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하기 화학식 1과 같은 몰 비의 산화물 조성으로 이루어져 있으며, 하기 표 1의 격자 간격들을 포함하는 X-선 회절 패턴을 갖는 것을 특징으로 하는 알루미노실리케이트 PST-21
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2
제1항에 있어서, 하기 표 2의 X-선 회절 패턴을 갖는 것을 특징으로 하는 알루미노실리케이트 PST-21
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3
제1항에 있어서, 상기 PST-21 제올라이트는 단사 결정계(Monoclinic crystal system)의 P21/c의 공간군에 속하며, 결정 축 단위세포 길이 a, b, c는 모두 9 Å (Angstrom)이상인 것을 특징으로 하는 알루미노실리케이트 PST-21
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4 |
4
제1항 내지 제3항에 중 어느 한 항에 따른 알루미노실리케이트 PST-21를 소성한 것을 특징으로 하는 이성질화 촉매용 알루미노실리케이트
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5
제4항에 있어서, 상기 이성질화는 알킬렌의 이성질화인 것을 특징으로 하는 이성질화 촉매용 알루미노실리케이트
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6
제5항에 있어서, 상기 알킬렌은 1-부텐인 것을 특징으로 하는 이성질화 촉매용 알루미노실리케이트
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7 |
7
제4항에 있어서, 상기 알루미노실리케이트는 500 ℃ 이상에서 소성된 것을 특징으로 하는 이성질화 촉매용 알루미노실리케이트
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8
제4항에 있어서, 상기 촉매는 300 ㎡/g 이상의 BET 표면적을 갖는 것을 특징으로 하는 이성질화 촉매용 알루미노실리케이트
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9
1,2,3-트리메틸이미다졸리움(1,2,3-Trimethylimidazolium) 양이온을 유기구조유도분자로서 이용하여 알루미늄 1몰에 대해 실리카 5-30 몰 및 불화수소(HF) 0
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10
제4항에 따른 알루미노실리케이트 촉매에 알킬렌을 접촉시켜 이성질화시키는 것을 특징으로 하는 방법
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11
하기 화학식 2과 같은 몰 비의 산화물 조성으로 이루어져 있으며, 하기 표 3의 격자 간격들을 포함하는 X-선 회절 패턴을 갖는 것을 특징으로 하는 알루미노실리케이트 PST-22
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12
제11항에 있어서, 하기 표 4의 X-선 회절 패턴을 갖는 것을 특징으로 하는 알루미노실리케이트 PST-22
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제11항 또는 제12항에 있어서, 상기 PST-22 제올라이트는 단사 결정계(Monoclinic crystal system)의 C2/c의 공간군에 속하며, 결정 축 단위세포 길이 a, b, c는 모두 10 Å (Angstrom)이상인 것을 특징으로 하는 알루미노실리케이트 PST-22
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14
제11항 또는 제12항 중 어느 한 항에 따른 알루미노실리케이트를 소성한 것을 특징으로 하는 이성질화 촉매용 알루미노실리케이트
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15
제14항에 있어서, 상기 이성질화는 알킬렌의 이성질화인 것을 특징으로 하는 이성질화 촉매용 알루미노실리케이트
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16
제15항에 있어서, 상기 알킬렌은 1-부텐인 것을 특징으로 하는 이성질화 촉매용 알루미노실리케이트
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17
제14항에 있어서, 상기 알루미노실리케이트는 500 ℃ 이상에서 소성된 것을 특징으로 하는 이성질화 촉매용 알루미노실리케이트
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18
제14항에 있어서, 상기 촉매는 300 ㎡/g 이상의 BET 표면적을 갖는 것을 특징으로 하는 이성질화 촉매용 알루미노실리케이트
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19
1,3,4-트리메틸이미다졸리움(1,3,4-Trimethylimidazolium) 양이온 또는 1,2,3,4-테트라메틸이미다졸리움(1,2,3,4-Tetramethylimidazolium) 양이온을 유기구조유도분자로서 이용하여 알루미늄 1몰에 대해 실리카 5-30 몰과 HF 0
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제14항에 따른 알루미노실리케이트 촉매에 알킬렌을 접촉시켜 이성질화시키는 것을 특징으로 하는 방법
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