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금속 할라이드 페로브스카이트 나노결정입자 박막 제조방법 및 이를 이용한 광전자 소자

  • 기술번호 : KST2019034555
  • 담당센터 : 대구기술혁신센터
  • 전화번호 : 053-550-1450
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 금속 할라이드 페로브스카이트 나노결정입자 박막 제조방법 및 이를 이용한 광전자 소자를 제공한다. 금속 할라이드 페로브스카이트 나노결정입자 박막 제조방법은 유기 용매에 분산된 금속 할라이드 페로브스카이트 나노결정입자를 포함하는 유기 용액을 준비하는 단계, 기판 상에 상기 유기 용액을 도포하여 페로브스카이트 나노결정입자 박막을 형성하는 단계 및 상기 형성된 나노결정입자 박막을 공기 분사를 통해 건조하는 단계를 포함한다. 따라서, 금속 할라이드 페로브스카이트 나노결정입자를 바코팅 등과 같이 제조시간이 짧고, 롤투롤 (Roll-to-roll) 방법과 대면적에 적합한 프린팅 방법으로 나노결정입자 박막을 제조할 수 있다.
Int. CL C09K 11/00 (2006.01.01) H01L 51/50 (2006.01.01) C09K 11/06 (2006.01.01) C09K 11/02 (2006.01.01)
CPC C09K 11/00(2013.01) C09K 11/00(2013.01) C09K 11/00(2013.01) C09K 11/00(2013.01)
출원번호/일자 1020160037516 (2016.03.29)
출원인 포항공과대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1746335-0000 (2017.06.05)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20170621) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2016.03.29)
심사청구항수 20

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 포항공과대학교 산학협력단 대한민국 경상북도 포항시 남구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이태우 대한민국 경상북도 포항시 남구
2 김영훈 대한민국 대전광역시 대덕구
3 김호범 대한민국 경기도 고양시 일산동구
4 변진우 대한민국 경기도 용인시 기흥구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인이상 대한민국 서울특별시 서초구 바우뫼로 ***(양재동, 우도빌딩 *층)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 포항공과대학교 산학협력단 대한민국 경상북도 포항시 남구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2016.03.29 수리 (Accepted) 1-1-2016-0299953-64
2 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2017.01.17 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0041714-12
3 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2017.03.15 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2017-0254307-36
4 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2017.03.15 수리 (Accepted) 1-1-2017-0254306-91
5 등록결정서
Decision to grant		 2017.05.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0374644-35
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.11.20 수리 (Accepted) 4-1-2019-5243581-27
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.11.22 수리 (Accepted) 4-1-2019-5245997-53
