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반도체 양자점에 분리가능한 광유발 전자 받게가 결합되고,여기서, 상기 광유발 전자 받게는 양자점의 전도대 보다 더 낮은 에너지 준위에 위치하는 최저 비점유 분자 오비탈 (lowest unoccupied molecular orbital, LUMO)을 가지는 것을 특징으로 하는 양자점 복합체
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제1항에 있어서, 상기 반도체 양자점은 II-형 반도체 양자점인 것을 특징으로 하는 양자점 복합체
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제1항에 있어서, 상기 양자점은 유사(pseudo) Ⅱ-형 양자점인 것을 특징으로 하는 양자점 복합체
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제1항에 있어서, 상기 양자점은 CdTe/CdSe 핵/껍질, CdSe/ZnTe 핵/껍질, ZnTe/ZnSe 핵/껍질, CuInS2/CdS 핵/껍질, GaSb/GaAs 핵/껍질, InAs/GaAs 핵/껍질 양자점으로 이루어진 그룹에서 하나 이상 선택되는 pseudo II-형 양자점인 것을 특징으로 하는 양자점 복합체
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제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서, 양자점은 ZnS로 이루어진 껍질층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 양자점 복합체
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제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 반도체 양자점은 1,000 nm 이상의 형광을 가지는 양자점인 것을 특징으로 하는 양자점 복합체
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제3항에 있어서, 상기 반도체 양자점은 PbS/CdS/ZnS 양자점인 것을 특징으로 하는 양자점 복합체
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제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 광유발 전자 받게는 메틸렌 블루인 것을 특징으로 하는 양자점 복합체
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제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 광유발 전자 받게는 펩티드 사슬로 연결된 것을 특징으로 하는 양자점 복합체
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제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 광유발 전자 받게는 트립신에 의해서 분리되는 것을 특징으로 하는 양자점 복합체
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반도체 양자점에 상기 양자점의 전도대 보다 더 낮은 에너지 준위에 위치하는 최저 비점유 분자 오비탈 (lowest unoccupied molecular orbital, LUMO)을 가지며, 분리 가능한 광유발 전자 받게를 결합시키는 것을 특징으로 하는 양자점의 형광 신호 조절 방법
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제12항에 있어서, 상기 형광 신호의 조절은 형광 세기의 감소인 것을 특징으로 하는 양자점의 형광 신호 조절 방법
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제12항에 있어서, 상기 광유발 전자 받게의 수를 증가시켜 비례적으로 양자점의 형광세기를 감소시키는 것을 특징으로 하는 양자점의 형광 신호 조절 방법
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제12항에 있어서, 광유발 전자 받게를 결합시켜 형광세기를 감소시키고, 광유발 전자 받게를 제거하여 형광세기를 복원시키는 것을 특징으로 하는 양자점의 형광 신호 조절 방법
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반도체 양자점에 상기 양자점의 전도대 보다 더 낮은 에너지 준위에 위치하는 최저 비점유 분자 오비탈 (lowest unoccupied molecular orbital, LUMO)을 가지며, 분리 가능한 광유발 전자 받게를 결합시키는 것을 특징으로 하는 양자점 복합체 제조 방법
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반도체 양자점에 분리가능한 광유발 전자 받게를 결합시키는 단계, 여기서 상기 광유발 전자 받게는 양자점의 전도대 보다 더 낮은 에너지 준위에 위치하는 최저 비점유 분자 오비탈 (lowest unoccupied molecular orbital, LUMO)을 가지며;소정의 위치로 광유발 전자 받게를 이동시키는 단계; 및소정의 위치에서 광유발 전자 받게를 분리시켜, 소정의 위치에서 형광을 발생시키는 것을 특징으로 하는 양자점 복합체의 이용 방법
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반도체 양자점에서 광유발된 전자를 받을 수 있는 광유발 전자 받게를 양자점으로부터 전자를 받을 수 있는 거리에 위치시켜 양자점 형광을 소광시키고, 상기 광유발 전자 받게를 제거하여 양자점의 형광을 복원하며,여기서, 상기 광유발 전자 받게는 양자점의 전도대 보다 더 낮은 에너지 준위에 위치하는 최저 비점유 분자 오비탈 (lowest unoccupied molecular orbital, LUMO)을 가지는 것을 특징으로 하는 반도체 양자점의 형광 조절 방법
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