1 |
1
고분자와 금속칼코겐 화합물 전구체를 포함하는 고분자-전구체 용액을 제조하는 단계;상기 고분자-전구체 용액을 기판 상에 코팅하는 단계; 및상기 고분자-전구체 용액이 코팅된 기판을 열처리하는 단계;를 포함하고,상기 고분자가 폴리알킬렌이민인 것인 금속 칼코겐 박막의 제조방법
|
2 |
2
제1항에 있어서,상기 고분자가 상기 고분자-전구체 용액에서 상기 금속칼코겐 화합물 전구체와 이온결합하는 것을 특징으로 하는 금속 칼코겐 박막의 제조방법
|
3 |
3
삭제
|
4 |
4
제1항에 있어서,상기 폴리알킬렌이민이 선형 폴리알킬렌이민, 가지형 폴리알킬렌이민 및 덴드리머형 폴리알킬렌이민으로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상인 것을 특징으로 하는 금속 칼코겐 박막의 제조방법
|
5 |
5
제4항에 있어서,상기 선형 폴리알킬렌이민이 구조식 1로 표시되는 고분자이고, 상기 가지형 폴리알킬렌이민이 구조식 2로 표시되는 고분자이고, 상기 덴드리머형 폴리알킬렌이민이 구조식 3으로 표시되는 고분자인 것을 특징으로 하는 금속 칼코겐 박막의 제조방법
|
6 |
6
제1항에 있어서,상기 고분자가 L-PEI(linear-polyethyleneimine)인 것을 특징으로 하는 금속 칼코겐 박막의 제조방법
|
7 |
7
제1항에 있어서,상기 금속칼코겐 화합물의 전구체가 Mo, W, Sn, Bi 및 Sb로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상의 금속과 S, Se 및 Te로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상의 칼코겐 원소를 포함하는 것을 특징으로 하는 금속 칼코겐 박막의 제조방법
|
8 |
8
제7항에 있어서,상기 전구체가 ATM(ammonium tetrathiomolybdate) 및 ATT(Ammonium tetrathiotungstate)로 이루어진 군에서 선택되는 1종 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 금속 칼코겐 박막의 제조방법
|
9 |
9
제8항에 있어서,상기 전구체가 ATM(ammonium tetrathiomolybdate)인 것을 특징으로 하는 금속 칼코겐 박막의 제조방법
|
10 |
10
제1항에 있어서, 상기 금속칼코겐 화합물 전구체의 농도가 고분자-전구체 용액에 대해서 20 내지 150mM인 것을 특징으로 하는 것을 특징으로 하는 금속 칼코겐 박막의 제조방법
|
11 |
11
제1항에 있어서,상기 고분자-전구체 용액이 극성 비양성자성 용매를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 금속 칼코겐 박막의 제조방법
|
12 |
12
제11항에 있어서,상기 극성 비양성자성 용매가 디메틸포름아미드(DMF), 에틸렌글리콜(EG), 및 부틸아민(butylamine)로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상인 것을 특징으로 하는 금속 칼코겐 박막의 제조방법
|
13 |
13
제1항에 있어서상기 코팅이 1~500 nm 두께로 수행되는 것을 특징으로 하는 금속 칼코겐 박막의 제조방법
|
14 |
14
제1항에 있어서상기 금속 칼코겐 박막은 면적이 500 mm2 이상의 대면적인 것을 특징 특징으로 하는 금속 칼코겐 박막의 제조방법
|
15 |
15
제14항에 있어서, 상기 금속 칼코겐 박막은 표면조도가 0
|
16 |
16
제1항에 있어서,상기 고분자-전구체 용액을 기판 상에 코팅하는 단계는,상기 고분자-전구체 용액을 기판 상에 코팅하는 전에 기판을 산소 플라즈마로 표면처리하는 단계를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 금속 칼코겐 박막의 제조방법
|
17 |
17
제1항에 있어서,상기 열처리 단계가 400~1,000℃ 에서 수행되는 것을 특징으로 하는 금속 칼코겐 박막의 제조방법
|
18 |
18
제1항에 있어서,상기 열처리 단계가 환원성 분위기 하에서 수행되는 것을 특징으로 하는 금속 칼코겐 박막의 제조방법
|
19 |
19
제1항의 금속 칼코겐 박막의 제조방법에 따라 금속 칼코겐 박막을 제조하는 단계; 및상기 금속 칼코겐 박막을 포함하는 전자 소자를 제조하는 단계;를 포함하는 전자 소자의 제조방법
|
20 |
20
제19항에 있어서,전자 소자를 제조하는 단계 전에, 상기 금속 칼코겐 박막을 기판으로부터 분리하는 단계를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 전자 소자의 제조방법
|