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플라즈마를 발생하고, 발생되는 플라즈마를 대상물의 처리면의 전체 영역에 동시 분사하는 제1플라즈마 가공부; 및플라즈마를 발생하고, 발생되는 플라즈마를 대상물의 처리면의 일정 영역에 집중 분사하는 제2플라즈마 가공부를 포함하고,상기 제2플라즈마 가공부는,원통형의 제3전극;상기 제3전극의 내주면에 면접하여 구비되는 원통형의 제2 절연체;상기 제2절연체의 내주면에 면접하고, 상기 제2절연체의 상단부에 배치되는 원통형의 제4전극; 및상기 제3전극과 일정 거리 이격되어 상기 제3전극을 에워싸는 원통형의 제1 커버부를 포함하고,상기 제3전극 및 제4전극 중 어느 하나에 전원이 인가되면 상기 제4전극의 하단부로부터 상기 제2절연체의 하단부 방향으로 플라즈마가 분사되고,상기 제3전극 및 제1커버부의 사이는 제1토출공간을 형성하고, 상기 제1토출공간을 통해 제1가스가 하향 분사되는 것을 특징으로 하는 대기압 플라즈마 표면처리장치
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제3항에 있어서,상기 제1가스는 분사되는 플라즈마를 감싸도록 분사되어 상기 플라즈마를 집속시키는 것을 특징으로 하는 대기압 플라즈마 표면처리장치
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제3항에 있어서,상기 제1커버부의 외주면에 밀착되도록 원통형으로 형성되고 전원이 인가되는 제5전극이 더 구비되며, 상기 제1토출공간을 통해서 분사되는 상기 제1가스는 플라즈마인 것을 특징으로 하는 대기압 플라즈마 표면처리장치
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제3항에 있어서,상기 제1커버부의 외주면을 감싸도록 원통형의 제2커버부가 이격되어 마련되고, 상기 제1커버부 및 상기 제2커버부의 사이에 형성되는 제2토출공간을 통해서는 제2가스가 하향 분사되는 것을 특징으로 하는 대기압 플라즈마 표면처리장치
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제7항에 있어서,상기 제2가스는 분사되는 플라즈마 및 상기 제1가스를 감싸도록 분사되어 상기 플라즈마에 의한 플라즈마 효과를 차단하는 것을 특징으로 하는 대기압 플라즈마 표면처리장치
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제7항에 있어서,상기 제2커버부의 외주면에 밀착되도록 원통형으로 형성되고 전원이 인가되는 제6전극이 더 구비되며, 상기 제2토출공간을 통해서 분사되는 상기 제2가스는 플라즈마인 것을 특징으로 하는 대기압 플라즈마 표면처리장치
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제3항에 있어서,상기 제2절연체의 하단부는 상기 제3전극의 하단부보다 하측으로 연장 형성되고, 중심방향으로 축관 형성되어 노즐부를 형성하는 것을 특징으로 하는 대기압 플라즈마 표면처리장치
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제3항에 있어서,상기 대기압 플라즈마 표면처리장치는 수직 방향 및 수평 방향으로 이동되는 것을 특징으로 하는 대기압 플라즈마 표면처리장치
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제3항에 있어서,상기 대기압 플라즈마 표면처리장치는 분사되는 플라즈마의 불균일이 방지되도록 수평방향으로 편심 회전하는 것을 특징으로 하는 대기압 플라즈마 표면처리장치
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제3항에 있어서,상기 분사되는 플라즈마를 회전시키도록 상기 분사되는 플라즈마를 향해 자기장을 인가하는 자기장 인가부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 대기압 플라즈마 표면처리장치
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