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챔버 내부에서 전자파를 방출하여 플라즈마를 생성하는 플라즈마 처리 장치

  • 기술번호 : KST2019034378
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 긴 원통형 도파관; 상기 원통형 도파관의 외면을 접하도록 감싸는 유전체층; 상기 원통형 도파관의 양단으로 전자파를 공급하는 제1 및 제2 마그네트론을 포함하고, 상기 원통형 도파관은 길이방향으로 형성된 둘 이상의 슬롯들을 포함하는 것을 특징으로 한다.이러한 선형 전자파 플라즈마 소스 및 이를 사용한 플라즈마 처리 장치를 사용하면, 원형 도파관을 사용함에 따라 원형 도파관의 내부와 외부의 압력차를 유지하기 위해 구비되는 유전체층의 두께를 얇게 형성할 수 있고 그로 인해 원형 도파관으로부터 방사되는 전자파의 감쇄가 적어져 전자파의 세기가 증가할 수 있으며, 전자기파 및 플라즈마로부터 열부하를 받을 수 있는 유전체층을 냉각로가 구비된 도파관 외면에 직접 접하도록 함으로써 유전체 실링층의 냉각효과를 수월하게 구현할 수 있다. 또한 원형 도파관의 양쪽에서 전자파가 입사되므로 원형 도파관 내부의 전자파의 세기가 균등해져 플라즈마의 밀도가 균일해지는 이점이 있다. 또한, 플라즈마 소스를 챔버 내부에 구비하는 경우 전자파의 세기가 증가하므로 밀도 높은 플라즈마의 생성이 가능하며 그로 인해 플라즈마 처리 장치를 기존 방법과 대비하여 더욱 안정적이고 효율적으로 사용가능한 효과가 있다.
Int. CL H01J 37/32 (2006.01.01)
CPC H01J 37/32229(2013.01) H01J 37/32229(2013.01) H01J 37/32229(2013.01) H01J 37/32229(2013.01)
출원번호/일자 1020160177834 (2016.12.23)
출원인 한국기초과학지원연구원
등록번호/일자 10-1858867-0000 (2018.05.10)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20180516) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2016.12.23)
심사청구항수 9

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국기초과학지원연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 유현종 대한민국 세종특별자치시 도움*

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 남건필 대한민국 서울특별시 영등포구 경인로 ***, *동 ***호(엔씨 국제특허법률사무소)
2 차상윤 대한민국 서울특별시 영등포구 경인로 ***, *동 ***호(엔씨 국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국기초과학지원연구원 대한민국 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2016.12.23 수리 (Accepted) 1-1-2016-1267254-08
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2017.09.13 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2017.10.13 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-6-2017-0155451-73
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2017.10.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0745130-82
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2017.12.22 수리 (Accepted) 1-1-2017-1283816-67
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2017.12.22 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2017-1283854-92
7 등록결정서
Decision to grant
2018.02.19 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0118223-24
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.06.22 수리 (Accepted) 4-1-2020-5135881-88
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번호 청구항
1 1
진공챔버;원통형 도파관으로서, 상기 원통형 도파관의 길이방향에 대해 소정의 각도로 기울어져 있고 원통의 길이방향을 따라 각각 일정 거리 이격되어 배열되는 다수의 슬롯을 포함하는 원통형 도파관;상기 원통형 도파관의 외면에 밀착하는 실링층을 형성하되, 상기 원통형 도파관 내부와 이의 외부인 진공챔버의 압력차를 견딜 수 있는 두께로 실링된 유전체층; 및상기 원통형 도파관의 양단으로 전자파를 공급하는 제1 및 제2 마그네트론을 포함하고,상기 원통형 도파관은 상기 슬롯 및 유전체층이 상기 진공챔버의 내부에 위치하도록 상기 진공챔버 내에 삽입된 것을 특징으로 하는,챔버 내부에서 전자파를 방출하여 플라즈마를 생성하는 플라즈마 처리 장치
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제1항에 있어서,상기 원통형 도파관의 양단에 위치하고 전자파 소통 가능하게 각각 연결되며, 직각도파관의 모드를 원통형 도파관 모드를 전화시키는 제1 및 제2 모드컨버터; 및상기 제1 및 제2 모드컨버터와 상기 제1 및 제2 마그네트론 사이에 전자파 소통가능하게 각각 연결된 제1 및 제2 직각도파관을 더 포함하고,상기 제1 및 제2 마그네트론은 상기 제1 및 제2 직각도파관으로 전자파를 제공함을 특징으로 하는,챔버 내부에서 전자파를 방출하여 플라즈마를 생성하는 플라즈마 처리 장치
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제1항에 있어서,상기 슬롯은 λg/2 파장의 배수 거리만큼 서로 이격되어 있음을 특징으로 하는,챔버 내부에서 전자파를 방출하여 플라즈마를 생성하는 플라즈마 처리 장치
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제3항에 있어서,상기 슬롯은 상기 원통형 도파관의 길이방향에 45도 내지 90도 사이의 각을 이룸을 특징으로 하는,챔버 내부에서 전자파를 방출하여 플라즈마를 생성하는 플라즈마 처리 장치
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제2항에 있어서,상기 제1 및 제2 직각도파관은 TE10 도파관이고,상기 제1 및 제2 모드컨버터는 TE10에서 TE11모드로의 전환을 위한 컨버터이며,상기 원통형도파관은 TE11 도파관임을 특징으로 하는,챔버 내부에서 전자파를 방출하여 플라즈마를 생성하는 플라즈마 처리 장치
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제1항에 있어서,상기 원통형 도파관은 상기 진공챔버 상단을 가로 방향으로 관통하고, 상기 슬롯들이 상기 진공챔버의 내부에서 상기 진공챔버의 하단을 향하도록 설치된,챔버 내부에서 전자파를 방출하여 플라즈마를 생성하는 플라즈마 처리 장치
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제6항에 있어서,상기 진공챔버 내부에 위치한 상기 슬롯 주위에 플라즈마가 형성됨을 특징으로 하는, 챔버 내부에서 전자파를 방출하여 플라즈마를 생성하는 플라즈마 처리 장치
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제6항에 있어서,상기 플라즈마 처리 장치는 롤투롤 장치임을 특징으로 하는,챔버 내부에서 전자파를 방출하여 플라즈마를 생성하는 플라즈마 처리 장치
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제8항에 있어서,상기 원통형 도파관은 둘 이상이 상기 진공챔버의 상단에 병렬로 롤투롤 진행방향으로 설치된,챔버 내부에서 전자파를 방출하여 플라즈마를 생성하는 플라즈마 처리 장치
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