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초음파를 발생시키는 복수의 트랜스듀서, 및상기 복수의 트랜스듀서에 일대 일로 연결되며, 입력 신호를 변조 및 증폭하여 상기 복수의 트랜스듀서 중 대응하는 트랜스듀서로 출력하는 복수의 집적 회로를 포함하며, 상기 복수의 집적 회로는 각각, 상기 복수의 트랜스듀서 중 대응하는 트랜스듀서의 특성 보상 파라미터를 저장하는 메모리,반송파를 이용하여 상기 입력 신호를 상기 복수의 트랜스듀서 중 대응하는 트랜스듀서의 구동 신호로 변조하는 신호 처리기, 및상기 구동 신호를 증폭하여 상기 복수의 트랜스듀서 중 대응하는 트랜스듀서로 인가하는 전력 증폭기를 포함하며, 상기 복수의 집적 회로는 각각, 상기 복수의 트랜스듀서 중 대응하는 트랜스듀서의 상기 특성 보상 파라미터에 기초하여, 상기 복수의 트랜스듀서 중 대응하는 트랜스듀서로 출력되는 상기 구동 신호에 대한 편차 보상을 수행하는 압전 멤스 기반 초지향성 라우드 스피커
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제8항에 있어서,상기 신호 처리기는, 상기 특성 보상 파라미터를 기초로 상기 구동 신호의 위상을 조절하고, 상기 전력 증폭기는, 상기 특성 보상 파라미터를 기초로 상기 구동 신호의 증폭 이득을 조절하는 압전 멤스 기반 초지향성 라우드 스피커
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제8항에 있어서,상기 복수의 트랜스듀서가 위치하는 기판,상기 복수의 집적 회로가 실장되며, 상기 복수의 트랜스듀서 각각을 수용하는 복수의 오목부를 포함하고, 상기 기판 상에 결합하여 상기 복수의 트랜스듀서를 보호하는 보호 기판, 상기 기판 상에 위치하며, 상기 복수의 트랜스듀서 각각에 연결되는 제1 배선부,상기 보호 기판에 형성된 복수의 비아 홀을 통해 상기 제1 배선부와 상기 복수의 집적 회로를 연결하는 제2 배선부를 포함하는 압전 멤스 기반 초지향성 라우드 스피커
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제10항에 있어서,상기 기판은 제1 실리콘층과 식각 정지막 및 제2 실리콘층의 다층막으로 구성되고,상기 제1 실리콘층은 상기 복수의 트랜스듀서 각각에 대응하는 복수의 개구부를 포함하는 압전 멤스 기반 초지향성 라우드 스피커
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제10항에 있어서,상기 복수의 트랜스듀서 각각은 제1 전극, 압전층 및 제2 전극의 다층막으로 구성되고,상기 제1 배선부는 상기 복수의 트랜스듀서 각각의 제1 전극에 연결된 복수의 제1 하부 배선과, 상기 복수의 트랜스듀서 각각의 제2 전극에 연결된 복수의 제2 하부 배선을 포함하는 압전 멤스 기반 초지향성 라우드 스피커
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제12항에 있어서,상기 제1 하부 배선은 상기 제1 전극과 접하는 제1 커넥터와, 상기 제1 커넥터로부터 확장된 제1 확장부를 포함하며,상기 제2 하부 배선은 상기 제2 전극과 접하는 에어 브릿지(air bridge) 형태의 제2 커넥터와, 상기 제2 커넥터로부터 확장된 제2 확장부를 포함하는 압전 멤스 기반 초지향성 라우드 스피커
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제13항에 있어서,상기 복수의 오목부 각각은 상기 트랜스듀서와 상기 제1 커넥터 및 상기 제2 커넥터를 수용하며,상기 복수의 비아 홀은 상기 제1 확장부와 중첩되는 제1 비아 홀과, 상기 제2 확장부와 중첩되는 제2 비아 홀을 포함하는 압전 멤스 기반 초지향성 라우드 스피커
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제14항에 있어서,상기 제2 배선부는 상기 제1 비아 홀을 통해 상기 제1 하부 배선에 연결되는제1 상부 배선과, 상기 제2 비아 홀을 통해 상기 제2 하부 배선에 연결되는 제2 상부 배선을 포함하는 압전 멤스 기반 초지향성 라우드 스피커
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제15항에 있어서,상기 복수의 집적 회로는 상기 제1 상부 배선과 상기 제2 상부 배선 중 어느 하나에 연결되는 압전 멤스 기반 초지향성 라우드 스피커
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제8항에 있어서,상기 복수의 트랜스듀서는, 제1 주파수의 초음파를 발생시키는 복수의 제1 트랜스듀서, 및 상기 제1 주파수와 다른 제2 주파수의 초음파를 발생시키며, 상기 복수의 제2 트랜스듀서와 서로 다른 크기를 가지는 복수의 제2 트랜스듀서를 포함하는 압전 멤스 기반 초지향성 라우드 스피커
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