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.11.25 수리 (Accepted) 4-1-2019-5247115-68
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
유기 용매에 분산된 금속 할라이드 페로브스카이트 나노결정입자를 포함하는 유기 용액을 준비하는 단계;기판 상에 상기 유기 용액을 도포하여 페로브스카이트 나노결정입자 박막을 형성하는 단계; 및상기 형성된 나노결정입자 박막을 공기 분사를 통해 건조하는 단계를 포함하고,상기 유기 용액을 준비하는 단계는,제1유기 용매에 금속 할라이드 페로브스카이트가 녹아있는 제1 용액 및 제2유기 용매에 계면활성제가 녹아있는 제2 용액을 준비하는 단계; 및상기 제1 용액을 상기 제2 용액에 섞어 금속 할라이드 페로브스카이트 나노결정입자를 형성하는 단계를 포함하는 페로브스카이트 나노결정입자 박막 제조방법
2 2
제1항에 있어서,상기 건조하는 단계는 70 ℃ 내지 100 ℃ 온도의 공기를 분사하는 것을 특징으로 하는 금속 할라이드 페로브스카이트 나노결정입자 박막 제조방법
3 3
제1항에 있어서,상기 금속 할라이드 페로브스카이트 나노결정입자는 1 nm 내지 30nm의 지름을 갖는 것을 특징으로 하는 금속 할라이드 페로브스카이트 나노결정입자 박막 제조방법
4 4
제 1항에 있어서,상기 페로브스카이트 나노결정입자 박막을 형성하는 단계는 바 코팅, 스프레이 코팅, 슬롯다이 코팅, 그라비아 코팅, 블레이드 코팅, 스크린 프린팅, 노즐 프린팅, 잉크젯 프린팅, 전기수력학적 젯 프린팅, 전기분무 또는 일렉트로스피닝을 수행하여 도포하는 것을 특징으로 하는 금속 할라이드 페로브스카이트 나노결정입자 박막 제조방법
5 5
삭제
6 6
제 1항에 있어서, 상기 제1 및 제2유기 용매는 양성자성 용매 및 비양성자성 용매를 포함하고,상기 제1유기 용매는 다이메틸폼아마이드(dimethylformamide), 감마 부티로락톤(gamma butyrolactone), N-메틸피롤리돈(N-methylpyrrolidone) 또는 디메틸설폭사이드(dimethylsulfoxide)를 포함하고,상기 제2유기 용매는 다이클로로에틸렌, 트라이클로로에틸렌, 클로로포름, 클로로벤젠, 다이클로로벤젠, 스타이렌, 자일렌, 톨루엔, 사이클로헥센 또는 이소프로필알콜을 포함하는 페로브스카이트 나노결정입자 박막 제조방법
7 7
제1항에 있어서,상기 페로브스카이트 나노결정입자는 구형, 원기둥, 타원기둥 또는 다각기둥 형태인 것을 특징으로 하는 페로브스카이트 나노결정입자 박막 제조방법
8 8
제1항에 있어서,상기 페로브스카이트 나노결정입자의 밴드갭 에너지는 입자크기에 의해서 의존하지 않고 결정의 구조에 의해서 결정되는 것을 특징으로 하는 페로브스카이트 나노결정입자 박막 제조방법
9 9
제1항에 있어서,상기 페로브스카이트 나노결정입자의 밴드갭 에너지는 1 eV 내지 5 eV인 페로브스카이트 나노결정입자 박막 제조방법
10 10
제1항에 있어서,상기 페로브스카이트는 ABX3, A2BX4, ABX4 또는 An-1BnX3n+1(n은 2 내지 6사이의 정수)의 구조를 포함하고,상기 A는 아미디늄계 유기물질, 유기암모늄 물질 또는 알칼리금속 물질이고, 상기 B는 금속 물질이고, 상기 X는 할로겐 원소인,페로브스카이트 나노결정입자 박막 제조방법
11 11
제10항에 있어서,상기 아미디늄계 유기물질은 포름아미디늄，아세트아미디늄 또는 구아미디늄이고,상기 유기암모늄 물질은 (CH3NH3)n, ((CxH2x+1)nNH3)2(CH3NH3)n, (RNH3)2, (CnH2n+1NH3)2, (CF3NH3), (CF3NH3)n, ((CxF2x+1)nNH3)2(CF3NH3)n, ((CxF2x+1)nNH3)2 또는 (CnF2n+1NH3)2이고 (n은 1이상인 정수, x는 1이상인 정수),상기 알칼리금속 물질은 Na, K, Rb, Cs 또는 Fr이고,상기 B는 2가의 전이 금속, 희토류 금속, 알칼리 토류 금속, Pb, Sn, Ge, Ga, In, Al, Sb, Bi, Po, 또는 이들의 조합이고,상기 X는 Cl, Br, I 또는 이들의 조합인,페로브스카이트 나노결정입자 박막 제조방법
12 12
제1항에 있어서,상기 페로브스카이트 나노결정입자는 표면을 둘러싸는 복수개의 유기리간드들을 더 포함하는 것을 특징을 하는 페로브스카이트 나노결정입자 박막 제조방법
