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금속 할라이드 페로브스카이트 발광소자 및 이의 제조방법

  • 기술번호 : KST2019034539
  • 담당센터 : 대구기술혁신센터
  • 전화번호 : 053-550-1450
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 금속 할라이드 페로브스카이트 발광소자 및 이의 제조방법을 제공한다. 본 발명의 발광소자는 기판, 기판 상에 위치하는 제1 전극, 제1 전극 상에 위치하고, 금속 할라이드 페로브스카이트 물질을 포함하는 발광층 및 발광층 상에 위치하는 제2 전극을 포함하고, 발광층은 유기 저분자 첨가제를 더 포함하는 것을 특징으로 하고, 유기 저분자 첨가제는 10 내지 1000의 분자량을 가지는, 티올기(-SH)를 포함하는 화합물의 군, N 원자를 포함하는 벤젠 유도체의 군, S 원자를 포함하는 벤젠 유도체의 군, O 원자를 포함하는 벤젠 유도체의 군 또는 N, S 및 0 원자에서 선택되는 둘 이상의 원자를 포함하는 벤젠 유도체의 군에서 선택되는 것을 포함한다. 본 발명에 따르면, 유기 저분자 첨가제를 포함한 금속 할라이드 페로브스카이트 발광 소자를 제공함으로써, 페로브스카이트 결정립계에서 발생하는 엑시톤 소멸을 방지하여 발광 효율 및 휘도가 개선된 금속 할라이드 페로브스카이트 발광 소자를 제공할 수 있다.
Int. CL C09K 11/61 (2006.01.01) H01L 51/50 (2006.01.01) H01L 51/56 (2006.01.01) H01L 51/52 (2006.01.01) C09K 11/06 (2006.01.01) H01L 33/38 (2010.01.01) H01L 33/00 (2010.01.01)
CPC C09K 11/616(2013.01) C09K 11/616(2013.01) C09K 11/616(2013.01) C09K 11/616(2013.01) C09K 11/616(2013.01) C09K 11/616(2013.01) C09K 11/616(2013.01) C09K 11/616(2013.01) C09K 11/616(2013.01) C09K 11/616(2013.01)
출원번호/일자 1020160016184 (2016.02.12)
출원인 포항공과대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1755983-0000 (2017.07.03)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20170710) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2016.02.12)
심사청구항수 21

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 포항공과대학교 산학협력단 대한민국 경상북도 포항시 남구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이태우 대한민국 경상북도 포항시 남구
2 김호범 대한민국 경기도 고양시 일산동구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인이상 대한민국 서울특별시 서초구 바우뫼로 ***(양재동, 우도빌딩 *층)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 포항공과대학교 산학협력단 대한민국 경상북도 포항시 남구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2016.02.12 수리 (Accepted) 1-1-2016-0140123-13
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2016.10.10 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2016.12.09 수리 (Accepted) 9-1-2016-0049974-24
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2016.12.19 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0913987-99
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2017.02.20 수리 (Accepted) 1-1-2017-0172860-62
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2017.02.20 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2017-0172861-18
7 등록결정서
Decision to grant		 2017.05.08 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0323294-74
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.11.20 수리 (Accepted) 4-1-2019-5243581-27
