉각유체 순환부를 더 포함하고,상기 냉각유체 순환부는 상기 안테나의 후단에서 상기 안테나와 일체로 형성되어 상기 안테나가 상기 도파관을 관통하여 도파관 내에 위치하도록 상기 도파관과 결합되어 있는 것을 특징으로 하는,수냉식 표면파 플라즈마 발생장치
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제4항에 있어서,상기 수냉식 표면파 플라즈마 발생장치는 상기 제1 냉각유로로부터 제2 냉각유로로 연결되어 있는 냉각유체 순환관을 더 포함하는 것을 특징으로 하는,수냉식 표면파 플라즈마 발생장치
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제3항에 있어서,상기 수냉식 표면파 플라즈마 발생장치는,상기 안테나 및 유전체관의 제1 단부를 감싸도록 상기 도파관 또는 상기 안테나 및 유전체관과 결합되거나 상기 안테나를 감싸고 상기 유전체관의 제1 단부와는 접하도록 상기 도파관 또는 안테나와 결합되는 유전체로 이루어진 덮개부재를 더 포함하는 것을 특징으로 하는,수냉식 표면파 플라즈마 발생장치
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