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용액공정용 양극성 고분자 반도체를 이용한 유기 박막트랜지스터를 포함하는 유기박막 트랜지스터 어레이 및 그의 제조방법

  • 기술번호 : KST2019034689
  • 담당센터 : 대구기술혁신센터
  • 전화번호 : 053-550-1450
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 하기 구조식 1로 표시되는 양극성 고분자 반도체 화합물에 관한 것으로, 발수 및 내화학성이 우수하고, 박막 형성 특성이 우수한 효과가 있으며, 포토리소그래피 공정에 적합한 양극성 고분자 반도체 소재를 이용하여 미세패턴을 구현하고 대면적 화학센서를 구현할 수 있는 효과가 있다. 또한, 양극성 고분자 반도체를 이용하여 제조된 소자는 전자 및 정공 이동도의 균형을 높이고 성능이 우수한 효과가 있다. [구조식 1]
Int. CL C08G 61/12 (2006.01.01) H01L 21/027 (2006.01.01) H01L 51/05 (2006.01.01) H01L 51/00 (2006.01.01) H01L 29/16 (2006.01.01)
CPC C08G 61/12(2013.01) C08G 61/12(2013.01) C08G 61/12(2013.01) C08G 61/12(2013.01) C08G 61/12(2013.01) C08G 61/12(2013.01) C08G 61/12(2013.01) C08G 61/12(2013.01) C08G 61/12(2013.01)
출원번호/일자 1020170104949 (2017.08.18)
출원인 포항공과대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1933102-0000 (2018.12.20)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20181227) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2017.08.18)
심사청구항수 10

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 포항공과대학교 산학협력단 대한민국 경상북도 포항시 남구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 오준학 대한민국 경상북도 포항시 남구
2 이은광 대한민국 울산광역시 동구
3 박철희 대한민국 대구광역시 동구
4 양창덕 대한민국 울산광역시 울주군