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.11.22 수리 (Accepted) 4-1-2019-5245997-53
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.11.25 수리 (Accepted) 4-1-2019-5247115-68
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판;상기 기판 상에 위치하는 제1 전극;상기 제1 전극 상에 위치하고, 금속 할라이드 페로브스카이트 물질을 포함하는 발광층; 및상기 발광층 상에 위치하는 제2 전극을 포함하고,상기 발광층은 유기 저분자 첨가제를 더 포함하는 것을 특징으로 하고,상기 유기 저분자 첨가제는 10 내지 1000의 분자량을 가지는, 티올기(-SH)를 포함하는 화합물의 군, N 원자를 포함하는 벤젠 유도체의 군, S 원자를 포함하는 벤젠 유도체의 군, O 원자를 포함하는 벤젠 유도체의 군 또는 N, S 및 0 원자에서 선택되는 둘 이상의 원자를 포함하는 벤젠 유도체의 군에서 선택되는 것을 포함하고,상기 티올기(-SH)를 포함하는 화합물은 하기 화학식 1 또는 2로 표시되는 것을 포함하는 금속 할라이드 페로브스카이트 발광 소자:003c#화학식 1003e#상기 화학식 1중, R은 alkyl 기, aryl 기 또는 alkyl 기와 aryl 기가 혼합된 형태;003c#화학식 2003e#상기 화학식 2중, R은 alkyl 기, aryl 기 또는 alkyl 기와 aryl 기가 혼합된 형태;
2 2
삭제
3 3
제1항에 있어서, 상기 N 원자를 포함하는 벤젠 유도체의 군은 Pyridine, Quinoline, Isoquionoline, Pyrazine, Quinoxaline, Acridine, Pyrimidine, Quinazoline, Pyridazine, Cinnoline, Phthalazine, 1,2,3-Triazine, 1,2,4-Triazine, 1,3,5-Triazine, Pyrrole, Pyrazole, Indole, Isoindole, Imidazole, Benzimidazol, Purine, Adenine 또는 Indazole을 포함하는 금속 할라이드 페로브스카이트 발광 소자
4 4
제1항에 있어서, 상기 S 원자를 포함하는 벤젠 유도체의 군은 Thiophene, benzothiophene 또는 benzo[c]thiophene을 포함하는 금속 할라이드 페로브스카이트 발광 소자
5 5
제1항에 있어서,상기 O 원자를 포함하는 벤젠 유도체의 군은 Furan, Benzofuran 또는 Isobenzofuran을 포함하는 금속 할라이드 페로브스카이트 발광 소자
6 6
제1항에 있어서,상기 N, S 및 0 원자에서 선택되는 둘 이상의 원자를 포함하는 벤젠 유도체의 군은 Oxazole, Benzoxazole, Benzisoxazole, Isoxazole, Thiazole, Guanine, Hypoxanthine, Xanthine, Theobromine, Caffeine, Uric acid, Isoguanine, Cytosine, Thymine, Uracil 또는 Benzothiazole을 포함하는 금속 할라이드 페로브스카이트 발광 소자
7 7
제1항에 있어서, 상기 금속 할라이드 페로브스카이트는 A2BX4, ABX4, ABX3 또는 An-1BnX3n+1의 구조(n은 2 내지 6사이의 정수)를 포함하고,상기 A는 유기암모늄 또는 알칼리금속이고, 상기 B는 금속이고, 상기 X는 할로겐 원소인 금속 할라이드 페로브스카이트 발광 소자
8 8
제7항에 있어서,상기 A는 (CxH2x+1NH3)n+, (CH(NH2)2)n+, (NH4)n+, (NF4)n+, (NCl4)n+, (PH4)n+, (PF4)n+, (PCl4)n+, (C(NH2)3)n+, ((CxH2x+1)nNH3)2(CH3NH3)n+, (CF3NH3)n+, ((CxF2x+1)nNH3)2(CF3NH3)n+, ((CxF2x+1)nNH3)n+, (CH3PH3)n+, (CH3AsH3)n+, (CH3SbH3)n+, (AsH4)n+, (SbH4)n+, Cs+, K+ (n은 1 이상인 정수, x는 1 이상의 정수) 또는 이들의 조합이고, 상기 B는 Pb2+, Sn2+, Ge2+, Ga2+, In2+, Al2+, Po2+, Cu2+, Ni2+, Co2+, Fe2+, Mn2+, Pd2+, Cd2+, Eu2+, Yb2+, Sb3+, Bi3+ 또는 이들의 조합이고,상기 X는 Cl-, Br-, I- 또는 이들의 조합인 금속 할라이드 페로브스카이트 발광 소자
9 9
제1항에 있어서,상기 발광층의 두께는 10nm 내지 10㎛인 금속 할라이드 페로브스카이트 발광 소자
10 10
제1항에 있어서,상기 제1 전극은,금속, 전도성 고분자, 금속성 탄소나노튜브, 그라펜, 환원된 산화그라펜, 금속 나노와이어, 탄소 나노점, 금속 나노점, 전도성 산화물로 이루어진 군으로부터 선택되는 적어도 하나를 포함하거나 이들의 조합인 금속 할라이드 페로브스카이트 발광 소자
