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챔버 내에 기판을 배치하는 단계; 및상기 챔버 내에 붕소 및 질소를 각각 포함하는 기상물질들을 주입하고, 질소 공극 형성을 위해 설정된 공정 조건에 따라 화학 반응을 이용하여 상기 기판 상에 이차원 층상 구조의 육방정 질화붕소를 형성하는 단계를 포함하되,상기 육방정 질화붕소를 형성하는 단계에서는 금속-유기 화학기상증착법을 이용하여 상기 육방정 질화붕소를 형성하되, 상기 공정 조건으로 수송 기체의 종류를 조절하여 상기 육방정 질화붕소의 질소 공극의 생성을 조절하고,상기 수송 기체는 수소 및 질소 중 적어도 질소를 포함하고, 상기 수송 기체 중 질소의 분압을 증가시켜 상기 질소 공극의 생성을 증가시키는, 질화물 반도체 물질의 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 육방정 질화붕소를 형성하는 단계에서는 금속-유기 화학기상증착법을 이용하여 상기 육방정 질화붕소를 형성하되, 상기 공정 조건으로 상기 붕소를 포함하는 기상물질과, 상기 질소를 포함하는 기상 물질의 분율을 조절하여 상기 육방정 질화붕소의 질소 공극의 생성을 조절하는, 질화물 반도체 물질의 제조 방법
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제2항에 있어서,상기 기상물질들의 분율을 감소시켜 상기 질소 공극의 생성을 증가시키되, 상기 공정 조건으로 상기 기상물질들에 포함되어 있는 붕소 원자수와 질소 원자수의 분율을 1/45,000 ~ 1/5,000로 설정하는, 질화물 반도체 물질의 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 육방정 질화붕소를 형성하는 단계에서는 금속-유기 화학기상증착법을 이용하여 상기 육방정 질화붕소를 형성하되, 상기 공정 조건으로 상기 챔버의 압력을 조절하여 상기 육방정 질화붕소의 질소 공극의 생성을 조절하는, 질화물 반도체 물질의 제조 방법
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제4항에 있어서,상기 챔버의 압력을 감소시켜 상기 질소 공극의 생성을 증가시키되, 상기 공정 조건으로 상기 챔버의 압력을 20mbar ~ 800mbar로 설정하는, 질화물 반도체 물질의 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 육방정 질화붕소를 형성하는 단계에서는 상기 공정 조건으로 상기 챔버의 온도를 조절하여 상기 육방정 질화붕소의 질소 공극의 생성을 조절하는, 질화물 반도체 물질의 제조 방법
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제8항에 있어서,상기 챔버의 온도를 감소시켜 상기 질소 공극의 생성을 증가시키되, 상기 공정 조건으로 상기 챔버의 온도를 800 ~ 1600℃로 설정하는, 질화물 반도체 물질의 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 붕소를 포함하는 기상물질은, 단원소 붕소, 붕소 염화물, 붕소 불화물, 붕소 브롬화물, 붕소 요오드화물, 트리에틸 붕산염(triethyl Borate), 트라아이소프로필 붕산염(triisoproply Borate), 붕산 무수물(boric anhydride), 보레인(borane), 보레인 피리딘 콤플렉스(borane pyridine complex), 트리-tert-부틸 보레이트(tri-tert-butyle borate), 데카보레인(decaborane) 중 적어도 하나를 포함하는, 질화물 반도체 물질의 제조 방법
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제1항에 있어서,질소를 포함하는 기상물질은, 암모니아(NH3), 암모늄(NH4), 피라진(pyrazine), 1차 아민(NRH2, primary amine), 2차 아민 (NR2H, secondary amine), 3차 아민(NR3) 및 4차 아민(NR4, Quaternary amine) 및 아민 계열을 포함한 화합물 중 적어도 하나를 포함하는, 질화물 반도체 물질의 제조 방법
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