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웨이퍼의 일면에 형성된 복수 개의 반도체 소자들 사이에 패턴을 형성하는 단계; 및제1 플라즈마를 조사하여 상기 웨이퍼의 타면을 에칭함으로써, 상기 웨이퍼를 복수 개의 반도체 칩으로 분할하는 다이싱 단계; 를 포함하고,상기 패턴을 형성하는 단계는 상기 웨이퍼의 일정 깊이까지 홈을 형성하며,상기 웨이퍼를 복수 개의 반도체 칩으로 분할하는 다이싱 단계는,웨이퍼의 타면을 연삭하는 단계에서 형성된 가공 손상층을 제거하는 단계;상기 웨이퍼의 타면을 에칭하여 박막화하는 단계; 및웨이퍼에 패턴을 형성하는 단계에서 생성된 상기 웨이퍼의 패터닝 면의 손상을 제거하는 단계;를 포함하고,상기 웨이퍼를 복수 개의 반도체 칩으로 분할하는 다이싱 단계 이후에,상기 웨이퍼의 타면에 제2 플라즈마를 조사하여 게더링 레이어(Gettering layer)를 형성하는 단계;를 더 포함하며,상기 웨이퍼의 일면에 패턴을 형성하는 단계 이전에,반도체 소자가 형성된 웨이퍼의 일면에 보호필름을 부착하는 단계; 및상기 웨이퍼의 타면을 연삭하는 단계;를 더 포함하고,상기 보호필름은,일면이 반도체 소자가 형성된 상기 웨이퍼의 일면에 접착되는 접착제층; 및상기 접착체층의 타면에 구비되고, 웨이퍼를 연삭하는 단계에서 발생되는 기계적 강도에 대하여 상기 웨이퍼의 일면을 보호하는 보호층;을 포함하고,상기 웨이퍼의 타면을 연삭하는 단계 이후에,상기 보호필름의 상기 보호층을 박리하는 단계;를 더 포함하며,상기 웨이퍼의 일면에 패턴을 형성하는 단계 이후에,이송기판이 상기 접착제층의 타면에 부착되는 단계; 및상기 이송기판에 의하여 상기 웨이퍼의 타면이 위를 향하도록 뒤집는 단계;를 더 포함하며, 상기 이송기판이 투명하며,게더링 레이어(Gettering layer)를 형성하는 단계 이후에,상기 이송기판의 하측에서 상기 이송기판을 향하여 UV광을 조사함으로써, 상기 접착제층과 상기 웨이퍼 사이의 접착력을 약화시키는 단계; 및분할된 상기 복수 개의 반도체 칩을 상기 접착제층 및 상기 이송기판으로부터 탈착하여 패키징하는 단계;를 더 포함하는, 웨이퍼 다이싱 방법
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웨이퍼의 일면에 형성된 복수 개의 반도체 소자들 사이에 패턴을 형성하는 패터닝 모듈; 상기 웨이퍼의 타면에 제1 플라즈마를 조사하여 상기 웨이퍼를 복수 개의 반도체 칩으로 분할하는 다이싱 모듈; 상기 웨이퍼의 일면에 패턴을 형성하기 전에, 반도체 소자가 형성된 웨이퍼의 일면에 보호필름을 부착하는 부착 모듈; 및상기 보호필름을 부착한 후에, 상기 웨이퍼의 타면을 연삭하는 연삭 모듈; 및상기 웨이퍼를 복수 개의 반도체 칩으로 분할한 후에, 상기 웨이퍼의 타면에 제2 플라즈마를 조사하여 게더링 레이어(Gettering layer)를 형성하는 게더링 레이어 형성 모듈;을 포함하고,상기 패터닝 모듈은 상기 웨이퍼의 일정 깊이까지 홈을 형성하며,상기 보호필름은,일면이 상기 웨이퍼의 일면에 접착되는 접착제층; 및상기 접착체층의 타면에 구비되고, 웨이퍼를 연삭하는 동안 발생되는 기계적 강도에 대하여 상기 웨이퍼의 일면을 보호하는 보호층;을 포함하고,상기 패터닝 모듈로부터 상기 다이싱 모듈로 상기 웨이퍼를 이송시키기 위해, 상기 보호층이 박리된 상태에서 상기 접착제층의 타면에 부착되는 이송기판;을 더 포함하고, 상기 이송기판이 투명하며,상기 웨이퍼의 타면에 게더링 레이어(Gettering layer)를 형성한 후에, 상기 이송기판의 하측에서 상기 이송기판을 향하여 UV광을 조사함으로써 상기 접착제층와 상기 웨이퍼 사이의 접착력을 약화시키고, 분할된 상기 복수 개의 반도체 칩을 상기 접착제층 및 상기 이송기판으로부터 탈착하여 패키징하는 패키징 모듈;을 더 포함하는, 웨이퍼를 다이싱하기 위한 시스템
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