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(a) 텅스텐 전구체와 실리카 전구체를 포함하는 졸(sol)을 제조하는 단계;(b) 상기 졸을 졸-겔(sol-gel) 반응시켜 텅스텐 삼산화물(WO3)과 실리카(SiO2)가 네트워크 형상으로 서로 얽히고, 이를 열처리하여 텅스텐 삼산화물과 실리카를 포함하는 복합체를 제조하는 단계;(c) 상기 복합체를 환원조건에서 부분적으로 환원시켜 부분환원 텅스텐 삼산화물과 실리카를 포함하는 부분환원복합체를 제조하는 단계; (d) 상기 부분환원복합체에서 상기 실리카를 제거하여 부분적으로 환원된 메조포러스 부분환원 텅스텐 삼산화물을 제조하는 단계;를 포함하고,상기 단계(a)가(a1) 텅스텐 전구체를 용매에 분산시켜 텅스텐 졸(sol)을 제조하는 단계;(a2) 실리카 전구체를 용매에 분산시켜 실리콘 졸(sol)을 제조하는 단계; (a3) 상기 텅스텐 졸과 상기 실리콘 졸을 혼합하여 텅스텐 전구체와 실리카 전구체를 포함하는 졸을 제조하는 단계;를 포함하는 것인 메조포러스 부분환원 텅스텐 삼산화물의 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 부분환원 텅스텐 삼산화물이 하기 식 (1)로 표시되는 것을 특징으로 하는 메조포러스 부분환원 텅스텐 삼산화물의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 텅스텐 전구체가 텅스텐 (Ⅵ) 클로라이드, 텅스텐 (Ⅵ) 이소프로포옥사이드(Tungsten isopropoxide), 소듐 텅스테이트 다이 하이드레이트(Sodium tungstate dehydrate), 포스포 텅스틱 엑시드 하이드레이트 (Phosphotungstic acid hydrate)로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나 이상인 것을 특징으로 하는 메조포러스 부분환원 텅스텐 삼산화물의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 실리카 전구체가 테트라에틸 오르소실리케이트(Tetraethyl orthosilicate), 테트라메틸 오르소실리케이트(Tetramethyl orthosilicate), 소듐 실리케이트(Sodium silicate)로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나 이상인 것을 특징으로 하는 메조포러스 부분환원 텅스텐 삼산화물의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 실리콘 졸이 염산을 포함하는 것을 특징으로 하는 메조포러스 부분환원 텅스텐 삼산화물의 제조방법
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제6항에 있어서,상기 실리콘 졸의 pH가 0 초과 내지 2 이하의 범위인 것을 특징으로 하는 메조포러스 부분환원 텅스텐 삼산화물의 제조방법
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제7항에 있어서,상기 실리콘 졸의 pH가 0 초과 내지 1 이하의 범위인 것을 특징으로 하는 메조포러스 부분환원 텅스텐 삼산화물의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 단계 (b)의 졸-겔 반응이 실리콘 졸의 pH에 따라 반응속도가 조절되는 것을 특징으로 하는 메조포러스 부분환원 텅스텐 삼산화물의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 단계 (b)의 졸-겔 반응이 상온에서 수행되는 것을 특징으로 하는 메조포러스 부분환원 텅스텐 삼산화물의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 단계 (b)의 열처리가 540℃ ~ 560℃ 범위에서 이루어지는 것을 특징으로 하는 메조포러스 부분환원 텅스텐 삼산화물의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 단계 (c)의 환원처리가 H2/Ar 가스하에서 수행되는 것을 특징으로 하는 메조포러스 부분환원 텅스텐 삼산화물의 제조방법
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제12항에 있어서,상기 단계 (c)의 환원처리가 590℃ ~ 610℃ 범위에서 수행되는 것을 특징으로 하는 메조포러스 부분환원 텅스텐 삼산화물의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 단계 (d)의 실리카가 불화수소(HF)에 의한 에칭(etching)에 의해 제거되는 것을 특징으로 하는 메조포러스 부분환원 텅스텐 삼산화물의 제조방법
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