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제1 실리콘층과 식각 정지막 및 제2 실리콘층의 다층막으로 구성된 기판;상기 기판 상에 서로간 거리를 두고 배열된 복수의 트랜스듀서;상기 기판 상에서 상기 복수의 트랜스듀서 각각에 연결된 제1 배선부;상기 복수의 트랜스듀서 각각을 수용하는 복수의 오목부를 형성하며, 상기 기판 상에 고정되어 상기 복수의 트랜스듀서를 보호하는 보호 기판; 및상기 보호 기판에 형성된 복수의 비아 홀을 통해 상기 제1 배선부와 연결되는 제2 배선부를 포함하며,상기 제1 실리콘층은 상기 제2 실리콘층보다 상기 복수의 트랜스듀서로부터 더 멀리 위치하고, 상기 복수의 트랜스듀서 각각에 대응하는 복수의 개구부를 포함하는 압전 멤스 기반 초지향성 라우드 스피커
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제1항에 있어서,상기 복수의 트랜스듀서 각각은 제1 전극과 압전층 및 제2 전극의 다층막으로 구성되고,상기 제1 배선부는 상기 제1 전극에 연결된 제1 하부 배선과, 상기 제2 전극에 연결된 제2 하부 배선을 포함하는 압전 멤스 기반 초지향성 라우드 스피커
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제3항에 있어서,상기 제1 하부 배선은 상기 제1 전극과 접하는 제1 커넥터와, 상기 제1 커넥터로부터 확장된 제1 확장부를 포함하며,상기 제2 하부 배선은 상기 제2 전극과 접하는 에어 브릿지(air bridge) 형태의 제2 커넥터와, 상기 제2 커넥터로부터 확장된 제2 확장부를 포함하는 압전 멤스 기반 초지향성 라우드 스피커
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제4항에 있어서,상기 복수의 오목부 각각은 상기 트랜스듀서와 상기 제1 커넥터 및 상기 제2 커넥터를 수용하며,상기 복수의 비아 홀은 상기 제1 확장부와 중첩되는 제1 비아 홀과, 상기 제2 확장부와 중첩되는 제2 비아 홀을 포함하는 압전 멤스 기반 초지향성 라우드 스피커
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제5항에 있어서,상기 제2 배선부는 상기 제1 비아 홀을 통해 상기 제1 하부 배선에 연결되는제1 상부 배선과, 상기 제2 비아 홀을 통해 상기 제2 하부 배선에 연결되는 제2 상부 배선을 포함하는 압전 멤스 기반 초지향성 라우드 스피커
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제6항에 있어서,상기 보호 기판 상에 실장된 복수의 집적 회로를 더 포함하며,상기 복수의 집적 회로는 상기 제1 상부 배선과 상기 제2 상부 배선 중 어느 하나에 연결되는 압전 멤스 기반 초지향성 라우드 스피커
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제1항에 있어서,상기 복수의 트랜스듀서는 서로 다른 크기를 가지는 두 종류 이상의 트랜스듀서를 포함하고,상기 두 종류 이상의 트랜스듀서는 서로 다른 주파수의 초음파를 발생시키는 압전 멤스 기반 초지향성 라우드 스피커
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제1 실리콘층과 식각 정지막 및 제2 실리콘층의 다층막으로 구성된 웨이퍼 기판을 준비하고, 상기 제2 실리콘층 상에 복수의 트랜스듀서와 제1 하부 배선 및 제2 하부 배선을 형성하는 단계;상기 제1 실리콘층을 부분적으로 식각하여 상기 복수의 트랜스듀서가 위치하는 부분에 복수의 개구부를 형성하는 단계;웨이퍼 보호 기판의 일면에 복수의 오목부를 형성하고, 상기 웨이퍼 보호 기판을 관통하는 제1 비아 홀과 제2 비아 홀을 형성하며, 상기 웨이퍼 보호 기판의 반대면에 복수의 집적 회로를 실장하는 단계; 및상기 복수의 트랜스듀서가 상기 복수의 오목부에 위치하도록 상기 웨이퍼 보호 기판을 상기 제2 실리콘층 상에 정렬 및 고정시키는 단계를 포함하는 압전 멤스 기반 초지향성 라우드 스피커의 웨이퍼 단위 패키징 방법
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제9항에 있어서,상기 웨이퍼 보호 기판이 상기 웨이퍼 기판 상에 고정된 이후, 상기 웨이퍼 보호 기판에 제1 상부 배선과 제2 상부 배선이 형성되는 압전 멤스 기반 초지향성 라우드 스피커의 웨이퍼 단위 패키징 방법
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제9항에 있어서,상기 웨이퍼 보호 기판에 상기 제1 비아 홀과 상기 제2 비아 홀이 형성된 이후, 상기 웨이퍼 보호 기판에 제1 상부 배선과 제2 상부 배선이 형성되고, 상기 웨이퍼 보호 기판이 상기 웨이퍼 기판 상에 고정되는 압전 멤스 기반 초지향성 라우드 스피커의 웨이퍼 단위 패키징 방법
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제10항 또는 제11항에 있어서,상기 제1 상부 배선은 상기 제1 비아 홀을 통해 상기 제1 하부 배선과 접촉하고, 상기 제2 상부 배선은 상기 제2 비아 홀을 통해 상기 제2 하부 배선과 접촉하는 압전 멤스 기반 초지향성 라우드 스피커의 웨이퍼 단위 패키징 방법
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