13 13
제12항에 있어서,상기 유기리간드는 알킬할라이드 또는 카르복실 산을 포함하는 페로브스카이트 나노결정입자 박막 제조방법
14 14
제13항에 있어서,상기 알킬할라이드의 알킬 구조는 CnH2n+1의 구조를 가지는 비고리형 알킬(acyclic alkyl), 일차 알코올(primary alcohol), 이차 알코올(secondary alcohol), 삼차 알코올(tertiary alcohol), 알킬아민(alkylamine), p-치환된 아닐린(p-substituted aniline), 페닐 암모늄(phenyl ammonium) 또는 플루오린 암모늄(fluorine ammonium)을 포함하고,상기 카르복실 산은 4,4'-아조비스(4-시아노팔레릭 에시드) (4,4'-Azobis(4-cyanovaleric acid)), 아세틱 에시드(Acetic acid), 5-마이노살리클릭 에시드 (5-Aminosalicylic acid), 아크리릭 에시드 (Acrylic acid), L-아스펜틱 에시드 (L-Aspentic acid), 6-브로헥사노익 에시드 (6-Bromohexanoic acid), 프로모아세틱 에시드 (Bromoacetic acid), 다이클로로 아세틱 에시드 (Dichloro acetic acid), 에틸렌디아민테트라아세틱 에시드 (Ethylenediaminetetraacetic acid), 이소부티릭 에시드 (Isobutyric acid), 이타코닉 에시드 (Itaconic acid), 말레익 에시드 (Maleic acid), r-말레이미도부틸릭 에시드 (r-Maleimidobutyric acid), L-말릭 에시드 (L-Malic acid), 4-나이트로벤조익 에시드 (4-Nitrobenzoic acid), 1-파이렌카르복실릭 에시드 (1-Pyrenecarboxylic acid) 또는 올레익 에시드 (oleic acid) 을 포함하는 페로브스카이트 나노결정입자 박막 제조방법
15 15
제1항에 있어서,상기 페로브스카이트는 도핑된 페로브스카이트인 것을 특징으로 하는 페로브스카이트 나노결정입자 박막 제조방법
16 16
제15항에 있어서,상기 도핑된 페로브스카이트는 ABX3, A2BX4, ABX4 또는 An-1BnX3n+1(n은 2 내지 6사이의 정수)의 구조를 포함하고, 상기 A의 일부가 A'로 치환되거나, 상기 B의 일부가 B'로 치환되거나, 상기 X의 일부가 X'로 치환된 것을 특징으로 하고,상기 A 및 A'는 아미디늄계 유기물질, 유기암모늄 물질 또는 알칼리금속 물질이고, 상기 B 및 B'는 금속물질이고, 상기 X 및 X'는 할로겐 원소인,페로브스카이트 나노결정입자 박막 제조방법
17 17
제16항에 있어서,상기 아미디늄계 유기물질은 포름아미디늄，아세트아미디늄 또는 구아미디늄이고,상기 유기암모늄 물질은 (CH3NH3)n, ((CxH2x+1)nNH3)2(CH3NH3)n, (RNH3)2, (CnH2n+1NH3)2, (CF3NH3), (CF3NH3)n, ((CxF2x+1)nNH3)2(CF3NH3)n, ((CxF2x+1)nNH3)2 또는 (CnF2n+1NH3)2이고 (n은 1이상인 정수, x는 1이상인 정수),상기 B 및 B'는 2가의 전이 금속, 희토류 금속, 알칼리 토류 금속, Pb, Sn, Ge, Ga, In, Al, Sb, Bi 또는 Po이고,상기 X 및 X'는 Cl, Br 또는 I인,페로브스카이트 나노결정입자 박막 제조방법
18 18
제16항에 있어서,상기 A의 일부가 A'로 치환되거나, 상기 B의 일부가 B'로 치환되거나, 상기 X의 일부가 X'로 치환된 비율이 0
19 19
제1항에 있어서,상기 나노결정입자는 코어-쉘 구조 또는 그래디언트 조성을 가지는 구조인 것을 특징으로 하는 페로브스카이트 나노결정입자 박막 제조방법
20 20
제1 전극;제2 전극; 및상기 제1 전극 및 제2 전극 사이에 위치하되, 제1항 내지 제4항, 제6항 내지 제19항 중 어느 한 항의 제조방법에 의해 제조된 페로브스카이트 나노결정입자 박막을 포함하는 발광층을 포함하는 발광소자
21 21
제1 전극;제2 전극; 및상기 제1 전극 및 제2 전극 사이에 위치하되, 제1항 내지 제4항, 제6항 내지 제19항 중 어느 한 항의 제조방법에 의해 제조된 페로브스카이트 나노결정입자 박막을 포함하는 광활성층을 포함하는 태양전지
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.