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(a) 기판 상에 3차원 산화물 나노구조체를 형성하는 단계; 및(b) 전기화학적 반응을 통해서 상기 3차원 산화물 나노구조체를 금속 촉매로 환원하여 3차원 금속 촉매 전극을 형성하는 단계; 및(c) 상기 3차원 금속 촉매 전극에 조촉매를 코팅하는 단계를 포함하되,상기 (a) 단계는, 상기 기판 상에 수산화물 나노구조체를 성장시키는 단계;상기 수산화물 나노구조체로부터 산화물 나노구조체를 제조하는 단계;씨앗층을 형성하는 단계; 및화학 침전법 또는 수열합성법을 이용하여 3차원 산화물 나노구조체를 형성하는 단계;를 포함하는 전기화학적 방법을 통해 이산화탄소 환원을 위한 조촉매가 코팅된 3차원 금속 촉매 전극의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 수산화물 나노구조체는 양극산화법(Anodization)에 의해 합성되는, 전기화학적 방법을 통해 이산화탄소 환원을 위한 조촉매가 코팅된 3차원 금속 촉매 전극의 제조방법
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제3항에 있어서,상기 수산화물 나노구조체는 수산화나트륨(sodium hydroxide)을 포함하는 수산화물 나노구조체 합성용 수용액을 사용하여 형성하는, 전기화학적 방법을 통해 이산화탄소 환원을 위한 조촉매가 코팅된 3차원 금속 촉매 전극의 제조방법
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제3항에 있어서,상기 양극산화법은 0
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제3항에 있어서,상기 양극산화법은 5초 내지 12시간의 반응시간을 이용하는, 전기화학적 방법을 통해 이산화탄소 환원을 위한 조촉매가 코팅된 3차원 금속 촉매 전극의 제조방법
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제3항에 있어서,상기 양극산화법은 -20℃ 내지 80℃의 온도에서 수행하는, 전기화학적 방법을 통해 이산화탄소 환원을 위한 조촉매가 코팅된 3차원 금속 촉매 전극의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 산화물 나노구조체는 열처리 과정(annealing)을 통해 상기 수산화물 나노구조체로부터 변환하는, 전기화학적 방법을 통해 이산화탄소 환원을 위한 조촉매가 코팅된 3차원 금속 촉매 전극의 제조방법
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제8항에 있어서,상기 열처리는 50℃ 내지 700℃의 온도를 이용하는, 전기화학적 방법을 통해 이산화탄소 환원을 위한 조촉매가 코팅된 3차원 금속 촉매 전극의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 씨앗층은 전자선 증착법, 스퍼터 증착법 및 열 증착법 중 적어도 하나의 방법을 이용하여 형성하는, 전기화학적 방법을 통해 이산화탄소 환원을 위한 조촉매가 코팅된 3차원 금속 촉매 전극의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 씨앗층은 Fe, Ag, Au, Cu, Cr, W, Al, Mo, Zn, Ni, Pt, Pd, Co, In, Mn, Si, Ta, Ti, Sn, Pb, V, Ru, Ir, Zr, Rh, 및 Mg 중 적어도 하나를 이용하여 형성하는, 전기화학적 방법을 통해 이산화탄소 환원을 위한 조촉매가 코팅된 3차원 금속 촉매 전극의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 3차원 산화물 나노구조체는 삼수화물과 수산화나트륨을 포함하는 3차원 산화물 나노구조체 합성용 수용액을 사용하여 형성하는, 전기화학적 방법을 통해 이산화탄소 환원을 위한 조촉매가 코팅된 3차원 금속 촉매 전극의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 기판은, Fe, Ag, Au, Cu, Cr, W, Al, Mo, Zn, Ni, Pt, Pd, Co, In, Mn, Si, Ta, Ti, Sn, Pb, V, Ru, Ir, Zr, Rh, 및 Mg로 이루어진 군에서 선택된 적어도 1종을 포함하는, 전기화학적 방법을 통해 이산화탄소 환원을 위한 조촉매가 코팅된 3차원 금속 촉매 전극의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 3차원 산화물 나노구조체는 철 산화물, 은 산화물, 금 산화물, 비소 산화물, 크롬 산화물, 세슘 산화물, 텅스텐 산화물, 알루미늄 산화물, 몰리브데넘 산화물, 아연 산화물, 니켈 산화물, 백금 산화물, 팔라듐 산화물, 코발트 산화물, 인듐 산화물, 망간 산화뮬, 실리콘 산화물, 탈륨 산화물, 티타늄 산화물, 주석 산화물, 납 산화물, 바나듐 산화물, 루테늄 산화물, 이리듐 산화물, 지르코늄 산화물, 로듐 산화물, 마그네슘 산화물로 이루어진 군에서 선택된 적어도 1종을 포함하는, 전기화학적 방법을 통해 이산화탄소 환원을 위한 조촉매가 코팅된 3차원 금속 촉매 전극의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 (b) 단계에서는, 전기화학적 환원 방법에 따라 상기 3차원 산화물 나노구조체에 설정된 시간 동안 설정된 전압을 인가하여 상기 3차원 산화물 나노구조체를 금속 촉매로 환원하는, 전기화학적 방법을 통해 이산화탄소 환원을 위한 조촉매가 코팅된 3차원 금속 촉매 전극의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 (b) 단계에서는, KHCO3, NaHCO3, Na2SO4, H2SO4, HCl, KOH, KCl, AgCl, NaCl, HNO3, NaOH, K2SO4, Na2CO3, K2CO3, NaNO3, KNO3, H3PO4, Na3PO4, K3PO4로 이루어진 군에서 선택된 적어도 1종을 포함하는 전해질을 이용하는, 전기화학적 방법을 통해 이산화탄소 환원을 위한 조촉매가 코팅된 3차원 금속 촉매 전극의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 (b) 단계에서는, -0
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제1항에 있어서,상기 (b) 단계에서는, 10초 내지 12시간의 반응시간을 이용하는, 전기화학적 방법을 통해 이산화탄소 환원을 위한 조촉매가 코팅된 3차원 금속 촉매 전극의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 3차원 금속 촉매 전극은, 100nm 내지 20um의 길이로 형성하는, 전기화학적 방법을 통해 이산화탄소 환원을 위한 조촉매가 코팅된 3차원 금속 촉매 전극의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 3차원 금속 촉매 전극은, 0
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제1항에 있어서,상기 (c) 단계에서는, 전자선 증착법, 열 증착법, 스퍼터 증착법, 화학기상 증착법, 수열합성법, 리소그래피 패턴 형성 중 적어도 하나의 방법을 이용하여 상기 조촉매를 형성하는, 전기화학적 방법을 통해 이산화탄소 환원을 위한 조촉매가 코팅된 3차원 금속 촉매 전극의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 조촉매는, Fe, Ag, Au, Cu, Cr, W, Al, Mo, Zn, Ni, Pt, Pd, Co, In, Mn, Si, Ta, Ti, Sn, Pb, V, Ru, Ir, Zr, Rh, Mg 및 Bi 중 적어도 하나를 포함하는, 전기화학적 방법을 통해 이산화탄소 환원을 위한 조촉매가 코팅된 3차원 금속 촉매 전극의 제조방법
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