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 이수열 대한민국 서울특별시 서초구 반포대로**길 **(서초동) *층(국제특허다호)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 포항공과대학교 산학협력단 경상북도 포항시 남구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2017.08.18 수리 (Accepted) 1-1-2017-0800127-22
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2018.05.09 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2018.07.09 수리 (Accepted) 9-1-2018-0033342-40
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2018.07.13 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0475528-73
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2018.09.11 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2018-0903035-03
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2018.09.11 수리 (Accepted) 1-1-2018-0903006-89
7 등록결정서
Decision to grant
2018.12.19 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0872218-81
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.11.20 수리 (Accepted) 4-1-2019-5243581-27
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.11.22 수리 (Accepted) 4-1-2019-5245997-53
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.11.25 수리 (Accepted) 4-1-2019-5247115-68
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
소스 전극과 드레인 전극을 포함하는 다수의 유기박막 트랜지스터; 및상기 다수의 유기박막 트랜지스터의 게이트 전극, 소스 전극 및 드레인 전극을 서로 전기적으로 연결하는 연결도선;을 포함하는 플렉서블 유기박막 트랜지스터 어레이이고,상기 유기박막 트랜지스터는 유연기판;상기 유연기판 상에 형성된 상기 게이트 전극;상기 게이트 전극 상에 형성된 절연층;상기 절연층 상에 형성되고, 그래핀을 포함하는 상기 소스 전극; 상기 절연층 상에 형성되고, 그래핀을 포함하는 상기 드레인 전극; 및 상기 소스 전극과 드레인 전극 사이에 형성되고, 하기 구조식 1로 표시되는 양극성 고분자 반도체 화합물을 포함하는 반도체층; 을 포함하는 것인,플렉서블 유기박막 트랜지스터 어레이
2 2
제1항에 있어서,R1 내지 R14은 서로 같거나 다르고, R1 내지 R14은 서로 독립적으로 메틸기 및 에틸기 중에서 선택된 어느 하나인 것을 특징으로 하는 플렉서블 유기박막 트랜지스터 어레이
3 3
제1항에 있어서,상기 X1 내지 X6은 서로 같거나 다르고, X1 내지 X6은 각각 독립적으로 황, 셀레늄 및 산소 원자 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 플렉서블 유기박막 트랜지스터 어레이
4 4
제1항에 있어서,m 및 n은 서로 같거나 다르고, m 및 n은 각각 독립적으로 2 내지 8의 정수 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 플렉서블 유기박막 트랜지스터 어레이
5 5
제1항에 있어서,상기 구조식 1이 하기 화학식 1로 표시되는 것을 특징으로 하는 플렉서블 유기박막 트랜지스터 어레이
6 6
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7 7
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8 8
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9 9
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10 10
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11 11
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12 12
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13 13
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14 14
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15 15
제1항에 있어서,상기 게이트 전극은 각각 독립적으로 Au, Al, Ag, Be, Bi, Co, Cu, Cr, Hf, In, Mn, Mo, Mg, Ni, Nb, Pb, Pd, Pt, Rh, Re, Ru, Sb, Ta, Te, Ti, V, W, Zr, 및 Zn으로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 플렉서블 유기박막 트랜지스터 어레이
16 16
제1항에 있어서,상기 플렉서블 유기박막 트랜지스터 어레이가 아세톤, 물, 에탄올 및 클로로벤젠을 포함하는 화학물질 중에서 선택된 1종 이상을 검출하는 센서인 것을 특징으로 하는 플렉서블 유기박막 트랜지스터 어레이
17 17
(a) 기판 상에 패턴화된 게이트 전극을 형성시켜 패턴화된 게이트 전극/기판의 적층체 a를 제조하는 단계;(b) 상기 적층체 a의 패턴화된 게이트 전극 상에 절연층을 형성시켜 절연층/패턴화된 게이트 전극/기판의 적층체 b를 제조하는 단계;(c) 상기 적층체 b의 절연층 상에 그래핀을 형성시켜 그래핀/절연층/패턴화된 게이트 전극/기판의 적층체 c를 제조하는 단계;(d) 상기 적층체 c의 그래핀을 패터닝하여 그래핀을 포함하는 소스 전극과 그래핀을 포함하는 드레인 전극을 포함하는 소스 드레인 전극을 형성하여 소스 드레인 전극/절연층/패턴화된 게이트 전극/기판의 적층체 d를 제조하는 단계;(e) 상기 적층체 d의 소스 드레인 전극 방향으로 기판 상에 패턴화된 포토레지스트를 형성시켜 패턴화된 포토레지스트/소스 드레인 전극/절연층/패턴화된 게이트 전극/기판의 적층체 e를 제조하는 단계;(f) 상기 적층체 e의 패턴화된 포토레지스트를 이용하여 소스 전극과 드레인 전극의 연결도선을 형성하고 상기 패턴화된 포토레지스트를 제거하여 연결도선/소스 드레인 전극/절연층/패턴화된 게이트 전극/기판의 적층체 f를 제조하는 단계; 및(g) 적층체 f의 소스 전극과 드레인 전극 사이에 하기 구조식 1로 표시되는 양극성 고분자 반도체 화합물을 포함하는 반도체층을 형성하여 반도체층/연결도선/소스 드레인 전극/절연층/패턴화된 게이트 전극/기판의 적층체 g를 제조하는 단계; 를포함하는 플렉서블 유기박막 트랜지스터 어레이의 제조방법:[구조식 1]상기 구조식 1에서,R1 내지 R14은 서로 같거나 다르고, R1 내지 R14은 서로 독립적으로, C1 내지 C20 직쇄형 또는 분지형 알킬기이고, X1 내지 X6은 서로 같거나 다르고, X1 내지 X6은 각각 독립적으로 16족 원자 중 어느 하나이고,m 및 n은 서로 같거나 다르고, m 및 n은 각각 독립적으로 1 내지 15의 정수 중 어느 하나이고,p는 반복단위의 반복 수이고,수평균 분자량은 5,000 내지 1,000,000이다
18 18
제17항에 있어서,상기 기판이 폴리이미드(polyimide), 폴리에틸렌 테레프탈레이트(Polyethylene terephthalate, PET) 및 폴리에스터(polyester) 중에서 선택된 어느 하나인 것을 특징으로 하는 플렉서블 유기박막 트랜지스터 어레이의 제조방법
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제17항에 있어서,상기 패터닝이 포토리소그래피로 수행되는 것을 특징으로 하는 플렉서블 유기박막 트랜지스터 어레이의 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 미래창조과학부 포항공과대학교 글로벌프론티어지원 유연 센서용 소프트 나노소재 개발