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티오펜 기반 공중합체를 포함하는 유기박막 트랜지스터 및 그의 제조방법

  • 기술번호 : KST2019034556
  • 담당센터 : 대구기술혁신센터
  • 전화번호 : 053-550-1450
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 기판 상에 형성된 게이트 전극; 게이트 전극을 절연시키는 게이트 절연막; 및 게이트 절연막 상에 형성되는 유기 반도체층 및 소스 전극과 드레인 전극;을 포함하고, 유기 반도체층이 소스 전극과 드레인 전극 사이에 위치하거나 또는 소스 전극과 드레인 전극이 유기 반도체층 상에 위치하고, 유기 반도체층이 하기 화학식 1로 표시되는 공중합체를 포함하는 유기박막 트랜지스터에 관한 것이다. 본 발명의 유기박막 트랜지스터는 곁사슬을 포함하지 않는 티오페닐렌을 반복단위로 포함하여 결정성이 낮으며, 비결정 부분에서의 π-π 스태킹(π-π stacking)이 향상된 공중합체를 적용하여 전하이동도가 향상될 수 있다. 또한, 본 발명의 유기박막 트랜지스터의 제조방법은 용액 공정을 적용할 수 있어 제조가 용이하며, 유연소자의 제조에 응용할 수 있다.[화학식 1]
Int. CL H01L 51/05 (2006.01.01) H01L 51/00 (2006.01.01) C07D 333/10 (2006.01.01)
CPC H01L 51/0545(2013.01) H01L 51/0545(2013.01) H01L 51/0545(2013.01) H01L 51/0545(2013.01) H01L 51/0545(2013.01) H01L 51/0545(2013.01)
출원번호/일자 1020160042310 (2016.04.06)
출원인 포항공과대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1765741-0000 (2017.08.01)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20170807) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2016.04.06)
심사청구항수 13

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 포항공과대학교 산학협력단 대한민국 경상북도 포항시 남구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 박태호 대한민국 경상북도 포항시 남구
2 손성윤 대한민국 경기도 부천시 소사구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 이수열 대한민국 서울특별시 서초구 반포대로**길 **(서초동) *층(국제특허다호)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 포항공과대학교 산학협력단 경상북도 포항시 남구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2016.04.06 수리 (Accepted) 1-1-2016-0333422-20
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2016.11.10 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2017.01.04 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-6-2017-0002809-71
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2017.01.05 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0015326-56
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2017.03.06 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2017-0222728-50
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2017.03.06 수리 (Accepted) 1-1-2017-0222665-72
7 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)		 2017.06.15 불수리 (Non-acceptance) 1-1-2017-0573173-53
8 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)		 2017.06.19 수리 (Accepted) 1-1-2017-0586095-94
9 서류반려이유통지서
Notice of Reason for Return of Document		 2017.06.19 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2017-0082399-74
10 [반려요청]서류반려요청(반환신청)서
[Request for Return] Request for Return of Document		 2017.06.20 수리 (Accepted) 1-1-2017-0589148-30
11 서류반려통지서
Notice for Return of Document		 2017.06.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2017-0084383-91
12 등록결정서