11 11
제1항에 있어서,상기 제2 전극은,금속, 전도성 고분자, 금속성 탄소나노튜브, 그라펜, 환원된 산화그라펜, 금속 나노와이어, 탄소 나노점, 금속 나노점, 전도성 산화물로 이루어진 군으로부터 선택되는 적어도 하나를 포함하거나 이들의 조합인 금속 할라이드 페로브스카이트 발광 소자
12 12
기판 상에 제1 전극을 형성하는 단계;상기 제1 전극 상에 금속 할라이드 페로브스카이트 물질 및 유기 저분자 첨가제를 포함하는 발광층을 형성하는 단계; 및상기 발광층 상에 제2 전극을 형성하는 단계를 포함하고,상기 유기 저분자 첨가제는 10 내지 1000의 분자량을 가지는, 티올기(-SH)를 포함하는 화합물의 군, N 원자를 포함하는 벤젠 유도체의 군, S 원자를 포함하는 벤젠 유도체의 군, O 원자를 포함하는 벤젠 유도체의 군 또는 N, S 및 0 원자에서 선택되는 둘 이상의 원자를 포함하는 벤젠 유도체의 군에서 선택되는 것을 포함하고,상기 티올기(-SH)를 포함하는 화합물은 하기 화학식 1 또는 2로 표시되는 것인 금속 할라이드 페로브스카이트 발광 소자 제조방법:003c#화학식 1003e#상기 화학식 1중, R은 alkyl 기, aryl 기 또는 alkyl 기와 aryl 기가 혼합된 형태;003c#화학식 2003e#상기 화학식 2중, R은 alkyl 기, aryl 기 또는 alkyl 기와 aryl 기가 혼합된 형태;
13 13
삭제
14 14
제12항에 있어서, 상기 N 원자를 포함하는 벤젠 유도체의 군은 Pyridine, Quinoline, Isoquionoline, Pyrazine, Quinoxaline, Acridine, Pyrimidine, Quinazoline, Pyridazine, Cinnoline, Phthalazine, 1,2,3-Triazine, 1,2,4-Triazine, 1,3,5-Triazine, Pyrrole, Pyrazole, Indole, Isoindole, Imidazole, Benzimidazol, Purine, Adenine 또는 Indazole을 포함하는 금속 할라이드 페로브스카이트 발광 소자 제조방법
15 15
제12항에 있어서, 상기 S 원자를 포함하는 벤젠 유도체의 군은 Thiophene, benzothiophene 또는 benzo[c]thiophene을 포함하는 금속 할라이드 페로브스카이트 발광 소자 제조방법
16 16
제12항에 있어서,상기 O 원자를 포함하는 벤젠 유도체의 군은 Furan, Benzofuran 또는 Isobenzofuran을 포함하는 금속 할라이드 페로브스카이트 발광 소자 제조방법
17 17
제12항에 있어서,상기 N, S 및 0 원자에서 선택되는 둘 이상의 원자를 포함하는 벤젠 유도체의 군은 Oxazole, Benzoxazole, Benzisoxazole, Isoxazole, Thiazole, Guanine, Hypoxanthine, Xanthine, Theobromine, Caffeine, Uric acid, Isoguanine, Cytosine, Thymine, Uracil 또는 Benzothiazole을 포함하는 금속 할라이드 페로브스카이트 발광 소자 제조방법
18 18
제12항에 있어서,상기 금속 할라이드 페로브스카이트 물질 및 유기 저분자 첨가제를 포함하는 발광층을 형성하는 단계는,금속 할라이드 페로브스카이트 및 유기 저분자 첨가제의 혼합 용액을 준비하는 단계; 및상기 금속 할라이드 페로브스카이트 및 유기 저분자 첨가제 혼합 용액을 상기 제1 전극상에 코팅하는 단계를 포함하는 것인 금속 할라이드 페로브스카이트 발광 소자 제조방법
19 19
제18항에 있어서,상기 금속 할라이드 페로브스카이트 및 유기 저분자 첨가제 혼합 용액은, 상기 유기 저분자 첨가제가 상기 금속 할라이드 페로브스카이트 용액 100 중량부에 대하여 0
20 20
제18항에 있어서,상기 금속 할라이드 페로브스카이트 및 유기 저분자 첨가제 혼합 용액은, 상기 유기 저분자 첨가제는 상기 금속 할라이드 페로브스카이트 용액의 용질 100 중량부에 대하여 0
21 21
제18항에 있어서, 상기 코팅은 스핀코팅, 바코팅, 노즐 프린팅, 스프레이 코팅, 슬롯다이코팅, 그라비아 프린팅, 잉크젯 프린팅, 스크린 프린팅, 전기수력학적 젯 프린팅 (electrohydrodynamic jet printing), 및 전기분무(electrospray)로 이루어진 군으로부터 선택되어 이루어지는 것인 금속 할라이드 페로브스카이트 발광 소자 제조방법
22 22
제12항에 있어서,상기 금속 할라이드 페로브스카이트 물질 및 유기 저분자 첨가제를 포함하는 발광층을 형성하는 단계 이후에,상기 발광층 상에 제2 전극을 형성하기 전에 상기 발광층을 열처리하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 금속 할라이드 페로브스카이트 발광 소자 제조방법
23 23
제22항에 있어서,상기 열처리의 온도는 상온 내지 200℃ 이하인 것을 특징으로 하는 금속 할라이드 페로브스카이트 발광 소자 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.