1 |
1
(a) 모기판 상에 유기물 패턴을 형성하는 단계;(b) 상기 유기물 패턴을 이용하여 상기 모기판 상에 식각 마스크를 형성하는 단계;(c) 상기 식각 마스크를 이용하여 상기 모기판을 식각하여 상기 모기판에 전극 패턴을 형성하는 단계;(d) 상기 모기판의 전극 패턴을 이용하여 복제 몰드를 형성하는 단계;(e) 상기 복제 몰드를 이용하여 금속 촉매 전극을 형성하는 단계;(f) 상기 금속 촉매 전극에 열처리를 수행하여 3차원 나노구조 금속 산화물을 형성하는 단계;(g) 전기화학적 환원 반응을 수행하여 상기 3차원 나노구조 금속 산화물을 환원시켜 3차원 금속 촉매 전극을 형성하는 단계; 및(h) 상기 3차원 금속 촉매 전극 상에 조촉매를 형성하는 단계;를 포함하는 전기화학적 이산화탄소 환원을 위한 금속 촉매 전극의 제조방법
|
2 |
2
제1항에 있어서,상기 (a) 단계는, 상기 모기판 상에 유기물층을 형성하는 단계, 및 상기 유기물층에 유기물 패턴을 형성하는 단계를 포함하는, 전기화학적 이산화탄소 환원을 위한 금속 촉매 전극의 제조방법
|
3 |
3
제2항에 있어서,상기 모기판은, Si, a-Si, Glass, GaN, Al2O3, ZnO 중 적어도 하나를 포함하는, 전기화학적 이산화탄소 환원을 위한 금속 촉매 전극의 제조방법
|
4 |
4
제2항에 있어서,상기 유기물층은, 포토레지스트, UV 경화형 수지, 및 열경화형 수지 중 적어도 하나를 포함하는, 전기화학적 이산화탄소 환원을 위한 금속 촉매 전극의 제조방법
|
5 |
5
제2항에 있어서,상기 유기물 패턴은 포토리소그래피, 전자선 리소그래피, 레이져 리소그래피, 및 나노임프린트 중 선택된 하나의 방법을 이용하여 형성하는, 전기화학적 이산화탄소 환원을 위한 금속 촉매 전극의 제조방법
|
6 |
6
제1항에 있어서,상기 (b) 단계는, 상기 유기물 패턴 상에 식각 마스크용 물질을 증착하는 단계, 및 상기 유기물 패턴을 제거하여 상기 모기판 상에 식각 마스크를 형성하는 단계를 포함하는, 전기화학적 이산화탄소 환원을 위한 금속 촉매 전극의 제조방법
|
7 |
7
제6항에 있어서,상기 식각 마스크용 물질은 금속 및 산화물 중 적어도 하나를 포함하는, 전기화학적 이산화탄소 환원을 위한 금속 촉매 전극의 제조방법
|
8 |
8
제7항에 있어서,상기 금속은, Ti, Ni, Cr, Ag, Au 및 Pt 중 적어도 하나를 포함하는, 전기화학적 이산화탄소 환원을 위한 금속 촉매 전극의 제조방법
|
9 |
9
제7항에 있어서,상기 산화물은 ZnO, MgO, TiO2, NiO, Al2O3, 및 SiO2 중 적어도 하나를 포함하는, 전기화학적 이산화탄소 환원을 위한 금속 촉매 전극의 제조방법
|
10 |
10
제1항에 있어서,상기 (c) 단계에서는, 습식 식각 및 건식 식각 중 하나의 방법으로 상기 모기판을 식각하되,상기 습식 식각은, BOE, HF, H2SO4, HNO3, HCl, KOH, NaOH, FeCl2, 및 CuCl2 중 적어도 하나를 포함하는 습식 식각 용액을 이용하고,상기 건식 식각은, DRIE(Deep Reactive Ion Etching) 에칭(etching), 및 ICP(Inductively Coupled Plasma) 에칭 중 선택된 하나의 방법을 이용하는 것인, 전기화학적 이산화탄소 환원을 위한 금속 촉매 전극의 제조방법
|
11 |
11
제1항에 있어서,상기 (d) 단계는, 상기 전극 패턴이 형성된 모기판 상에 임프린트 레진을 코팅하는 단계, 및 코팅된 임프린트 레진을 경화시킨 후 상기 모기판으로부터 박리하여 복제 몰드를 형성하는 단계를 포함하는, 전기화학적 이산화탄소 환원을 위한 금속 촉매 전극의 제조방법
|
12 |
12
제1항에 있어서,상기 (e) 단계는, 상기 복제 몰드 상에 금속층을 형성하는 단계, 및 상기 복제 몰드로부터 상기 금속층을 박리하여 상기 금속 촉매 전극을 형성하는 단계를 포함하는, 전기화학적 이산화탄소 환원을 위한 금속 촉매 전극의 제조방법
|
13 |
13
제12항에 있어서,상기 (e) 단계에서는, 주조법, 열 증착법, 스퍼터 증착법, 화학기상 증착법, 및 전기 도금법 중 적어도 하나의 방법을 이용하여 상기 금속층을 형성하는, 전기화학적 이산화탄소 환원을 위한 금속 촉매 전극의 제조방법
|
14 |
14
제12항에 있어서,상기 금속층은, Fe, Ag, Au, Cu, Cr, W, Al, W, Mo, Zn, Ni, Pt, Pd, Co, In, Mn, Si, Ta, Ti, Sn, Zn, Pb, V, Ru, Ir, Zr, Rh, Mg, INVAR 및 스테인리스강 중 적어도 하나를 포함하는, 전기화학적 이산화탄소 환원을 위한 금속 촉매 전극의 제조방법
|
15 |
15
제1항에 있어서,상기 (f) 단계에서는, 250℃ 내지 450℃의 온도와, 10분 내지 120분의 시간 동안 열처리를 수행하는, 전기화학적 이산화탄소 환원을 위한 금속 촉매 전극의 제조방법
|
16 |
16
제1항에 있어서,상기 (g) 단계에서는, - 0
|
17 |
17
제1항에 있어서,상기 (h) 단계에서는, 전자선 증착법, 열 증착법, 스퍼터 증착법, 화학기상 증착법, 수열합성법, 리소그래피 패턴 형성 중 적어도 하나의 방법을 이용하여 상기 조촉매를 형성하는, 전기화학적 이산화탄소 환원을 위한 금속 촉매 전극의 제조방법
|
18 |
18
제1항에 있어서,상기 조촉매는, Ag, Au, Zn, Cu, In, Pd, Sn, 및 Bi 중 적어도 하나를 포함하는, 전기화학적 이산화탄소 환원을 위한 금속 촉매 전극의 제조방법
|
19 |
19
제1항에 있어서,상기 (h) 단계에서는, 상기 조촉매를 1nm ~ 10nm의 증착 두께로 형성는, 전기화학적 이산화탄소 환원을 위한 금속 촉매 전극의 제조방법
|