1 |
1
시료가 놓인 거치부를 지지하기 위한 홀더와 복수의 포트를 구비하는 챔버;상기 복수의 포트 중 하나에 배치되고, 상기 시료를 향해 조사되는 이온 빔을 발생시키는 이온빔 발생부;상기 복수의 포트 중 상측에 위치한 포트에 배치되고, 상기 이온 빔이 상기 시료에 조사되어 상기 시료로부터 방출되는 이차 이온이 비행하는 공간을 제공하는 비행 채널;상기 비행 채널을 통해 비행하는 이차 이온을 검출하는 이차 이온 검출부; 및상기 거치부의 주변 공간에 플라즈마를 발생시킴으로써, 상기 이온 빔에 의해 상기 시료 상에 축적된 전하를 보상시키는 플라즈마 발생부를 포함하고,상기 플라즈마 발생부는,상기 챔버의 포트를 통해 상기 챔버의 내부로 삽입되어 가스를 공급하는 가스관;상기 챔버의 내부로 삽입된 가스관의 단부에 설치되고, 수 마이크로 초 단위로 가스를 분무할 수 있는 펄싱 노즐;상기 분무되는 가스에 펄스 전압을 인가할 수 있는 전극 수단; 및상기 펄싱 노즐의 가스 분무 신호에 동기화하여 상기 전극 수단에 펄스 전압을 인가시키는 제어부를 포함하고,상기 제어부는, (i) 상기 펄싱 노즐에 의해 분무되는 가스를 이용하여, 상기 거치부의 주변 공간의 압력이 국부적으로 10^(-3) torr 내지 10^(-1) torr가 되도록 상승시킴과 동시에, (ii) 상기 전극 수단을 이용하여, 상기 분무된 가스에 펄스 전압을 인가시킴으로써 플라즈마를 형성하여 상기 시료 상에 축적된 전하를 보상시키는 것을 특징으로 하는 이차 이온 질량 분석기
|
2 |
2
삭제
|
3 |
3
삭제
|
4 |
4
제 1 항에 있어서,상기 전극 수단은, 상기 가스관의 둘레에 설치되는 모세관 전극이고,상기 모세관 전극은,상기 가스관을 감싸도록 설치되는 내부 전극;상기 내부 전극을 감싸도록 설치되는 외부 전극; 및상기 내부 전극 및 외부 전극 사이에 배치되는 유전체를 포함하는 이차 이온 질량 분석기
|
5 |
5
제 1 항에 있어서,상기 전극 수단은,상기 챔버 내부에서 상기 거치부를 중심을 기준으로 서로 반대편에 배치되어 상기 가스관을 통해 분무된 가스를 플라즈마화 시키는 한 쌍의 전극인 이차 이온 질량 분석기
|
6 |
6
수 마이크로 초 단위로 가스를 분무할 수 있는 펄싱 노즐을 이용하여, 절연성 시료가 놓인 거치부를 향해 가스를 분무시킴으로써, 상기 거치부의 주변 공간의 압력이 국부적으로 10^(-3) torr 내지 10^(-1) torr 가 되도록 상승시키는 가스 분무 단계; 및상기 가스 분무 단계와 동시에 수행되고, 상기 가스가 분무되는 가스관에 설치된 모세관 전극을 이용하여, 상기 분무된 가스에 펄스 전압을 인가시킴으로써, 상기 거치부의 주변 공간에 플라즈마를 형성하여 상기 절연성 시료 상에 축적된 전하를 보상시키는 전압 인가 단계를 포함하는 이차 이온 질량 분석기의 제어 방법
|
7 |
7
수 마이크로 초 단위로 가스를 분무할 수 있는 펄싱 노즐을 이용하여, 절연성 시료가 놓인 거치부를 향해 가스를 분무시킴으로써, 상기 거치부의 주변 공간의 압력이 국부적으로 10^(-3) torr 내지 10^(-1) torr 가 되도록 상승시키는 가스 분무 단계; 및상기 가스 분무 단계와 동시에 수행되고, 상기 거치부의 중심으로 서로 반대편에 각각 배치되어 각각 배치되는 한 쌍의 전극을 이용하여, 상기 분무된 가스에 펄스 전압을 인가시킴으로써, 상기 거치부의 주변 공간에 플라즈마를 형성하여 상기 절연성 시료 상에 축적된 전하를 보상시키는 전압 인가 단계를 포함하는 이차 이온 질량 분석기의 제어 방법
|
8 |
8
삭제
|