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유연 필름, 및 상기 유연 필름의 일측면 상에 형성된 점착층을 포함하는 점착테이프; 및상기 점착테이프의 상기 일측면의 반대측 타측면 상에 형성된 전자소자;를 포함하고,상기 점착테이프는 상기 타측면 상에 상기 타측면의 표면을 평탄화하는 표면개질층을 포함하고,상기 점착테이프의 영탄성률(Young's modulus)이 상기 표면 개질층의 영탄성률(Young's modulus) 보다 작은 것인 점착 기능을 구비한 유연 전자소자
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제1항에 있어서,상기 전자소자가 상기 유연 필름을 기판으로 포함하는 것을 특징으로 하는 점착 기능을 구비한 유연 전자소자
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제1항에 있어서,상기 유연 전자소자가 전계효과 트랜지스터, 태양전지, 유기발광다이오드, 촉각센서, 전파 식별 태그, 전자종이, 및 바이오 센서 중에서 선택된 1종 이상인 것을 특징으로 하는 점착 기능을 구비한 유연 전자소자
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제3항에 있어서,상기 점착 기능을 구비한 유연 전자소자가 전계효과 트랜지스터이고,상기 전계효과 트랜지스터가유연 필름, 및 상기 유연 필름의 일측면 상에 형성된 점착층을 포함하는 점착테이프;상기 점착테이프의 상기 일측면의 반대측 타측면 상에 위치하는 게이트 전극;상기 게이트 전극 상에 위치하는 게이트 절연층;상기 게이트 절연층 상에 위치하고, 서로 이격되어 배치되는 소스 전극 및 드레인 전극; 및 상기 게이트 절연층 상에 위치하고 상기 소스전극 및 드레인 전극을 전기적으로 연결하는 활성층;을 포함하는 것을 특징으로 하는 점착 기능을 구비한 유연 전자소자
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제1항에 있어서,상기 표면개질층이 폴리이미드(polyimide), 폴리아크릴레이트, 폴리우레탄, 폴리에틸렌, 폴리비닐페놀, 및 폴리비닐알콜 중에서 선택된 1종 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 점착 기능을 구비한 유연 전자소자
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제1항에 있어서,상기 표면 개질층은 제곱평균제곱근 거칠기(Root-mean-square roughness)가 0
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제4항에 있어서,상기 게이트 절연층은 두께가 1 내지 10 nm인 것을 특징으로 하는 점착 기능을 구비한 유연 전자소자
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제4항에 있어서,상기 활성층이 그래핀, PQT-12(poly(3,3'''-didodecyl quarterthiophene)), P3HT(poly(3-hexyl thiophene)), P3BT(poly(3-butyl thiophene)), P3OT(poly(3-octyl thiophene)), PPy(polypyrrole), PANI(polyaniline), PDPP(polydiketopyrrolopyrrole), PIID(polyisoindigo), PPDI(poly(perylene diimide)), PNDI(poly(naphthalene diimide)), PEO(poly(ethylene oxide)), PCL(poly(-caprolactone)), PMMA(poly(methyl methacrylate)), PS(polystyrene), PVP (poly(vinyl pyrrolidone)), 펜타센, 루브린, 구리 프탈로시아닌 및 풀러렌 중에서 선택된 1종 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 점착 기능을 구비한 유연 전자소자
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제1항의 유연 전자소자의 제조방법이고,(a) 유연 필름, 및 상기 유연 필름의 일측면 상에 형성된 점착층을 포함하는 점착테이프를 준비하는 단계; 및(b) 상기 점착테이프의 상기 일측면의 반대측 타측면 상에 전자소자를 형성하는 단계;를 포함하는 유연 전자소자의 제조방법이고, 상기 유연 전자소자의 제조방법이 단계 (a) 후에 상기 점착테이프의 상기 일측면의 반대측 타측면 상에 표면개질층을 코팅하는 단계를 포함하는 것인 점착 기능을 구비한 유연 전자소자의 제조방법
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제9항에 있어서,단계 (b)의 전자소자가 전계효과 트랜지스터, 태양전지, 유기발광다이오드, 촉각센서, 전파 식별 태그, 전자종이, 및 바이오 센서 중에서 선택된 1종 이상인 것을 특징으로 하는 점착 기능을 구비한 유연 전자소자의 제조방법
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제10항에 있어서,단계 (b)의 전자소자가 전계효과 트랜지스터이고,단계 (b)가,(b-1) 상기 점착테이프의 상기 일측면의 반대측 타측면 상에 게이트 전극을 형성하는 단계;(b-2) 상기 게이트 전극상에 게이트 절연층을 형성하는 단계; (b-3) 상기 게이트 절연층 상에 소스 전극 및 드레인 전극을 형성하는 단계; 및 (b-4) 상기 게이트 절연층 상에, 상기 소스 전극 및 드레인 전극을 전기적으로 연결하는 활성층을 형성하는 단계;를포함하는 점착 기능을 구비한 유연 전자소자의 제조방법
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제11항에 있어서,단계 (b-2)가 UV 오존처리, 산소 분위기 열처리, 및 산소 플라즈마 처리 중에서 선택된 어느 하나의 방법으로 수행되는 것을 특징으로 하는 점착 기능을 구비한 유연 전자소자의 제조방법
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제12항에 있어서,단계 (b-2)가 산소 플라즈마 처리에 의해 수행되는 것을 특징으로 하는 점착 기능을 구비한 유연 전자소자의 제조방법
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제13항에 있어서,상기 산소 플라즈마 처리가 10 내지 300W의 RF 전력 조건에서 수행되는 것을 특징으로 하는 점착 기능을 구비한 유연 전자소자의 제조방법
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제13항에 있어서,상기 산소 플라즈마 처리가 1 내지 1000 mTorr의 압력 조건에서 수행되는 것을 특징으로 하는 점착 기능을 구비한 유연 전자소자의 제조방법
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제11항에 있어서,상기 활성층이 그래핀층이고,상기 그래핀층이 물리적 또는 화학적 박리에 의해 제조된 그래핀, SiC에서 성장시켜 제조된 그래핀, 및 화학기상 증착법에 의해 제조된 그래핀 중에서 선택된 어느 하나인 것을 특징으로 하는 점착 기능을 구비한 유연 전자소자의 제조방법
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제11항에 있어서,단계 (b-4)가 건식 전사법에 따라 수행되는 것을 특징으로 하는 점착 기능을 구비한 유연 전자소자의 제조방법
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