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음극과 양극이 교차되도록 배치되는 한 쌍의 바이패스 다이오드(3);상기 한 쌍의 바이패스 다이오드(3)들을 백투백(back-to-back) 구조로 연결하도록 상기 한 쌍의 바이패스 다이오드(3)들의 단자측 면에 각각 결합되는 제1 및 제2 히트싱크 일체형 버스바(200, 300);상기 한 쌍의 바이패스 다이오드(3)와 결합된 면과 반대측의 상기 제1 및 제2 히트싱크 일체형 버스바(200, 300)의 면에 각각 결합되는 제1 및 제2 캡(110, 120); 및상기 제1 및 제2 히트싱크 일체형 버스바(200, 300)와 상기 제1 및 제2 캡(110, 120)을 관통하여 상기 한 쌍의 바이패스 다이오드(3)를 사이에 두고 결합되는 상기 제1 및 제2 히트싱크 일체형 버스바(200, 300)와 상기 제1 및 제2 캡(110, 120)을 고정시키는 하나 이상의 지지바(400);를 포함하여 구성되는 바이패스 다이오드 조립체
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청구항 1에 있어서, 상기 제1 및 제2 히트싱크 일체형 버스바(200, 300)들은,바이패스 전류에 의한 바이패스 다이오드(3)들의 온도 상승을 최종온도 이하로 억제하기 위하여 초전도 선재(150)들을 제외한 체적(Vol)이에 의해 산출되고, 여기서, I: 바이패스 전류, te: 바이패스 전류 통전 시간, R(T): 제1 및 제2 히트싱크 일체형 버스바(200, 300)의 전기저항, Cv(T): 제1 및 제2 히트싱크 일체형 버스바(200, 300)의 열용량, T1: 냉각온도, T2: 최종온도인 바이패스 다이오드 조립체
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청구항 2에 있어서, 상기 최종온도는,300K인 바이패스 다이오드 조립체
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청구항 1에 있어서, 상기 제1 및 제2 히트싱크 일체형 버스바(200, 300)는,초전도 선재(150)들이 부착된 초전도 선재부(S); 및상기 초전도 선재부(S)로부터 연장되어 상기 한 쌍의 바이패스 다이오드(3)들이 각각 역방향으로 장착되는 한 쌍의 다이오드 장착홀(160)이 형성되는 다이오드장착부(D);를 포함하여 구성되는 바이패스 다이오드 조립체
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청구항 4에 있어서, 상기 한 쌍의 다이오드 장착홀(160)은,상기 바이패스 다이오드(3)와 상기 제1 및 제2 히트싱크 일체형 버스바(200, 300)들과의 접촉 저항을 줄이기 위한 인듐 포일(indium foil)을 더 포함하여 구성되는 바이패스 다이오드 조립체
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청구항 4에 있어서, 상기 초전도 선재(150)들은,상기 제1 및 제2 히트싱크 일체형 버스바(200, 300)의 초전도 선재부(S) 각각에서 하나는 상기 바이패스 다이오드(3)가 장착된 면과 동일한 면에 배치되고, 다른 하나는 상기 바이패스 다이오드(3)가 장착된 면의 반대 측의 면에 배치되는 바이패스 다이오드 조립체
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청구항 4에 있어서, 상기 다이오드장착부(D)에는 상기 한 쌍의 다이오드 장착홀(160)이 형성된 면의 반대 면에 한 쌍의 가이드홈(170)이 형성되고,상기 제1 캡(110)과 상기 제1 히트싱크 일체형 버스 바(200)의 사이와, 상기 제2 캡(120)과 상기 제2 히트싱크 일체형 버스 바(300)의 사이에서, 상기 한 쌍의 가이드홈(170)들에 각각 삽입되는 가이드(130)들; 및상기 가이드(130)들의 외주연에 삽입되는 와셔(140)들;을 더 포함하여,상기 제1 및 제2 히트싱크 일체형 버스 바(200, 300)가 상기 바이패스 다이오드(3)들과 긴밀한 접촉을 이루도록 구성되는 바이패스 다이오드 조립체
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청구항 7에 있어서, 상기 와셔(140)는,상기 제1 및 제2 히트싱크 일체형 버스 바(200, 300)와 상기 한 쌍의 바이패스 다이오드(3)들의 사이에 15N/mm2 이상의 압축력을 인가하는 벨빌 와셔(belleville washer) 또는 스프링 와셔(spring washer) 중 어느 하나인 바이패스 다이오드 조립체
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청구항 8에 있어서, 상기 벨빌 와셔(belleville washer)는,가 적용되어 설계되며, 여기서, K: 총 탄성 계수, k: 벨빌 와셔 당 탄성 계수, N: 총 벨빌 와셔의 개수, ni: 병렬 연결 당 벨빌 와셔의 개수인 바이패스 다이오드 조립체
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청구항 1에 있어서, 상기 제1 및 제2 히트싱크 일체형 버스바(200, 300)는,표면산화와 표면 산화에 의한 접촉저항 변화를 줄이기 위해 Ag, SS 또는 Ni-합금 중 어느 하나로 표면 처리되는 바이패스 다이오드 조립체
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청구항 1에 있어서, 상기 지지바(400)는,외주면에 수나사부가 형성되어, 너트(N)에 의해 상기 제1 캡(110) 및 제2 캡(120)들에 고정되도록 구성되어, 상기 바이패스 다이오드(3)들의 직렬연결 수를 가변 시킬 수 있도록 구성되는 바이패스 다이오드 조립체
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청구항 1에 있어서, 상기 바이패스 다이오드 조립체(100)는,침전형 또는 진공상태에서 써멀링크를 적용한 냉각 방식이 적용되는 바이패스 다이오드 조립체
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