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가장 하부에 제공되는 기판; 및상기 기판의 상측에 제공되는 금속층을 포함하고,상기 기판은 일정한 주기로 제공되는 플라즈몬 격자를 포함하며,민감도(S)는 s-편광과 p-편광 간의 흡수 차이이고,900nmm 내지 1500nm의 파장 범위와 0°내지 30°사이의 입사각에서 민감도(S)가 50% 이상인 고감도 영역(High sensitivity region)인플라즈몬 격자를 포함하는 편광 감응형 완전 흡수체
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제1 항에 있어서,상기 플라즈몬 격자는 120nm 내지 400nm의 주기를 가지고, 100nm의 두께를 갖는플라즈몬 격자를 포함하는 편광 감응형 완전 흡수체
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제1 항에 있어서,상기 금속층의 상측에 유전체층이 제공되는플라즈몬 격자를 포함하는 편광 감응형 완전 흡수체
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제3 항에 있어서,상기 기판 및 상기 유전체층은 85nm의 두께를 갖는 이산화규소(SiO2)이고,상기 플라즈몬 격자는 금(Au)이며, 상기 금속층은 8nm의 두께를 갖는 크롬(Cr)인플라즈몬 격자를 포함하는 편광 감응형 완전 흡수체
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제1 항에 있어서,s-편광(s-polarization)이 입사될 때, 500nm 내지 1400nm의 파장 범위에서 90% 이상의 흡수율을 갖는플라즈몬 격자를 포함하는 편광 감응형 완전 흡수체
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제1 항에 있어서,상기 플라즈몬 격자가 120nm 내지 400nm이고, 파장이 1000nm 내지 1500nm일 경우, 민감도(S)가 균일한 플라즈몬 격자를 포함하는 편광 감응형 완전 흡수체
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제1 항에 있어서,상기 금속층은 주기적인 디스크 구조로 패터닝된 구조인플라즈몬 격자를 포함하는 편광 감응형 완전 흡수체
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제8 항에 있어서,상기 금속층은 직경이 160nm이고, 두께가 65nm이며, 주기가 600nm인플라즈몬 격자를 포함하는 편광 감응형 완전 흡수체
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10
제9 항에 있어서,상기 금속층은 금(Au)으로 제공되는플라즈몬 격자를 포함하는 편광 감응형 완전 흡수체
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가장 하부에 제공되는 기판; 및상기 기판의 상측에 제공되는 금속층을 포함하고,상기 기판은 일정한 주기로 제공되는 플라즈몬 격자를 포함하며,상기 금속층은 주기적인 디스크 구조로 패터닝된 구조이고,파장이 729nm일 때 흡수율이 98%이고, 파장이 870nm일 때 흡수율이 85%이며, 파장이 990nm일 때 흡수율이 68%인플라즈몬 격자를 포함하는 편광 감응형 완전 흡수체
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제11 항에 있어서,민감도(S)는 s-편광과 p-편광 간의 흡수 차이이고,파장이 870nm일 때, 민감도(S)가 80% 이상이고, 파장이 729nm일 때는 상기 플라즈몬 격자의 주기가 짧을수록 민감도(S)가 높고, 파장이 990nm일 때는 상기 플라즈몬 격자의 주기가 길수록 민감도(S)가 높은플라즈몬 격자를 포함하는 편광 감응형 완전 흡수체
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하부에 소정 주기를 갖는 플라즈몬 격자 구조가 증착된 기판; 및상기 기판의 상측에 제공되는 금속층을 포함하고,민감도(S)는 s-편광과 p-편광 간의 흡수 차이이고,900nmm 내지 1500nm의 파장 범위와 0°내지 30°사이의 입사각에서 민감도(S)가 50% 이상인 고감도 영역(High sensitivity region)인플라즈몬 격자를 포함하는 편광 감응형 완전 흡수체
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제13 항에 있어서,상기 금속층의 상측에 상기 기판과 같은 소재로 제공되는 유전체층이 제공되고,상기 금속층은 상기 기판 및 상기 유전체층의 두께보다 얇은 두께로 제공되는 플라즈몬 격자를 포함하는 편광 감응형 완전 흡수체
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제13 항에 있어서,상기 금속층은 주기적인 디스크 구조로 상기 기판 상에 증착되는플라즈몬 격자를 포함하는 편광 감응형 완전 흡수체
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가장 하부에 형성되는 기판을 제공하는 단계;상기 기판에 플라즈몬 격자가 증착되는 단계; 및상기 기판에 금속층이 증착되는 단계를 포함하되,민감도(S)는 s-편광과 p-편광 간의 흡수 차이이고,900nmm 내지 1500nm의 파장 범위와 0°내지 30°사이의 입사각에서 민감도(S)가 50% 이상인 고감도 영역(High sensitivity region)인플라즈몬 격자를 포함하는 편광 감응형 완전 흡수체의 제조방법
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제16 항에 있어서,상기 금속층에 유전체층이 증착되는 단계를 더 포함하는플라즈몬 격자를 포함하는 편광 감응형 완전 흡수체의 제조방법
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제17 항에 있어서,상기 기판 및 상기 유전체층은 이산화규소이고, 상기 금속층은 크롬이며, 상기 플라즈몬 격자는 금이고,상기 유전체층 및 상기 플라즈몬 격자는 전자빔 증착기 또는 리프트 오프 공정을 통해 상기 기판에 증착되는플라즈몬 격자를 포함하는 편광 감응형 완전 흡수체의 제조방법
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제16 항에 있어서,상기 금속층은 주기적인 디스크 구조로 패터닝되는플라즈몬 격자를 포함하는 편광 감응형 완전 흡수체의 제조방법
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제19 항에 있어서,상기 금속층은 전자빔 증착기 또는 리프트 오프 공정을 통해 패터닝되는플라즈몬 격자를 포함하는 편광 감응형 완전 흡수체의 제조방법
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