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곁사슬이 치환된 억셉터 단량체를 포함하는 전도성 고분자 및 그를 포함하는 페로브스카이트 태양전지

  • 기술번호 : KST2019034674
  • 담당센터 : 대구기술혁신센터
  • 전화번호 : 053-550-1450
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 하기 구조식 1로 표시되는 전도성 고분자에 관한 것으로, 알킬렌글리콜 곁사슬을 억셉터 단량체에 도입함으로써 고분자의 평면성을 향상시켜 정공 이동도가 우수하고, 친수성기인 알킬렌글리콜 곁사슬을 도입함으로써, 극성 유기용매와 높은 상호작용을 유도하여 전도성 고분자의 용해도를 향상시켜 상온용액공정을 가능하게 하며, 이와 같은 전도성 고분자를 적용하여, 높은 용해도와 높은 정공 이동도를 바탕으로 유기전자소자의 효율을 향상시킬 수 있다. [구조식 1]
Int. CL C08G 61/12 (2006.01.01) H01L 51/42 (2006.01.01)
CPC C08G 61/126(2013.01) C08G 61/126(2013.01) C08G 61/126(2013.01) C08G 61/126(2013.01) C08G 61/126(2013.01) C08G 61/126(2013.01) C08G 61/126(2013.01)
출원번호/일자 1020170084678 (2017.07.04)
출원인 포항공과대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1922974-0000 (2018.11.22)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20190227) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2017.07.04)
심사청구항수 21

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 포항공과대학교 산학협력단 대한민국 경상북도 포항시 남구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 박태호 대한민국 경상북도 포항시 남구
2 이준우 대한민국 전라북도 남원시 용성로 *
3 강경호 대한민국 서울특별시 마포구
4 김관우 대한민국 대구광역시 달서구
5 김해운 대한민국 부산광역시 사상구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 이수열 대한민국 서울특별시 서초구 반포대로**길 **(서초동) *층(국제특허다호)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 포항공과대학교 산학협력단 경상북도 포항시 남구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2017.07.04 수리 (Accepted) 1-1-2017-0638963-63
2 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2017.07.06 수리 (Accepted) 1-1-2017-0648364-14
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2018.04.09 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2018.05.02 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-6-2018-0061997-97
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2018.05.09 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0315958-84
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2018.07.03 수리 (Accepted) 1-1-2018-0652654-23
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2018.07.03 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2018-0652666-71
8 등록결정서
Decision to grant		 2018.10.18 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0706993-32
9 [명세서등 보정]보정서(심사관 직권보정)
 2019.02.18 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2019-5004494-11
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.11.20 수리 (Accepted) 4-1-2019-5243581-27
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.11.22 수리 (Accepted) 4-1-2019-5245997-53
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.11.25 수리 (Accepted) 4-1-2019-5247115-68
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
하기 구조식 1로 표시되는 전도성 고분자
2 2
제1항에 있어서,상기 전도성 고분자는 정공 전달 물질인 것을 특징으로 하는 전도성 고분자
3 3
제1항에 있어서,상기 전도성 고분자는 D-A (Donor-Acceptor) 타입의 고분자인 것을 특징으로 하는 전도성 고분자
