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웨이퍼 다이싱 방법 및 웨이퍼를 다이싱하기 위한 시스템

  • 기술번호 : KST2019034403
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 일 실시예에 따른 웨이퍼 다이싱 방법은, 웨이퍼의 일면에 형성된 복수 개의 반도체 소자들 사이의 간격에 대응하여 상기 웨이퍼의 타면에 일정한 깊이의 홈을 지닌 패턴을 형성하는 단계 및 제1 플라즈마를 조사하여 상기 웨이퍼의 타면 및 상기 홈을 에칭하고 상기 홈이 상기 웨이퍼의 두께를 관통함으로써 상기 웨이퍼를 복수 개의 반도체 칩으로 분할하는 다이싱 단계를 포함한다.
Int. CL H01L 21/78 (2006.01.01) H01L 21/3065 (2006.01.01) H01L 21/76 (2006.01.01) H01L 21/67 (2006.01.01)
CPC H01L 21/78(2013.01) H01L 21/78(2013.01) H01L 21/78(2013.01) H01L 21/78(2013.01) H01L 21/78(2013.01)
출원번호/일자 1020170096314 (2017.07.28)
출원인 (주) 예스티, 한국기초과학지원연구원
등록번호/일자 10-2030398-0000 (2019.10.02)
공개번호/일자 10-2019-0012792 (2019.02.11) 문서열기
공고번호/일자 (20191010) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2017.07.28)
심사청구항수 4

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 (주) 예스티 대한민국 경기도 평택시
2 한국기초과학지원연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 최용섭 대한민국 전라북도 군산시
2 오정근 대한민국 충청남도 예산군
3 정현영 대한민국 전라북도 군산시 조촌로 ***, *
4 이진석 대한민국 경기도 평택시 서재*