Decision to grant		 2017.07.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0528603-97
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.11.20 수리 (Accepted) 4-1-2019-5243581-27
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.11.22 수리 (Accepted) 4-1-2019-5245997-53
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.11.25 수리 (Accepted) 4-1-2019-5247115-68
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판 상에 형성된 게이트 전극;상기 게이트 전극을 절연시키는 게이트 절연막; 및상기 게이트 절연막 상에 형성되는 유기 반도체층 및 소스 전극과 드레인 전극; 을 포함하고,상기 유기 반도체층이 상기 소스 전극과 드레인 전극 사이에 위치하거나 또는 상기 소스 전극과 드레인 전극이 상기 유기 반도체층 상에 위치하고,상기 유기 반도체층이 하기 화학식 1로 표시되는 랜덤공중합체를 포함하고, 상기 랜덤공중합체가 결정 부분과 비결정 부분을 포함하고,상기 랜덤공중합체가 형성하는 유기 반도체층의 결정화도는 1 내지 30%이고,상기 비결정 부분이 증가할수록 전하이동도가 증가하는 것인 유기박막 트랜지스터
2 2
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3 3
삭제
4 4
삭제
5 5
제1항에 있어서,상기 결정화도가 10 내지 30%인 것을 특징을 하는 유기박막 트랜지스터
6 6
제1항에 있어서,상기 결정화도가 12
7 7
제6항에 있어서,상기 비결정 부분의 공중합체가 π-π 스태킹(π-π stacking)을 형성하는 것을 특징으로 하는 유기박막 트랜지스터
8 8
삭제
9 9
(a) 기판상에 게이트 전극을 형성하는 단계;(b) 상기 게이트 전극 상에 게이트 절연막을 형성하는 단계; (c) 하기 화학식 1로 표시되는 공중합체를 상기 게이트 절연막 상에서 결정화시켜 π-π 스태킹이 형성된 유기 반도체층을 형성하는 단계; 및 (d) 상기 유기 반도체층 상에 소스 전극 및 드레인 전극을 형성하는 단계;를 포함하고, m:n의 비율을 조절하여 상기 유기 반도체층의 비결정 부분의 공중합체의 π-π 스태킹 정도(degree of π-π stacking)를 조절하고, m:n의 비율을 조절하여 상기 유기 반도체층의 결정화도를 조절하는 것인 유기 박막트랜지스터의 제조방법
10 10
삭제
11 11
삭제
12 12
제9항에 있어서,단계 (c)가, (c-1) 상기 공중합체를 유기 용매에 용해시켜 공중합체 용액을 제조하는 단계;(c-2) 상기 공중합체 용액을 상기 게이트 절연막 상에 코팅하는 단계; 및 (c-3) 상기 게이트 절연막 상에 코팅된 공중합체 용액을 건조하며 결정화시켜 π-π 스태킹이 형성된 유기 반도체층을 형성하는 단계;를포함하는 것을 특징으로 하는 유기 박막트랜지스터의 제조방법
13 13
제12항에 있어서,상기 유기 용매가 테트라하이드로퓨란, 클로로포름, 다이클로로메탄, 클로로벤젠, 다이클로로벤젠, 트라이클로로벤젠, 톨루엔, 및 p-자일렌 중에서 선택된 1종 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 박막트랜지스터의 제조방법
14 14
제12항에 있어서,단계 (c-2)에서 상기 코팅이 스핀 코팅(spin coating), 잉크젯 프린팅(inkjet coating), 딥 코팅(dip coating), 드롭 캐스팅(drop casting) 및 바 코팅(bar coating) 중에서 선택된 어느 하나의 방법으로 수행되는 것을 특징으로 하는 유기 박막트랜지스터의 제조방법
15 15
제12항에 있어서,상기 건조 온도가 80 내지 250℃인 것을 특징으로 하는 유기 박막트랜지스터의 제조방법
16 16
제9항에 있어서,상기 화학식 1로 표시되는 공중합체가 하기 화학식 2로 표시되는 화합물 및 하기 화학식 3으로 표시되는 화합물을 중합하여 제조되는 것을 특징으로 하는 유기 박막트랜지스터의 제조방법
17 17
제16항에 있어서,상기 화학식 1로 표시되는 공중합체가 (1) 상기 화학식 2로 표시되는 화합물, 상기 화학식 3으로 표시되는 화합물, 및 마그네슘 화합물을 포함하는 용액을 제조하는 단계; 및(2) 상기 용액에 중합개시제를 첨가하여 공중합체를 제조하는 단계;를 통해 제조되는 것을 특징으로 하는 유기 박막트랜지스터의 제조방법
18 18
제17항에 있어서,상기 마그네슘 화합물이 이소프로필 마그네슘 클로라이드, 이소프로필 마그네슘 브로마이드, 터셔리-부틸 마그네슘 클로라이드, 및 터셔리-부틸 마그네슘 브로마이드 중에서 선택된 1종 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 박막트랜지스터의 제조방법
19 19
제18항에 있어서,상기 중합개시제가 Ni(dppp)Cl2, Ni(dppe)Cl2, 및 Ni(dppf)Cl2 중에서 선택된 1종 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 박막트랜지스터의 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 미래창조과학부 포항공과대학교 글로벌프론티어사업 파이전자분자 소프트 나노소재 개발
2 미래창조과학부 포항공과대학교 중견연구자지원 집적기술 기반 초고효율 유무기 복합 태양전지 신기술 개발