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측정하고자 하는 샘플 타겟을 지지하기 위한 타겟 지지부;상기 샘플 타겟에 입사시키기 위한 레이저 펄스를 생성하는 레이저 펄스 생성부;상기 레이저 펄스가 상기 샘플 타겟을 통과하여 발생된 2차 광선의 진행 경로 상에 위치하며, 상기 2차 광선에 자기장을 인가함으로써 상기 2차 광선에 포함된 전자빔의 스펙트럼을 측정하기 위한 전자빔 스펙트럼 측정부;상기 2차 광선의 진행 경로 상에 위치하며, 상기 2차 광선에 전기장을 인가함으로써 상기 2차 광선에 포함된 이온빔의 스펙트럼을 측정하고, 상기 2차 광선에 포함된 이온빔을 반사시키면서, 상기 2차 광선에 포함된 엑스선은 상기 2차 광선의 진행 경로를 따라 통과시키기 위한 중공이 형성된 홀 미러와, 상기 홀 미러에서 반사된 이온빔의 스펙트럼을 측정하는 이온빔 스펙트럼 측정 센서를 구비하는 이온빔 스펙트럼 측정부; 및상기 홀 미러를 통과하는 엑스선을 측정하는 엑스선 측정부를 포함하고,상기 전자빔 스펙트럼 측정부는, 상기 전자빔을 상기 2차 광선의 진행 경로로부터 벗어나게 하고, 상기 이온빔 스펙트럼 측정부는, 상기 이온빔을 상기 2차 광선의 진행 경로로부터 벗어나게 하고,상기 엑스선 측정부는,상기 홀 미러를 통과하는 엑스선 중 파장이 1nm 이상의 연엑스선을 분광시켜 발생하는 스펙트럼을 측정하는 연엑스선 스펙트럼 측정부와, 상기 홀 미러를 통과하는 엑스선 중 파장이 1nm 미만의 경엑스선을 분광시켜 발생하는 스펙트럼을 측정하는 경엑스선 스펙트럼 측정부와, 상기 홀 미러를 통과하는 엑스선 중 파장이 1nm 이상의 연엑스선을 이용하여 이미징을 수행하는 연엑스선 이미지 측정부와, 상기 홀 미러를 통과하는 엑스선 중 파장이 1nm 미만의 경엑스선을 이용하여 이미징을 수행하는 경엑스선 이미지 측정부 중 적어도 2 개 이상의 측정부; 및상기 연엑스선 스펙트럼 측정부, 경엑스선 스펙트럼 측정부, 연엑스선 이미지 측정부 및 경엑스선 이미지 측정부 중 적어도 2개 이상의 측정부가 설치되어 상기 적어도 2개 이상의 측정부를 선택적으로 상기 홀 미러를 통과하는 엑스선의 진행 경로 상에 위치시킬 수 있는 가이드 레일을 포함하는 엑스선 분광 및 이미징 측정 시스템
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제 1 항에 있어서,상기 전자빔 스펙트럼 측정부는, 상기 2차 광선의 진행 경로를 기준으로 대향하도록 배치되는 한 쌍의 마그넷을 구비하는 자기장 생성부를 포함하고,상기 이온빔 스펙트럼 측정부는, 상기 2차 광선의 진행 경로를 기준으로 대향하도록 배치되는 한 쌍의 전극을 구비하는 전기장 생성부를 포함하는 엑스선 분광 및 이미징 측정 시스템
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제 2 항에 있어서,상기 2차 광선의 진행 경로를 기준으로, 상기 자기장 생성부는 상기 전기장 생성부보다 상류측에 위치하는 것을 특징으로 하는 엑스선 분광 및 이미징 측정 시스템
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제 3 항에 있어서,상기 한 쌍의 전극이 이격된 방향은 상기 한 쌍의 마그넷이 이격된 방향과 동일한 것을 특징으로 하는 엑스선 분광 및 이미징 측정 시스템
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제 4 항에 있어서,상기 자기장 생성부는, 상기 2차 광선에 포함된 전자빔을 상기 2차 광선의 진행 경로로부터 80° 내지 90° 사이로 편향시키는 것을 특징으로 하는 엑스선 분광 및 이미징 측정 시스템
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제 2 항에 있어서,상기 전자빔 스펙트럼 측정부는,상기 자기장 생성부로부터 편향된 전자빔을 가시화하기 위한 관측 필름; 및상기 관측 필름을 통과하는 전자빔의 스펙트럼을 측정하는 전자빔 스펙트럼 측정 센서를 더 포함하는 엑스선 분광 및 이미징 측정 시스템
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제 2 항에 있어서,상기 이온빔 스펙트럼 측정부는,상기 2차 광선의 진행 경로를 기준으로, 상기 홀 미러 및 전기장 생성부 사이에 배치되고, 상기 전기장 생성부에서 분광된 이온빔의 스펙트럼을 가시화할 수 있도록, 형광체가 도포된 마이크로 채널 플레이트를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 엑스선 분광 및 이미징 측정 시스템
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제 1 항에 있어서,상기 가이드 레일은 원호 형상을 가지고,상기 가이드 레일이 회전함에 따라서, 상기 적어도 2개 이상의 측정부가 선택적으로 상기 홀 미러를 통과하는 엑스선의 진행 경로 상에 위치되는 것을 특징으로 하는 엑스선 분광 및 이미징 측정 시스템
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