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전압 및 파형 조절이 가능한 소스 미터 및 상기 소스 미터로부터 입력 받은 전압을 증폭시켜 출력하는 전압 증폭기를 포함하는 적정 파형 및 전압 출력을 위한 반도체 검사 장비 제어 방법에 있어서, 정보 수집 필요 여부를 판단하는 단계;상기 전압 증폭기 오차의 보정을 위한 정보를 수집하는 정보 수집 단계; 검사할 시료에 인가하기 위한 희망 전압 값 입력 단계; 상기 정보 수집 단계에서 수집된 정보에 기초하여 상기 희망 전압 값에 대응하는 보정 전압 값을 상기 소스 미터로 입력하는 보정 단계; 및상기 소스 미터에서 출력되어 상기 전압 증폭기를 통하여 증폭된 구동 전압을 이용하여 상기 시료를 검사하는 반도체 검사 단계를 포함하고,상기 정보 수집 필요 여부를 판단하는 단계는, 상기 소스 미터와 상기 전압 증폭기의 연결에 있어서, 오차 보정 정보가 생성될 필요가 있는지 판단하는 단계를 포함하는 적정 파형 및 전압 출력을 위한 반도체 검사 장비 제어 방법
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제 1 항에 있어서,상기 정보 수집 단계는, 상기 소스 미터에서 출력된 서로 다른 복수개의 출력 전압을 측정하는 단계;상기 복수개의 출력 전압을 입력 받아 상기 전압 증폭기에서 출력된 복수개의 증폭 전압을 측정하는 단계;상기 복수개의 출력 전압과, 그에 대응하는 상기 복수개의 증폭 전압을 매칭시킨 매칭 데이터를 생성하는 출력 전압과 증폭 전압의 매칭 데이터를 수집하는 단계; 및보간법을 사용하여 상기 매칭 데이터를 보정하여 오차 보정 정보를 생성하는 오차 보정 정보 생성 단계를 포함하는 적정 파형 및 전압 출력을 위한 반도체 검사 장비 제어 방법
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제 1 항에 있어서,상기 정보 수집 필요 여부를 판단하는 단계는, 기존에 생성된 상기 오차 보정 정보가 존재하는지 판단하는 단계,사용자가 임의로 설정한 정보 수집 기한을 초과했는지의 여부를 판단하는 단계, 및기존의 사용하던 상기 소스 미터 및/또는 상기 전압 증폭기가 교체되었는지 판단하는 단계 중 어느 하나를 포함하는 적정 파형 및 전압 출력을 위한 반도체 검사 장비 제어 방법
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제 2 항에 있어서,상기 오차 보정 정보 생성 단계는, 상기 매칭 데이터를 이용하여 스플라인 보간의 2차 도함수를 계산하는 단계; 및상기 2차 도함수를 이용하여 3차 스플라인 보간을 수행하는 단계를 포함하는 적정파형 및 전압 출력을 위한 반도체 검사 장비 제어 방법
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제 2 항에 있어서,상기 매칭 데이터는 출력 전압 대비 증폭 전압으로 표현되는 데이터 테이블을 포함하는 적정파형 및 전압 출력을 위한 반도체 검사 장비 제어 방법
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제 1 항에 있어서,상기 반도체 검사 단계는, 상기 소스 미터 및 상기 전압 증폭기를 포함하여 상기 반도체 검사 장비를 구성하는 복수개의 전자장치들의 동기화를 위한 기준 클럭을 출력하는 단계를 포함하는 적정파형 및 전압 출력을 위한 반도체 검사 장비 제어 방법
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제 1 항에 있어서,상기 희망 전압 값 입력 단계는, 단계적으로 일정한 차이가 있는 복수개의 희망 전압 값을 제어부가 자체적으로 생성하여 입력하는 단계를 포함하는 반도체 검사 장비 제어 방법
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