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나노다이아몬드의 정제 방법

  • 기술번호 : KST2019034382
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 플라즈마 처리를 이용하는 나노다이아몬드의 정제 방법, 상기 나노다이아몬드의 정제 방법에 의해 정제된 나노다이아몬드, 상기 플라즈마 처리를 이용하는 나노다이아몬드 패턴의 형성 방법, 및 상기 플라즈마 처리를 이용하는 나노다이아몬드 복합체의 전기전도도를 감소시키는 방법에 관한 것이다. 플라즈마 처리를 이용하는 나노다이아몬드의 정제 방법, 상기 나노다이아몬드의 정제 방법에 의해 정제된 나노다이아몬드, 상기 플라즈마 처리를 이용하는 나노다이아몬드 패턴의 형성 방법, 및 상기 플라즈마 처리를 이용하는 나노다이아몬드 복합체의 전기전도도를 감소시키는 방법에 관한 것이다. 본 발명의 구현예들에서는 O2 플라즈마에 기초하여 플라즈마기반 나노다이아몬드 (ND) 정제를 입증한다. 본 발명의 구현예들에 따르면, O2 플라즈마는 ND 표면 상에 산소를 기능화할 뿐만 아니라, 그래파이트 및 비결정성 탄소를 포함하는 비-다이아몬드 탄소를 선택적으로 제거한다. 본 발명의 실시예들에 따르면, 상기 O2 플라즈마 내의 활성 산소가 비-다이아몬드 탄소의 선택적 제거를 유도하는데 핵심적인 역할을 담당하는 것으로 추정된다. 본 발명의 구현예들에 따르면, 상기 플라즈마가 대기압 및 주변 조건들에서 지속적으로 작용하기 때문에, 상기 접근법은 ND 파우더의 고속-대량 정제를 가능하게 할 수 있다. 또한, 상기 공정은 더 높은 차원의 해상도 및 고순도 ND를 가지는 임의 패턴을 만들어 내기 위하여 ND/고분자 복합체 상의 직접 기재 공정에 응용될 수 있다. 본 발명의 구현예들에 따른 나노다이아몬드의 플라즈마기반 정제는 산업적 응용을 위한 대량생산이응 가능하게 하는 기초이며, 낮은 전기전도도 및 높은 열전도도를 가지는 패턴을 만들어내기 위한 제조 응용들 또한 가능하게 한다. 따라서, 상기 공정은 유용한 열적 및 전기적 응용분야들을 위하여 개발될 수 있는 잠재력을 가진다.
Int. CL C01B 32/28 (2017.01.01) C08K 3/04 (2006.01.01) C08J 3/28 (2006.01.01) C08J 3/20 (2006.01.01) C08J 5/18 (2006.01.01) C08J 7/12 (2006.01.01)
CPC C01B 32/28(2013.01) C01B 32/28(2013.01) C01B 32/28(2013.01) C01B 32/28(2013.01) C01B 32/28(2013.01) C01B 32/28(2013.01) C01B 32/28(2013.01) C01B 32/28(2013.01)
출원번호/일자 1020160173393 (2016.12.19)
출원인 한국기초과학지원연구원
등록번호/일자 10-1912616-0000 (2018.10.23)
공개번호/일자 10-2018-0070877 (2018.06.27) 문서열기
공고번호/일자 (20190114) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2016.12.19)
심사청구항수 16

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국기초과학지원연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이승환 대한민국 전라북도 군산시 미장남로 **, *
2 홍승표 대한민국 서울특별시 동작구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김순웅 대한민국 서울시 구로구 디지털로**길 **, ***호 (구로동,에이스테크노타워*차)(정진국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국기초과학지원연구원 대전광역시 유성구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2016.12.19 수리 (Accepted) 1-1-2016-1241519-04
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2017.05.12 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2017.07.11 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-6-2017-0122389-77
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2017.08.18 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0576448-75
5 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2017.10.18 수리 (Accepted) 1-1-2017-1026788-60
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2017.10.24 수리 (Accepted) 1-1-2017-1050420-93
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2017.10.24 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2017-1050421-38
8 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2018.03.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0217721-05
9 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2018.04.11 수리 (Accepted) 1-1-2018-0360228-71
10 [명세서등 보정]보정서(재심사)
Amendment to Description, etc(Reexamination)
2018.04.11 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2018-0360271-24