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인 무한 대한민국 서울특별시 강남구 언주로 ***, *층(역삼동,화물재단빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 (주) 예스티 경기도 평택시
2 한국기초과학지원연구원 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2017.07.28 수리 (Accepted) 1-1-2017-0731927-34
2 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2019.01.04 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2019-0013274-03
3 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2019.02.28 수리 (Accepted) 1-1-2019-0214296-64
4 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2019.03.27 수리 (Accepted) 1-1-2019-0313711-66
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2019.03.27 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2019-0313710-10
6 [출원인변경]권리관계변경신고서
[Change of Applicant] Report on Change of Proprietary Status
2019.06.13 수리 (Accepted) 1-1-2019-0604101-73
7 등록결정서
Decision to grant
2019.07.16 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2019-0512969-31
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.05.18 수리 (Accepted) 4-1-2020-5109849-72
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.06.22 수리 (Accepted) 4-1-2020-5135881-88
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번호 청구항
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웨이퍼의 일면에 형성된 복수 개의 반도체 소자들 사이의 간격에 대응하여 상기 웨이퍼의 타면에 일정한 깊이의 홈을 지닌 패턴을 형성하는 단계; 및제1 플라즈마를 조사하여 상기 웨이퍼의 타면 및 상기 홈을 에칭하고, 상기 홈이 상기 웨이퍼의 두께를 관통함으로써, 상기 웨이퍼를 복수 개의 반도체 칩으로 분할하는 다이싱 단계; 를 포함하고,상기 웨이퍼의 타면에 패턴을 형성하는 단계 이전에,촬영부를 이용하여 웨이퍼의 일면에 형성된 복수 개의 반도체 소자들 사이의 패턴 정보를 촬영하는 단계;를 더 포함하고, 상기 웨이퍼의 타면에 패턴을 형성하는 단계는, 상기 촬영부에 의하여 촬영된 상기 패턴 정보에 대응하여 웨이퍼의 타면에 패턴을 형성하며,상기 웨이퍼를 복수 개의 반도체 칩으로 분할하는 다이싱 단계는,웨이퍼의 타면을 연삭하는 단계에서 형성된 가공 손상층을 제거하는 단계;상기 웨이퍼의 타면을 에칭하여 박막화하는 단계; 및웨이퍼에 패턴을 형성하는 단계에서 생성된 상기 웨이퍼의 패터닝 면의 손상을 제거하는 단계;를 포함하고,상기 웨이퍼를 복수 개의 반도체 칩으로 분할하는 다이싱 단계 이후에,상기 웨이퍼의 타면에 제2 플라즈마를 조사하여 게더링 레이어(Gettering layer)를 형성하는 단계;를 더 포함하며,상기 촬영부를 이용하여 패턴 정보를 촬영하는 단계 이후에,반도체 소자가 형성된 웨이퍼의 일면에 보호필름을 부착하는 단계; 및상기 웨이퍼의 타면을 연삭하는 단계;를 더 포함하고,상기 보호필름은,일면이 반도체 소자가 형성된 상기 웨이퍼의 일면에 접착되는 접착제층; 및상기 접착체층의 타면에 구비되고, 웨이퍼를 연삭하는 단계에서 발생되는 기계적 강도에 대하여 상기 웨이퍼의 일면을 보호하는 보호층;을 포함하며,상기 웨이퍼의 타면에 패턴을 형성하는 단계 이후에,상기 보호필름의 상기 보호층을 박리하는 단계; 및이송기판이 상기 접착제층의 타면에 부착되는 단계; 를 더 포함하고, 상기 이송기판이 투명하며,,게더링 레이어(Gettering layer)를 형성하는 단계 이후에,상기 이송기판의 하측에서 상기 이송기판을 향하여 UV광을 조사함으로써, 상기 접착제층과 상기 웨이퍼 사이의 접착력을 약화시키는 단계; 및분할된 상기 복수 개의 반도체 칩을 상기 접착제층 및 상기 이송기판으로부터 탈착하여 패키징하는 단계;를 더 포함하는, 웨이퍼 다이싱 방법
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제1항에 있어서,상기 웨이퍼의 타면에 패턴을 형성하는 단계에서 형성된 상기 홈의 깊이는, 상기 다이싱 단계 이후에 잔존하는 웨이퍼의 두께와 동일한 수치를 지니는, 웨이퍼 다이싱 방법
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제1항에 있어서,상기 웨이퍼를 복수 개의 반도체 칩으로 분할하는 다이싱 단계는,상기 웨이퍼의 일면에 형성되고, 복수 개의 반도체 소자들 사이의 존재하는 스트리트층을 제거하는 단계;를 더 포함하는, 웨이퍼 다이싱 방법
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웨이퍼의 일면에 형성된 복수 개의 반도체 소자들 사이의 패턴 정보를 촬영하는 촬영 모듈;상기 촬영 모듈에 의하여 촬영된 상기 패턴 정보에 대응하여 상기 웨이퍼의 타면에 일정한 깊이의 홈을 지닌 패턴을 형성하는 패터닝 모듈; 제1 플라즈마를 조사하여 상기 웨이퍼의 타면 및 상기 홈을 에칭하고, 상기 홈이 상기 웨이퍼의 두께를 관통함으로써, 상기 웨이퍼를 복수 개의 반도체 칩으로 분할하는 다이싱 모듈;상기 웨이퍼의 일면에 패턴을 형성하기 전에, 반도체 소자가 형성된 웨이퍼의 일면에 보호필름을 부착하는 부착 모듈;상기 보호필름을 부착한 후에, 상기 웨이퍼의 타면을 연삭하는 연삭 모듈; 및상기 웨이퍼를 복수 개의 반도체 칩으로 분할한 후에, 상기 웨이퍼의 타면에 제2 플라즈마를 조사하여 게더링 레이어(Gettering layer)를 형성하는 게더링 레이어 형성 모듈;을 포함하고,상기 보호필름은,일면이 반도체 소자가 형성된 상기 웨이퍼의 일면에 접착되는 접착제층; 및상기 접착체층의 타면에 구비되고, 웨이퍼를 연삭하는 동안 발생되는 기계적 강도에 대하여 상기 웨이퍼의 일면을 보호하는 보호층;을 포함하고, 상기 패터닝 모듈로부터 상기 다이싱 모듈로 상기 웨이퍼를 이송시키기 위해 상기 보호층이 박리된 상태에서 상기 접착제층의 타면에 부착되는 이송기판;을 더 포함하고, 상기 이송기판이 투명하며,상기 웨이퍼의 타면에 게더링 레이어(Gettering layer)를 형성한 후에, 상기 이송기판의 하측에서 상기 이송기판을 향하여 UV광을 조사함으로써 상기 접착제층와 상기 웨이퍼 사이의 접착력을 약화시키고, 분할된 상기 복수 개의 반도체 칩을 상기 접착제층 및 상기 이송기판으로부터 탈착하여 패키징하는 패키징 모듈;을 더 포함하는, 웨이퍼를 다이싱하기 위한 시스템
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1 WO2019022278 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY

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1 CN207338313 CN 중국 DOCDBFAMILY
2 WO2019022278 WO 세계지적재산권기구(WIPO) DOCDBFAMILY
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1 중소기업청 (주)예스티 월드클래스300 R&D 초박막 반도체 웨이퍼에서의 비접촉식 표면연마 및 절단 기술 개발