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1
하기 구조식 1로 표시되는 전도성 고분자
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2
제1항에 있어서,R1 내지 R3는 서로 같거나 다르고, R1 내지 R3는 각각 독립적으로 C3 내지 C24 분쇄형 알킬기인 것을 특징으로 하는 전도성 고분자
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3 |
3
제1항에 있어서,X1 및 X2는 셀레늄 원자인 것을 특징으로 하는 전도성 고분자
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4 |
4
제1항에 있어서,Y1 및 Y2는 서로 같거나 다르고, Y1 및 Y2는 각각 독립적으로 수소 원자, 또는 플루오린 원자인 것을 특징으로 하는 전도성 고분자
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5 |
5
제1항에 있어서,R4 와 R5은 서로 같거나 다르고, R4 와 R5은 각각 독립적으로 C1 내지 C24 직쇄형 알킬기인 것을 특징으로 하는 전도성 고분자
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6 |
6
제1항에 있어서,상기 전도성 고분자는 도너-억셉터 (Donor-Acceptor) 타입의 고분자인 것을 특징으로 하는 전도성 고분자
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7 |
7
제1항의 전도성 고분자를 포함하는 유기전자소자
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8 |
8
제7항에 있어서,상기 유기전자소자는 유기태양전지, 유기박막트랜지스터 및 유기발광다이오드 중에서 선택된 어느 하나인 것을 특징으로 하는 유기전자소자
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9 |
9
제8항에 있어서,상기 유기전자소자가 유기태양전지인 것을 특징으로 하는 유기전자소자
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10
제9항에 있어서,상기 유기태양전지가제1 전극;상기 제1 전극 상에 형성된 광활성층;상기 광활성층 상에 형성된 제2 전극;을 포함하고상기 광활성층은 하기 구조식 1로 표시되는 전도성 고분자를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기전자소자
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11
제10항에 있어서,상기 제1 전극이 인듐 틴 옥사이드(ITO), 플루오린 틴 옥사이드(FTO), ZnO-Ga2O3, ZnO-Al2O3, 주석계 산화물 및 산화아연 중에서 선택된 1종 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기전자소자
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12
제10항에 있어서,상기 제2 전극이 Al, Ag, Au, Pt, Ni, Cu, In, Ru, Pd, Rh, Ir, Os, C 및 상기 구조식 1로 표시되는 전도성 고분자를 제외한 전도성 고분자 중에서 선택된 1종 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기전자소자
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13
제 10항에 있어서,상기 광활성층이 전자주개 물질 및 전자받개 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기전자소자
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14
제 13항에 있어서,상기 전자주개 물질이 상기 구조식 1로 표시되는 전도성 고분자를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기전자소자
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15
제 13항에 있어서,상기 전자받개 물질이 풀러렌 및 풀러렌 유도체 중에서 선택된 1종 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기전자소자
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16
하기 구조식 2로 표시되는 화합물 및 하기 구조식 3으로 표시되는 화합물을 반응시켜 하기 구조식 1로 표시되는 전도성 고분자를 제조하는 전도성 고분자의 제조방법
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17
제 16항에 있어서,상기 전도성 고분자의 제조방법은,(a) 상기 구조식 2로 표시되는 화합물, 상기 구조식 3으로 표시되는 화합물을 용매에 용해시켜 혼합용액을 제조하는 단계;(b) 상기 혼합용액에 촉매를 첨가하여 혼합물을 제조하는 단계; 및(c) 상기 혼합물을 가열하여 중합반응시키는 단계;를포함하는 것을 특징으로 하는 전도성 고분자의 제조방법
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18
제 17항에 있어서,상기 용매가 톨루엔, 디메틸포름아미드(dimethylformamide, DMF) 및 클로로벤젠 중에서 선택된 1종 이상인 것을 특징으로 하는 전도성 고분자의 제조방법
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19
제 17항에 있어서, 상기 촉매가 Pd2(dba)3(Tris(dibenzylideneacetone)dipalladium), P(o-tolyl)3(tri(o-tolyl)phosphine) 및 Pd(PPh3)4(Tetrakis(triphenylphosphine)palladium(0) 중에서 선택된 1종 이상인 것을 특징으로 하는 전도성 고분자의 제조방법
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20
제17항에 있어서,단계 c가 80 내지 140℃의 온도에서 수행되는 것을 특징으로 하는 전도성 고분자의 제조방법
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제16항의 전도성 고분자의 제조방법을 포함하는 유기전자소자의 제조방법
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제21항에 있어서,상기 유기전자소자가 유기태양전지인 것을 특징으로 하는 유기전자소자의 제조방법
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