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플라즈마 장치에 PTFE 계열의 고분자 소재 표면을 가지는 시료를 제공하는 단계; 상기 플라즈마 장치에 산소와 아르곤 가스를 주입하는 단계; 및상기 플라즈마 장치에 전원을 인가하여 플라즈마를 형성하고, 상기 시료의 표면을 플라즈마 처리하는 단계;를 포함하는 초소수성 및 초발수성 표면 제조 방법
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제 1항에 있어서, 상기 플라즈마 장치에 PTFE 계열의 고분자 소재 표면을 가지는 시료를 제공하는 단계에서, 상기 시료는, 상기 PTFE 계열의 고분자 소재가 평판 형태로 성형된 기판, 상기 PTFE 계열의 고분자 소재가 곡면 형상을 포함하도록 성형된 기판, 금속 소재의 표면 위에 상기 PTFE 계열의 고분자 소재가 코팅된 형태의 기판 및 유무기 고분자 소재의 표면 위에 상기 PTFE 계열의 고분자 소재가 코팅된 형태의 기판 중 적어도 하나를 포함하는 초소수성 및 초발수성 표면의 제조 방법
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제 1항에 있어서, 상기 플라즈마 장치에 전원을 인가하여 플라즈마를 형성하고, 상기 시료의 표면을 플라즈마 처리하는 단계는, 상기 플라즈마 장치에 100 내지 1000 W 범위의 전원을 인가하는 것을 포함하는 초소수성 및 초발수성 표면의 제조 방법
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제 1항에 있어서, 상기 플라즈마 장치에 전원을 인가하여 플라즈마를 형성하고, 상기 시료의 표면을 플라즈마 처리하는 단계는, 상기 시료의 표면을 30분 내지 5시간 동안 플라즈마 처리하는 것을 포함하는 초소수성 및 초발수성 표면의 제조 방법
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