11 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2018.05.15 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0328007-94
12 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2018.07.12 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2018-0688083-40
13 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2018.07.12 수리 (Accepted) 1-1-2018-0688065-28
14 등록결정서
Decision to Grant Registration
2018.10.11 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0689527-35
15 [명세서등 보정]보정서(심사관 직권보정)
2019.01.09 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2019-5000712-98
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.06.22 수리 (Accepted) 4-1-2020-5135881-88
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
나노다이아몬드 또는 나노다이아몬드 복합체에 대기압 O2 플라즈마를 가열 없이 처리함으로써 상기 나노다이아몬드에 포함된 비-나노다이아몬드 성분을 선택적으로 제거하는 단계;를 포함하고, 상기 O2 플라즈마를 위한 캐리어 가스 대비 산소 가스의 유량은 1%인나노다이아몬드의 정제 방법
2 2
제 1 항에 있어서,상기 나노다이아몬드 복합체는, 펠렛, 벌크, 나노 박막, 또는 필름 형태를 가지는 나노다이아몬드 복합체를 포함하는 것인, 나노다이아몬드의 정제 방법
3 3
제 1 항에 있어서,상기 나노다이아몬드 복합체는 나노다이아몬드 및 고분자 물질을 동시에 함유하는 것을 포함하는 것인, 나노다이아몬드의 정제 방법
4 4
제3항에 있어서, 상기 고분자 물질은 폴리비닐 알코올, 폴리비닐 피롤리돈, 폴리아크릴산, 폴리(메틸메타크릴레이트) 및 폴리스티렌으로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상인 것인, 나노다이아몬드의 정제 방법
5 5
삭제
6 6
제 1 항에 있어서, 상기 비-나노다이아몬드 성분은 그래파이트 또는 비결정성 탄소를 포함하는 것인, 나노다이아몬드의 정제 방법
7 7
제 1 항에 있어서,상기 비-나노다이아몬드 성분이 상기 O2 플라즈마에 의해 발생되는 활성 산소에 의해 선택적으로 제거되는 것을 포함하는 것인, 나노다이아몬드의 정제 방법
8 8
삭제
9 9
제1항에 있어서, 상기 O2 플라즈마 발생을 위한 입력 전압은 2kV 이상인 것을 특징으로 하는, 나노다이아몬드의 정제 방법
10 10
제 1 항에 있어서,상기 O2 플라즈마를 위한 캐리어 가스 대비 산소 가스의 유량을 0
11 11
삭제
12 12
삭제
13 13
삭제
14 14
1) 나노다이아몬드에 안정화제를 첨가하는 단계; 2) 초음파를 조사하여 분산시켜 분산 용액을 얻는 단계; 3) 분산용액에 고분자를 첨가하고 교반하는 단계;4) 나노다이아몬드 고분자 복합체를 포함하는 박막을 제조하는 단계;5) 상기 박막에 대기압 산소 플라즈마를 가열 없이 처리하는 단계; 를 포함하고,상기 산소 플라즈마를 위한 캐리어 가스 대비 산소 가스의 유량은 1%인 나노다이아몬드 고분자 박막의 제조방법
15 15
삭제
16 16
제14항에 있어서, 상기 고분자는 폴리비닐 알코올, 폴리비닐 피롤리돈, 폴리아크릴산, 폴리(메틸메타크릴레이트) 및 폴리스티렌으로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상인, 나노다이아몬드 고분자 박막의 제조방법
17 17
제14항에 있어서, 상기 안정화제는 SDS(sodium dodecyl sulfate), SDBS(sodium dodecylbenzenesulfonate 트리톤 X-100, 트리톤 X-114만니톨, 락토스, 소르비톨, 크실리톨, 수크로스, 트레할로스, 만노스, 말토스, 락토스, 글루코스, 라피노스, 셀로비오스, 겐티오비오스, 이소말토스, 아라비노스, 글루코사민, 프록토오스, 트윈-20, 트윈-80 및 이들 안정화제의 조합물로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상인 것을 특징으로 하는, 나노다이아몬드 고분자 박막의 제조 방법
18 18
이동 스테이지 상에 나노다이아몬드를 함유하는 나노다이아몬드 복합체 필름을 위치시키는 단계; 및상기 나노다이아몬드 복합체 필름에 팁-노즐을 통해 발생되는 대기압 O2 플라즈마를 가열 없이 국지적으로 처리함으로써 상기 나노다이아몬드 복합체 필름 상에 패턴을 형성하는 단계; 를 포함하고, 상기 O2 플라즈마를 위한 캐리어 가스 대비 산소 가스의 유량은 1%인 나노다이아몬드 패턴의 형성 방법
19 19
제 18 항에 있어서,상기 패턴의 굵기는 상기 팁-노즐의 내부 지름에 따라 조절되는 것을 포함하는 것인, 나노다이아몬드 패턴의 형성 방법
20 20
제 18 항에 있어서,상기 패턴의 모양은 상기 이동 스테이지를 이동시킴으로써 조절되는 것을 포함하는 것인, 나노다이아몬드 패턴의 형성 방법
21 21
나노다이아몬드를 함유하는 나노다이아몬드 복합체에 대기압 O2 플라즈마를 가열 없이 처리하는 단계; 를 포함하고,상기 O2 플라즈마를 위한 캐리어 가스 대비 산소 가스의 유량은 1%인나노다이아몬드 복합체의 전기전도도를 감소시키는 방법
22 22
나노다이아몬드를 함유하는 나노다이아몬드 복합체에 대기압 O2 플라즈마를 가열 없이 처리하는 단계; 를 포함하고, 상기 O2 플라즈마를 위한 캐리어 가스 대비 산소 가스의 유량은 1%인 나노다이아몬드 복합체의 열전도율을 향상시키는 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
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