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상부 전극;하부 전극;상기 상부 전극과 하부 전극 사이에 배치되고, 정방정계 형태의 다결정 NbO2로 구성되어 절연체-금속 전이 성질을 갖는 문턱 스위칭막; 및상기 문턱 스위칭막과 상기 상부 전극 및 상기 하부 전극이 맞닿는, 상기 문턱 스위칭막의 표면에 형성되며, 전기적 구동 절연체-금속 전이 성질을 가지는 결함 방지막을 포함하는 절연체-금속 전이 소자
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제1항에 있어서,상기 결함 방지막은 VOx, NbOx, NiOx, TiOx, SmNiOx, PCMO, HfOx 및 TaOx 로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 하나 이상의 전이 금속 산화물인 것을 특징으로 하는 절연체-금속 전이 소자
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제1항에 있어서,상기 결함 방지막은 산화니켈(Ⅱ)(NiO)인 것을 특징으로 하는 절연체-금속 전이 소자
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MOS 전계 효과 트랜지스터(Field Effect Transistor); 및상기 MOS 전계 효과 트랜지스터의 소스 영역과 직렬로 연결된 절연체-금속 전이(insulator-to-metal transition) 소자를 포함하고, 상기 절연체-금속 전이(insulator-to-metal transition) 소자는, 상부 전극;하부 전극; 상기 상부 전극과 하부 전극 사이에 배치되고, 정방정계 형태의 다결정 NbO2로 구성되어 절연체-금속 전이 성질을 갖는 문턱 스위칭막; 및상기 문턱 스위칭막과 상기 상부 전극 및 상기 하부 전극이 맞닿는, 상기 문턱 스위칭막의 표면에 형성되며, 전기적 구동 절연체-금속 전이 성질을 가지는 결함 방지막을 포함하는 것을 특징으로 하는, 하이브리드 위상 전계 효과 트랜지스터
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제10항에 있어서, 상기 결함 방지막은 VOx, NbOx, NiOx, TiOx, SmNiOx, PCMO, HfOx 및 TaOx 로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 하나 이상의 전이 금속 산화물인 것을 특징으로 하는, 하이브리드 위상 전계 효과 트랜지스터
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비휘발성 메모리 소자; 및상기 비휘발성 메모리 소자와 직렬로 연결된 절연체-금속 전이(insulator-to-metal transition) 소자를 포함하고,상기 절연체-금속 전이(insulator-to-metal transition) 소자는,상부 전극;하부 전극; 상기 상부 전극과 하부 전극 사이에 배치되고, 정방정계 형태의 다결정 NbO2로 구성되어 절연체-금속 전이 성질을 갖는 문턱 스위칭막; 및상기 문턱 스위칭막과 상기 상부 전극 및 상기 하부 전극이 맞닿는, 상기 문턱 스위칭막의 표면에 형성되며, 전기적 구동 절연체-금속 전이 성질을 가지는 결함 방지막을 포함하는 것을 특징으로 하는, 1-선택소자/1-저항소자(1S1R) 메모리 소자
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제12항에 있어서, 상기 결함 방지막은 VOx, NbOx, NiOx, TiOx, SmNiOx, PCMO, HfOx 및 TaOx 로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 하나 이상의 전이 금속 산화물인 것을 특징으로 하는, 1-선택소자/1-저항소자(1S1R) 메모리 소자
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제12항에 있어서,상기 비휘발성 메모리 소자는 저항변화 메모리 소자(RRAM)인 것을 특징으로 하는 1-선택소자/1-저항소자(1S1R) 메모리 소자
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