4 4
제1항에 있어서,상기 구조식 1에서 m 및 p는 2이고, n 및 q는 3인 것을 특징으로 하는 전도성 고분자
5 5
제1항에 있어서,상기 구조식 1로 표시되는 전도성 고분자가 하기 전도성 고분자 1 내지 3 중에서 선택된 어느 하나인 것을 특징으로 하는 전도성 고분자
6 6
제1항의 전도성 고분자를 포함하는 유기전자소자
7 7
제6항에 있어서,상기 유기전자소자는 유기태양전지, 유기박막트랜지스터 및 유기발광다이오드 중에서 선택된 어느 하나인 것을 특징으로 하는 유기전자소자
8 8
제7항에 있어서,상기 유기전자소자가 유기태양전지인 것을 특징으로 하는 유기전자소자
9 9
제8항에 있어서,상기 유기태양전지는 페로브스카이트 태양전지인 것을 특징으로 하는 유기전자소자
10 10
제9항에 있어서,상기 페로브스카이트 태양전지가,제1 전극;상기 제1 전극 상에 형성된 전자수송층;상기 전자수송층 상에 형성된 페로브스카이트 광흡수층; 상기 페로브스카이트 광흡수층 상에 형성되고 하기 구조식 1로 표시되는 전도성 고분자를 포함하는 정공수송층; 및상기 정공수송층 상에 형성된 제2 전극;을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기전자소자
11 11
제10항에 있어서,상기 전자수송층이 산화주석(SnO2), 산화아연(ZnO), 산화마그네슘(MgO), 삼산화텅스텐(WO3), 산화납(PbO), 산화인듐(In2O3), 삼산화비스무트(Bi2O3), 오산화탄탈(Ta2O5), 티탄산바륨(BaTiO3), 지르코늄산바륨(BaZrO3) 및 삼산화지르코늄 (ZrO3) 중에서 선택된 1종 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기전자소자
12 12
제10항에 있어서,상기 페로브스카이트 광흡수층이 페로브스카이트(perovskite) 구조의 화합물을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기전자소자
13 13
제12항에 있어서,상기 페로브스카이트(perovskite) 구조의 화합물은 CH3NH3PbI3-xClx(0≤x≤3인 실수), CH3NH3PbI3-xBrx(0≤x≤3인 실수), CH3NH3PbCl3-xBrx(0≤x≤3인 실수), CH3NH3PbI3-xFx(0≤x≤3인 실수), NH2CH=NH2PbI3-xClx (0≤x≤3인 실수), NH2CH=NH2PbI3-xBrx(0≤x≤3인 실수), NH2CH=NH2PbCl3-xBrx(0≤x≤3인 실수), NH2CH=NH2PbI3-xFx(0≤x≤3인 실수) 중에서 선택된 1종 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기전자소자
14 14
제12항에 있어서,상기 페로브스카이트(perovskite) 구조의 화합물이 (NH2CH=NH2PbI3)1-x(CH3NH3PbBr3)x (0≤x≤1인 실수)인 것을 특징으로 하는 유기전자소자
15 15
제10항에 있어서,상기 제2 전극은 금(Au), 은(Ag), 백금(Pt), 니켈(Ni), 구리(Cu), 인듐(In), 루테듐(Ru), 팔라듐(Pd), 로듐(Rh), 이리듐(Ir), 오스뮴(Os), 탄소(C) 및 전도성 고분자 중에서 선택된 1종 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기전자소자
16 16
하기 구조식 2로 표시되는 화합물과 하기 구조식 3으로 표시되는 화합물을 반응시켜 하기 구조식 1로 표시되는 전도성 고분자를 제조하는 전도성 고분자의 제조방법
17 17
제16항에 있어서,(a) 상기 구조식 2로 표시되는 화합물 및 상기 구조식 3으로 표시되는 화합물에 착화합물 촉매 및 조촉매를 첨가하여 혼합물을 제조하는 단계;(b) 상기 혼합물에 용매를 용해시켜 혼합용액을 제조하는 단계; 및(c) 상기 혼합물을 가열하여 반응시키는 단계; 를 포함하는 것을 특징으로 하는 전도성 고분자의 제조방법
18 18
제17항에 있어서,상기 용매가 톨루엔, 벤젠, 헥산, 나프탈렌, 에틸벤젠, 클로로벤젠, 디클로로벤젠, 디클로로메탄, 트리클로로메탄, 테트라클로로메탄, 사이클로헥산 및 사염화탄소 중에서 선택된 1종 이상인 것을 특징으로 하는 전도성 고분자의 제조방법
19 19
제17항에 있어서,상기 착화합물 촉매가 트리스(다이벤질리덴아세톤)다이팔라듐(Tris(dibenzylideneacetone)dipalladium(0), Pd2(dba)3), 비스(다이벤질리텐아세톤)팔라듐(Bis(dibenzylideneacetone)palladium(0), Pd(dba)2) 및 테트라키스(트리페닐포스핀)팔라듐(Tetrakis(triphenylphosphine)palladium(0), Pd(PPh3)4) 중에서 선택된 1종 이상인 것을 특징으로 하는 전도성 고분자의 제조방법
20 20
제17항에 있어서,상기 조촉매가 트리(o-토릴)포스핀(Tri(o-tolyl)phosphine, P(o-tolyl)3), 트라이페닐포스핀(Triphenylphosphine, PPh3) 및 트라이사이클로헥실포스포늄(Tricyclohexylphosphine tetrafluoroborate, PCy3HBF4) 중에서 선택된 1종 이상인 것을 특징으로 하는 전도성 고분자의 제조방법
21 21
제17항에 있어서,단계 c가 80 내지 200℃의 온도에서 수행되는 것을 특징으로 하는 전도성 고분자의 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 미래창조과학부 포항공과대학교 글로벌프론티어지원 파이전자분자 소프트 나노소재 개발
2 미래창조과학부 포항공과대학교 개인연구지원 집적기술 기반 초고효율 유무기 복합 태양전지 신기술 개발