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하기 화학식 1로 표시되는 구조를 포함하는 브러쉬 고분자 화합물:[화학식 1][화학식 2]상기 식에서, R1, R2, R4, R5 및 R6는 독립적으로 수소 또는 탄소수 1 내지 20개의 알킬기이고; R3는 탄소수 1 내지 20개의 알킬렌이며; ρ는 0 내지 20의 정수이고; m 및 n은 폴리에테르 단위체의 함량(mol %)을 나타내는 것으로서, 0≤m≤100, 0≤n≤100이고, m + n = 100이고;Y는 H, -CH2X(단, X는 F, Cl, Br 또는 I), 탄소수 1 내지 20개의 알킬기, -UR3N[R4R5R6] 또는 -ZW이고;Z 및 U는 말단의 기능기와 폴리에테르 주쇄를 연결하는 링커이며,W는 E1 내지 E21과 G1 내지 G32를 포함하는 화학식 2의 카보사이클릭기이고;-＊는 Z에 연결되는 지점을 나타내며;E1 내지 E21은 독립적으로 C, N, O, P 및 S로 이루어진 그룹으로부터 선택되고;단, E4, E5, E7, E8, E10, E13, E14 및 E15는 O 및 S가 아니고;E1 내지 E21 중 어느 하나가 O 또는 S인 경우, 그에 부착된 G는 존재하지 않으며;E1 내지 E21 중 어느 하나가 N 또는 P인 경우, 그에 부착된 G는 없거나 최대 1개이며;G1 내지 G32은 존재하는 경우, 독립적으로 -CHO, COOH, -H, -N3, -NO2, -NH2, -OH, -PO3H, -SH, -SO3H, -CH3, -C6H5 및 탄소수 1 내지 20개의 알킬기로 이루어진 그룹으로부터 선택되거나, 또는 동일한 E에 연결된 두 개의 G가 함께 =O, =N 또는 =S를 형성한다
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제1항에 있어서, Z 및 U는 독립적으로 하기 화학식 3에 표기한 군으로부터 선택되는 브러쉬 고분자 화합물:[화학식 3] 상기 식에서, R은 수소 또는 탄소수 1 내지 20개의 알킬렌기이다
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제1항에 있어서, 중량평균 분자량이 5,000 내지 5,000,000인, 브러쉬 고분자 화합물
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제1항에 있어서, 하기 화학식 4의 구조를 포함하는 브러쉬 고분자 화합물:[화학식 4]상기 식에서, m 및 n은 폴리에테르 단위체의 함량(mol %)을 나타내는 것으로서, 0≤m≤100, 0≤n≤100이고, m + n = 100이다
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다음의 단계를 포함하는 브러쉬 고분자 화합물의 제조방법으로서,화학식 5의 고리 형태의 단량체들로부터 양이온 개환 중합 반응을 통하여 화학식 6의 구조를 포함하는 폴리에테르 고분자 화합물을 제조하는 단계 (1),상기 단계 (1)의 화학식 6의 구조를 포함하는 폴리에테르 고분자 화합물로부터 유기 용매 중에서 할로겐 치환 반응을 통하여 화학식 7의 구조를 포함하는, 아자이드기를 갖는 고분자 화합물을 제조하는 단계 (2) 및상기 단계 (2)의 아자이드기를 갖는 고분자 화합물의 아자이드기와, 기능성 분자의 알카인기의 고리화 첨가반응을 이용하여 화학식 1의 브러쉬 고분자 화합물을 제조하는 단계 (3)를 포함하는, 브러쉬 고분자 화합물의 제조방법:[화학식 5][화학식 6]화학식 5 및 6에서, R1 및 R2는 수소 또는 탄소수 1 내지 20개의 알킬기이고, ρ는 0 내지 20의 정수이며, d는 50 내지 50,000이며, A는 수소, 탄소수 1 내지 20개의 알킬기, 또는 CH2X(단, X는 F, Cl, Br 또는 I)이다
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제1항 내지 제4항 중 어느 한 항의 브러쉬 고분자 화합물을 포함하는 고분자 박막
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제1항 내지 제4항 중 어느 한 항의 브러쉬 고분자 화합물을 기질 상에 코팅하는 단계를 포함하는, 고분자 박막 제조방법
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제7항에 있어서, 스핀 코팅, 스프레이 코팅, 정전기 코팅, 딥코팅, 블레이트 코팅, 잉크젯 코팅 및 롤 코팅으로 이루어진 그룹으로부터 선택되는 어느 하나의 방법으로 코팅을 수행하는, 고분자 박막 제조방법
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제7항에 있어서, 브러쉬 고분자 화합물로 코팅된 기질을 진공 하에서 30 내지 100℃로 10 내지 20시간 동안 열처리하는 단계를 포함하는, 고분자 박막 제조방법
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