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넓은 파장 영역에서 분배 비율의 조절이 가능한 실리콘 칩 타입의 광 분배기

  • 기술번호 : KST2019034706
  • 담당센터 : 대구기술혁신센터
  • 전화번호 : 053-550-1450
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명의 목적은 넓은 파장 영역(예, 1.2~1.96㎛)에서 출력되는 두 광의 분배 비율이 변하지 않으면서, 그 분배 비율을 원하는 값으로 조절할 수 있는 광 분배기를 제공하는 것이다. 본 발명의 일 실시예에 따른 넓은 파장 영역에서 분배 비율의 조절이 가능한 실리콘 칩 타입의 광 분배기는, Si로 구성된 광 도파관을 SiO2로 둘러싸는 구조로 형성되며, 상기 광 도파관은 광이 입사되는 입사 광 도파관, 및 상기 입사 광 도파관으로 입사된 광을 받아서 출력하는 복수의 출력 광 도파관을 포함하며, 상기 입사 광 도파관과 상기 출력 광 도파관은 서로 중첩되는 영역에서 점진적으로 좁아지는 축소부분과 점진적으로 확장되는 확장부분을 가진다.
Int. CL G02B 6/28 (2006.01.01) G02B 6/12 (2006.01.01)
CPC G02B 6/2804(2013.01) G02B 6/2804(2013.01)
출원번호/일자 1020170135730 (2017.10.19)
출원인 포항공과대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1844987-0000 (2018.03.28)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20180403) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2017.10.19)
심사청구항수 4

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 포항공과대학교 산학협력단 대한민국 경상북도 포항시 남구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 신희득 대한민국 경상북도 포항시 남구
2 김형빈 대한민국 충청남도 천안시 서북구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 유미특허법인 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***, 서림빌딩 **층 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 포항공과대학교 산학협력단 경상북도 포항시 남구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2017.10.19 수리 (Accepted) 1-1-2017-1031232-15
2 [우선심사신청]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Preferential Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)
2017.10.25 수리 (Accepted) 1-1-2017-1055402-32
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2017.11.17 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2017.11.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-6-2017-0174096-57
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2017.12.06 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0855344-47
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2017.12.26 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2017-1293556-70
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2017.12.26 수리 (Accepted) 1-1-2017-1293555-24
8 등록결정서
Decision to grant
2018.03.22 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0201956-08
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.11.20 수리 (Accepted) 4-1-2019-5243581-27
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.11.22 수리 (Accepted) 4-1-2019-5245997-53
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.11.25 수리 (Accepted) 4-1-2019-5247115-68
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번호 청구항
1 1
Si로 구성된 광 도파관을 SiO2로 둘러싸는 구조로 형성되며,상기 광 도파관은광이 입사되는 입사 광 도파관, 및상기 입사 광 도파관으로 입사된 광을 받아서 출력하는 복수의 출력 광 도파관을 포함하며,상기 입사 광 도파관과 상기 출력 광 도파관은서로 중첩되는 영역에서 점진적으로 좁아지는 축소부분과 점진적으로 확장되는 확장부분을 각각 가지고,상기 출력 광 도파관은중첩 영역에서 상기 입사 광 도파관의 일측 배치되는 고정출력 광 도파관, 및상기 입사 광 도파관의 다른 일측에 배치되는 이동출력 광 도파관을 포함하는 광 분배기
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삭제
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제1항에 있어서,상기 고정출력 광 도파관의 확장되는 확장부분과 상기 입사 광 도파관의 좁아지는 축소부분 사이에 고정간극이 설정되고,상기 이동출력 광 도파관의 확장되는 확장부분과 상기 입사 광 도파관의 좁아지는 축소부분 사이에 가변간극이 설정되어 출력되는 두 광의 비율을 조절하는 광 분배기
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제3항에 있어서,상기 고정출력 광 도파관의 확장되는 확장부분과 상기 입사 광 도파관의 좁아지는 축소부분 사이에 설정된 고정간극은상기 광 도파관 외부의 소멸파의 감쇠 길이 보다 길게 형성되는 광 분배기
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제1항에 있어서,상기 광은1
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 미래창조과학부 포항공과대학교 산학협력단 Open Research Program 양자광학기반 양자컴퓨팅 원천기술 개발
2 미래창조과학부 포항공과대학교 산학협력단 기초연구실육성사업(BRL) 광자를 이용한 양자시뮬레이션 연구